Вышедшие номера
Высокотемпературная лазерная генерация квантово-каскадных лазеров в спектральной области 8 mum
Переводная версия: 10.1134/S1063783418110057
Министерство образования и науки Российской Федерации, RFMEFI61617X0074
Дюделев В.В.1,2, Лосев С.Н.1, Мыльников В.Ю.1, Бабичев А.В.1, Когновицкая Е.А.3, Слипченко С.О.1, Лютецкий А.В.1, Пихтин Н.А.1, Гладышев А.Г.4, Карачинский Л.Я.2,4, Новиков И.И.2,4, Егоров А.Ю.2, Кучинский В.И.1, Соколовский Г.С.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Email: gs@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2018 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2018 г.

Представлены исследования характеристик квантово-каскадных лазеров с длиной волны генерации в области 8 mum при высоких температурах вплоть до +65oC. Определены характеристические температуры температурных зависимостей величины порогового тока и дифференциальной эффективности. Спектральные исследования показали наличие двух линий генерации коротковолновая ~7800 nm и длинноволновая ~8100 nm. Наблюдаемая конкуренция между коротковолновой и длинноволновой линиями генерации приводит к немонотонному характеру зависимости интенсивности излучения от тока накачки. Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации (уникальный идентификатор проекта RFMEFI61617X0074).
  1. R.F. Curl, F. Capasso, C. Gmachl, A.A. Kosterev, B. Mc Manus, R. Lewicki, H. Pusharsky, G. Wysocki, F. Tittel. Chem. Phys. Lett. 487, 1-3, 1 (2010). DOI: 10.1016/j.cplett.2009.12.073
  2. F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, A. Tredicucci, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, J.N. Baillargeon, A.Y. Cho, H.C. Liu. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 6, 6, 931 (2000). DOI: 10.1109/2944.902142
  3. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Science 264, 5158, 553 (1994). DOI: 10.1126/science.264.5158.553
  4. S. Slivken, A. Evans, J. David, M. Razeghi. Appl. Phys. Lett. 81, 23, 4321 (2002). DOI: 10.1063/1.1526462
  5. C. Faugeras, S. Forget, E. Boer-Duchemin, H. Page, J.-Y. Bengloan, O. Parillaud, M. Calligaro, C. Sirtori. IEEE J. Quant. Electron. 41, 12, 1430 (2005). DOI: 10.1109/JQE.2005.858797
  6. J.S. Yu, S. Slivken, M. Razeghi. Semicond. Sci. Technol. 25, 125015 (2010). DOI: 10.1088./0268-1242/25/12/125015
  7. J.S. Yu, S. Slivken, A. Evans, M. Razeghi. Appl. Phys. A 93, 405 (2008). DOI: 10.1007/s00339-008-4783-9.
  8. J.C. Zhang, F.Q. Liu, L.J. Wang, S.Q. Zhai, D.Y. Yao, J.Q. Liu, Z.G. Wang. Physica E 48, 42-45 (2013). DOI: 10.1016/j.physe.2012.11.014
  9. J.D. Rirch, C.-C. Chang, C. Boile, L.J. Mawst, D. Lindberg, T. Earles, D. Botez. Appl. Phys. Lett. 106, 12, 151106 (2015). DOI: 10.1063/1.4917499
  10. S.M.S. Rassel, L. Li, Y. Li, R.Q. Yang, J.A. Gupta, X. Wu, G.C. Aers. Opt. Eng. 57, 1, 011021 (2018). DOI: 10.1117/1.QE.57.1.011021
  11. A.V. Babichev, A.G. Gladyshev, A.V. Filimonov, V.N. Nevedomskii, A.S. Kurochkin, E.S. Kolodeznyi, G.S. Sokolovskii, V.E. Bugrov, L.Ya. Karachinsky, I.I. Novikov, A. Bousseksou, A.Yu. Egorov. Tech. Phys. Lett. 43, 7, 666 (2017). DOI:10.1134/S1063785017070173
  12. G. Xu, V. Moreau, Y. Chassagneux, A. Bousseksou, R. Colombelli, G. Patriarche, G. Beaudoin, I. Sagnes. Appl. Phys. Lett. 94, 221101 (2009). DOI: 10.1063/1.3143652
  13. K. Fujita, M. Hitaka, A. Ito, T. Edamura, M. Yamanishi, S. Jung, M.A. Belkin. Appl. Phys. Lett. 106, 251104 (2015). DOI: 10.1063/1.4923203

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.