Издателям
Вышедшие номера
Размерный эффект в нанокомпозитах на основе молекулярного сегнетоэлектрика бромида диизопропиламмония
Переводная версия: 10.1134/S1063783419020057
Барышников C.B.1,2, Милинский А.Ю.1, Чарная E.B.3, Егорова И.В.1
1Благовещенский государственный педагогический университет, Благовещенск, Россия
2Амурский государственный университет, Благовещенск, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: svbar2003@list.ru
Поступила в редакцию: 25 июня 2018 г.
Выставление онлайн: 20 января 2019 г.

Представлены результаты исследований диэлектрических свойств нанокомпозитов на основе оксидных пленок Al2O3 с диаметром пор 330 и 60 nm с введенными в поры частицами органического сегнетоэлектрика бромида диизопропиламмония (C6H16BrN, DIPAB), проведенных с целью выявления размерных зависимостей параметров фазового перехода. Обнаружено смещение фазового перехода к низким температурам и размытие перехода, которые становятся более значительными для пор меньшего размера. Для нанокомпозитов наблюдалось также уширение температурного гистерезиса диэлектрической проницаемости при фазовом переходе. Понижение температуры фазового перехода в нанокомпозитах с наночастицами DIPAB согласуется с теоретическими моделями влияния размерных эффектов на структурный фазовый переход.
  • А.И. Китайгородский. Молекулярные кристаллы. Наука, M. (1971). 424 с
  • M. Owczarek, K.A. Hujsak, D.P. Ferris, A. Prokofjevs, I. Mayerz, P. Szkalarz, H. Zhang, A.A. Sarjean, C.L. Stern, R. Jakubas, S. Hong, V.P. Dravid, J.F. Stoddart. Nature Commun. 7, 13108 (2016)
  • S. Horiuchi, Y. Tokura. Nature Mater. 7, 357 (2008)
  • D.-W. Fu, W. Zhang, H.-L. Cai, J.-Z. Ge, Y. Zhang, R.-G. Xiong. Adv. Mater. 23, 5658 (2011)
  • D.-W. Fu, H.-L. Cai, Y. Liu, Q. Ye, W. Zhang, Y. Zhang, X.-Y. Chen, G. Giovannetti, M. Capone, J. Li, R.-G. Xiong. Science 339, 425 (2013)
  • R.K. Saripalli, D. Swain, S. Prasad, H. Nhalil, H.L. Bhat, T.N.G. Row, S. Elizabeth. J. Appl. Phys. 121, 114101 (2017)
  • A. Piecha-Bisiorek, A. G agor, D. Isakov, P. Zieli nski, M. Ga azka, R. Jakubas. Inorg. Chem. Front. 4, 553 (2017)
  • E. Kabir, M. Khatun, T. Ghosh, M.J. Raihan, M. Rahman. AIP Conf. Proc. 1942, 040006 (2018)
  • Nanoscale ferroelectrics and multiferroics: key processing and characterization issues, and nanoscale effects / Eds M. Alguero, J.M. Gregg, L. Mitoseriu. John Wiley \& Sons, Chichester, UK (2016)
  • J.F. Scott, F.D. Morrison, M. Miyake, P. Zubko. Ferroelectrics 336, 237 (2006)
  • S.V. Baryshnikov, E.V. Charnaya, A.Yu. Milinskiy, V.A. Parfenov, I.V. Egorova. Phase Transitions 91, 293 (2018)
  • C. Thirmal, P.P. Biswas, Y.J. Shin, T.W. Noh, N.V. Giridharan, A. Venimadhav, P. Murugavel. J. Appl. Phys. 120, 124107 (2016)
  • A. Piecha, A. G agor, R. Jakubasa, P. Szklarz. Cryst. Eng. Commun. 15, 940 (2013)
  • Y. Li, K. Li, J. He. Chem. Phys. Lett. 689, 174 (2017)
  • H. Yadav, N. Sinha, S. Goel, A. Hussain, B. Kumar. J. Appl. Cryst. 49, 2053 (2016)
  • K.W. Wagner. Die Isolierstoffe der Elektrotechnik. Springer, Berlin (1924)
  • D. Yadlovker, S. Berger. Phys. Rev. B 71, 184112 (2005)
  • S.V. Baryshnikov, E.V. Charnaya, E.V. Stukova, A.Yu. Milinskiy, C. Tien. Ferroelectrics 396, 3 (2010)
  • С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Е.В. Стукова, А.Ю. Милинский, C. Tien. ФТТ 52, 1347 (2010)
  • C. Tien, E.V. Charnaya, D.Yu. Podorozhkin, M.K. Lee, S.V. Baryshnikov. Phys. Status Solidi B 246, 2346 (2009)
  • W.L. Zhong, Y.G. Wang, P.L. Zhang, B.D. Qu. Phys. Rev. B 50, 698 (1994)
  • C.L. Wang, Y. Xin, X.S. Wang, W.L. Zhong. Phys. Rev. B 62, 11423 (2000)
  • P. Sedykh, D. Michel. Phys. Rev. B 79, 134119 (2009)
  • X.Y. Lang, Q. Jiang. J. Nanoparticle Res. 9, 595 (2007)
  • A.V. Uskov, E.V. Charnaya, A.L. Pirozerskii, A.S. Bugaev. Ferroelectrics 482, 70 (2015)
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. Мир, M. (1981). 736 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.