Издателям
Вышедшие номера
Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030181
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Ab initio методами изучен механизм перемещения одного плотноупакованного слоя SiC из одного положения минимума в другое на примере политипного перехода SiC 2H->4H. Показано, что промежуточное состояние с моноклинной симметрией Cm сильно облегчает такое перемещение, разбивая его на две стадии. Вначале перемещается в основном атом Si, лишь затем в основном атом C. При этом связь Si-C заметно наклоняется по сравнению с исходным положением, что позволяет уменьшить сжатие связей SiC в плоскости (1120). Рассчитаны два переходных состояния этого процесса, они также обладают симметрией Cm. Найдено, что высота активационного барьера процесса перемещения плотноупакованного слоя SiC из одного положения в другое равна 1.8 eV. Рассчитан энергетический профиль данного перемещения. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникального стенда (УНО) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУП ИПМаш РАН.
  • S. Wipperman, Y. He, M. Voros, G. Galli. Appl. Phys. Rev. 3, 040807 (2016)
  • Е.А. Беленков, В.А. Грешняков. ФТТ 55, 1640 (2013)
  • M.T. Sebastian, P. Krishna. Random, non-random and periodic faulting in crystals. Routledge. Taylor \& Francis Group, London-N. Y. (2014). 383 p
  • J. Fan, P.K. Chu. Silicon Carbide Nanostructures. Fabrication, Structure, and Properties. Springer, Cham (2014). 330 p
  • R.A. Minamisawa, A. Mihaila, I. Farkas, V.S. Teodorescu, V.V. Afanas'ev, C.-W. Hsu, E. Janzen, M. Rahimo. Appl. Phys. Lett. 108 143502 (2016)
  • T. Tagai, S. Sueno, R. Sadanaga. Mineral. J. 6,  340 (1971)
  • J.A. Powell, H.A. Will. J. Appl. Phys. 43, 1400 (1972)
  • N.W. Jepps, T.F. Page. Prog. Cryst. Growth Charact. 7, 259 (1983)
  • А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов, Л.М. Сорокин, Л.В. Шахов. Письма в ЖТФ 41, 23, 89 (2015)
  • С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП 41, 641 (2007)
  • D. Pandey, S. Lele, P. Krishna. Proc. R. Soc. Lond. A 369, 463 (1980)
  • G. Henkelman, B.P. Uberuaga, H. Jonsson. J. Chem. Phys. 113, 9901 (2000)
  • K.J. Caspersen, E.A. Carter. PNAS 102, 6738 (2005)
  • A.V. Osipov. J. Phys. D 28 1670 (1995)
  • A.V. Osipov. Thin Solid Films 261, 173 (1995)
  • J.G. Lee. Computational Materials Science. An introduction. CRS Press, Taylor \& Francis Group, Roca Baton (2017). 351 p
  • D.S. Sholl, J.A. Steckel. Density functional theory. A practical introduction. J. Wiley \& Sons, Hoboken (2009). 238 p
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini et al. J. Phys.: Condens. Mater. 21, 395502 (2009)
  • J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)
  • P. Atkins, J. de Paula. Atkins' Physical Chemistry. Univ. Press, Oxford (2006). 1067 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.