Вышедшие номера
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030272
Редьков А.В.1,2, Гращенко А.С.1,2, Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Котляр К.П.4,5, Лихачев А.И.4,5, Нащекин А.В.4,5, Сошников И.П.4,5
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами. Работа поддержана Российским научным фондом (грант # 14-12-01102).
  1. R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012)
  2. R. Liu, F.A. Ponce, A. Dadgar, A. Krost. Appl. Phys. Lett. 83, 860 (2003).
  3. F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature 386, 351(1997)
  4. S.N. Mohammad, H. Morko c. Progr. Quantum Electron., 20, 361 (1996)
  5. S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991)
  6. K. Linthicum, Т. Gehrke, D. Thomson, K. Tracy, E. Carlson, T. Smith, T. Zheleva, C. Zorman, M. Mehregany, R. Davis. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 G4.9 (1999)
  7. S. Guha, N.A. Bojarczuk.  Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998)
  8. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 47, 313001 (2014)
  9. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov.  J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
  10. S.L. Khrypko, V.V. Kidalov. J. Nano- Electron. Phys. 8, 04071 (2016)
  11. V.V. Kidalov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A. V. Redkov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.F. Dyadenchuk.  Mater. Phys. Mech. 36, 39 (2018)
  12. V.N. Bessolov, D.V. Karpov, E.V. Konenkova, A.А. Lipovskii, A.V. Osipov, A.V. Redkov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 606, 74 (2016)
  13. S.A. Kukushkin, S.S. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk. ECS J. Solid State Sci. Technol. 7, 480 (2018)
  14. S.I. Nakashima, H. Harima.  Phys. Status Solidi A 162, 39 (1997)
  15. H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley.  Solid State Commun. 39, 625 (1981)
  16. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  17. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov.  Physica B: Condens. Matter 512, 26 (2017)
  18. В.В. Слезов, В.Б. Шикин. ФТТ 6, 7(1964)
  19. M. Sahimi, T.T. Tsotsis. Chem. Eng. Sci. 43, 113 (1988)
  20. P. Sun, J.R. Grace, C.J. Lim, E.J. Anthony.  Chem. Eng. Sci. 63, 57 (2008)
  21. K. Sangwal. Etching of crystals: theory, experiment and application. Elsevier., Amsterdam (2012).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.