Вышедшие номера
Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой
Переводная версия: 10.1134/S1063783418120107
Бутко А.В.1, Бутко В.Ю.1,2, Лебедев С.П.3, Лебедев А.А.1, Кумзеров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2018 г.

Для создания ряда новых электронных устройств на основе графена, включая химические и биологические сенсоры, важное значение имеет установление закономерностей влияния интерфейса на электрические свойства графена. В данной работе созданы и исследованы структуры для транзисторных и четырех контактных электрических измерений на основе однослойного графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния в атмосфере аргона. Изучалось влияние на электрические свойства графена добавления воды на его поверхность и обратного процесса ее высушивания. Установлено, что в исследуемых структурах полевой эффект является основным механизмом влияния формирования интерфейса графена с водой на его электрические свойства. Часть финансирования для проведения исследований предоставлена Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербургским академическим университетом и Комитетом по науке и высшей школе правительства Санкт-Петербурга.
  1. P.K. Ang, W. Chen, A.T.S. Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 14392 (2008)
  2. H. Wang, Y.H. Wu, C.X. Cong, J.Z. Shang, T. Yu. ACS Nano 4, 7221(2010)
  3. S.S. Kwon, J. Yi, W.W. Lee, J.H. Shin, S.H. Kim, S.H. Cho, S.W. Nam, W.I. Park. ACS Appl. Mater. Interfaces 8, 834 (2016)
  4. А.В. Бутко, В.Ю. Бутко, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Ю.А. Кумзеров. ФТТ 59, 2063 (2017)
  5. А.В. Бутко, В.Ю. Бутко, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Ю.А. Кумзеров. ФТТ 58, 1432 (2016)
  6. A.V. Butko, V.Y. Butko, S.P. Lebedev, A.A. Lebedev, V.Y. Davydov, A.N. Smirnov, I.A. Eliseyev, M.S. Dunaevskiy, Y.A. Kumzerov. Appl. Surf. Sci. 444, 36 (2018)
  7. А.В. Бутко, В.Ю. Бутко. ФТТ 57, 1031 (2015)
  8. A.V. Babichev, S.A. Rykov, M. Tchernycheva, A.N. Smirnov, V.Y. Davydov, Y.A. Kumzerov, V.Y. Butko. ACS Appl. Mater. Interfaces. 8, 240 (2015)
  9. Y.Y. Wang, P.J. Burke. Appl. Phys. Lett. 103, 052103 (2013)
  10. M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.-S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 7540 (2015)
  11. Y. Zhu, C. Wang, N. Petrone, J. Yu, C. Nuckolls, J. Hone, Q. Lin. Appl. Phys. Lett. 106, 123503 (2015)
  12. Z. Cheng, Q. Li, Z. Li, Q. Zhou, Y. Fang. Nano Lett. 10, 1864 (2010)
  13. T.A. Petach, K.V. Reich, X. Zhang, K. Watanabe, T. Taniguchi, B.I. Shklovskii, D. Goldhaber-Gordon. ACS Nano 11, 8395 (2017)
  14. V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
  15. V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.