Издателям
Вышедшие номера
Эволюция ансамбля микропор в структуре SiC/Si в процессе роста методом замещения атомов
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030272
Редьков А.В.1,2, Гращенко А.С.1,2, Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.1,2, Котляр К.П.4,5, Лихачев А.И.4,5, Нащекин А.В.4,5, Сошников И.П.4,5
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: avredkov@gmail.com
Поступила в редакцию: 22 октября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Исследована временная эволюция ансамбля микропор, формирующихся в приповерхностной области кремния в процессе роста тонких пленок карбида кремния методом замещения атомов. Образцы SiC/Si исследованы методом сканирующей электронной микроскопии, эллипсометрии и конфокальной рамановской микроскопии. Показаны характерные этапы формирования пористого слоя: зарождение одиночных пор, их рост с образованием дендритоподобных структур и последующее срастание в сплошной слой. Продемонстрировано, что толщина пористого слоя на начальных этапах роста пропорциональна корню кубическому из времени. Обсуждаются возможные механизмы формирования пор и предложена теоретическая модель для описания зависимости средней толщины пористого слоя от времени, которая имеет хорошее качественное совпадение с экспериментальными результатами. Работа поддержана Российским научным фондом (грант # 14-12-01102).
  • R.S. Pengelly, S.M. Wood, J.W. Milligan, S.T. Sheppard, W.L. Pribble. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 60, 1764 (2012)
  • R. Liu, F.A. Ponce, A. Dadgar, A. Krost. Appl. Phys. Lett. 83, 860 (2003).
  • F.A. Ponce, D.P. Bour. Nature 386, 351(1997)
  • S.N. Mohammad, H. Morko c. Progr. Quantum Electron., 20, 361 (1996)
  • S. Nakamura. Jpn. J. Appl. Phys. 30, L1705 (1991)
  • K. Linthicum, Т. Gehrke, D. Thomson, K. Tracy, E. Carlson, T. Smith, T. Zheleva, C. Zorman, M. Mehregany, R. Davis. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 4S1 G4.9 (1999)
  • S. Guha, N.A. Bojarczuk.  Appl. Phys. Lett. 72, 415 (1998)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D. 47, 313001 (2014)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov.  J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
  • S.L. Khrypko, V.V. Kidalov. J. Nano- Electron. Phys. 8, 04071 (2016)
  • V.V. Kidalov, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, A. V. Redkov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, M.E. Boiko, M.D. Sharkov, A.F. Dyadenchuk.  Mater. Phys. Mech. 36, 39 (2018)
  • V.N. Bessolov, D.V. Karpov, E.V. Konenkova, A.А. Lipovskii, A.V. Osipov, A.V. Redkov, I.P. Soshnikov, S.A. Kukushkin. Thin Solid Films 606, 74 (2016)
  • S.A. Kukushkin, S.S. Sharofidinov, A.V. Osipov, A.V. Redkov, V.V. Kidalov, A.S. Grashchenko, I.P. Soshnikov, A.F. Dydenchuk. ECS J. Solid State Sci. Technol. 7, 480 (2018)
  • S.I. Nakashima, H. Harima.  Phys. Status Solidi A 162, 39 (1997)
  • H. Richter, Z.P. Wang, L. Ley.  Solid State Commun. 39, 625 (1981)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 50, 1188 (2008)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov.  Physica B: Condens. Matter 512, 26 (2017)
  • В.В. Слезов, В.Б. Шикин. ФТТ 6, 7(1964)
  • M. Sahimi, T.T. Tsotsis. Chem. Eng. Sci. 43, 113 (1988)
  • P. Sun, J.R. Grace, C.J. Lim, E.J. Anthony.  Chem. Eng. Sci. 63, 57 (2008)
  • K. Sangwal. Etching of crystals: theory, experiment and application. Elsevier., Amsterdam (2012).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.