Вышедшие номера
Микроскопическое описание механизма перехода между политипами 2H и 4H карбида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063783419030181
Кукушкин С.А.1,2,3, Осипов А.В.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 20 сентября 2018 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2019 г.

Ab initio методами изучен механизм перемещения одного плотноупакованного слоя SiC из одного положения минимума в другое на примере политипного перехода SiC 2H->4H. Показано, что промежуточное состояние с моноклинной симметрией Cm сильно облегчает такое перемещение, разбивая его на две стадии. Вначале перемещается в основном атом Si, лишь затем в основном атом C. При этом связь Si-C заметно наклоняется по сравнению с исходным положением, что позволяет уменьшить сжатие связей SiC в плоскости (1120). Рассчитаны два переходных состояния этого процесса, они также обладают симметрией Cm. Найдено, что высота активационного барьера процесса перемещения плотноупакованного слоя SiC из одного положения в другое равна 1.8 eV. Рассчитан энергетический профиль данного перемещения. Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (грант N 14-12-01102). Работа выполнена при использовании оборудования Уникального стенда (УНО) Физика, химия и механика кристаллов и тонких пленок" ФГУП ИПМаш РАН.
  1. S. Wipperman, Y. He, M. Voros, G. Galli. Appl. Phys. Rev. 3, 040807 (2016)
  2. Е.А. Беленков, В.А. Грешняков. ФТТ 55, 1640 (2013)
  3. M.T. Sebastian, P. Krishna. Random, non-random and periodic faulting in crystals. Routledge. Taylor \& Francis Group, London-N. Y. (2014). 383 p
  4. J. Fan, P.K. Chu. Silicon Carbide Nanostructures. Fabrication, Structure, and Properties. Springer, Cham (2014). 330 p
  5. R.A. Minamisawa, A. Mihaila, I. Farkas, V.S. Teodorescu, V.V. Afanas'ev, C.-W. Hsu, E. Janzen, M. Rahimo. Appl. Phys. Lett. 108 143502 (2016)
  6. T. Tagai, S. Sueno, R. Sadanaga. Mineral. J. 6,  340 (1971)
  7. J.A. Powell, H.A. Will. J. Appl. Phys. 43, 1400 (1972)
  8. N.W. Jepps, T.F. Page. Prog. Cryst. Growth Charact. 7, 259 (1983)
  9. А.А. Лебедев, С.Ю. Давыдов, Л.М. Сорокин, Л.В. Шахов. Письма в ЖТФ 41, 23, 89 (2015)
  10. С.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев. ФТП 41, 641 (2007)
  11. D. Pandey, S. Lele, P. Krishna. Proc. R. Soc. Lond. A 369, 463 (1980)
  12. G. Henkelman, B.P. Uberuaga, H. Jonsson. J. Chem. Phys. 113, 9901 (2000)
  13. K.J. Caspersen, E.A. Carter. PNAS 102, 6738 (2005)
  14. A.V. Osipov. J. Phys. D 28 1670 (1995)
  15. A.V. Osipov. Thin Solid Films 261, 173 (1995)
  16. J.G. Lee. Computational Materials Science. An introduction. CRS Press, Taylor \& Francis Group, Roca Baton (2017). 351 p
  17. D.S. Sholl, J.A. Steckel. Density functional theory. A practical introduction. J. Wiley \& Sons, Hoboken (2009). 238 p
  18. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini et al. J. Phys.: Condens. Mater. 21, 395502 (2009)
  19. J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)
  20. P. Atkins, J. de Paula. Atkins' Physical Chemistry. Univ. Press, Oxford (2006). 1067 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.