Вышедшие номера
Новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC: ab initio расчеты, симметрийный анализ и рамановские спектры
Переводная версия: 10.1134/S1063783418100116
Китаев Ю.Э.1, Кукушкин С.А.1,2,3,4, Осипов А.В.2,3, Редьков А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Исследована новая тригональная (ромбоэдрическая) фаза SiC, существование которой было ранее теоретически предсказано путем симметрийного анализа. Показано, что фаза может образовываться в процессе роста пленок SiC методом замещения атомов на поверхности подложки Si. Проведены ab initio расчеты кристаллической структуры новой фазы и ее рамановских спектров методом квантовой химии. Установлено отличие правил отбора раман-активных колебаний для этой ромбоэдрической фазы от правил отбора кубической фазы в системе координат, совмещенной с векторами трансляций ромбоэдрической фазы. Синтезированы серии по времени отжига тонких пленок SiC/Si методом топохимического замещения атомов, и проанализированы их рамановские спектры. В рамановских спектрах образцов на начальном этапе роста пленки SiC обнаружено присутствие спектральной линии (258 cm-1), которая близка к расчитанной ab initio методом линии новой тригональной (ромбоэдрической) фазы, что косвенно подтверждает ее наличие. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и А.В. Редьков благодарят за финансовую поддержку (Ю.Э. Китаев - за частичную финансовую поддержку) РФФИ (грант N 16-29-03149-офи-м).
  1. S. Strite, H. Morko. J. Vac. Sci. Technol. B  10, 1237 (1992)
  2. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, V.N. Bessolov, B.K. Medvedev, V.K. Nevolin, K.A. Tcarik. Rev. Adv. Mater. Sci. 17, 1 (2008)
  3. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.Ф. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
  5. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  6. Ю.Э. Китаев, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 30 (2017)
  7. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. de Gironcoli, S. Fabris, G. Fratesi, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch.  J. Phys.: Condtns. Matter. 21, 395502 (2009)
  8. J.P. Perdew, G.I. Ruzsinszky, G.I. Csonka, O.A. Vydrov, G.E. Scuseria, L.A. Constantin, X. Zhou, K. Burke. Phys. Rev. Lett. 100, 136406 (2008)
  9. J.F. Vetelino, S.S. Mitra. Phys. Rev. 178, 1349 (1969)
  10. D.W. Feldman, J.H. Parker Jr., W.J. Choyke, L. Patrick. Phys. Rev. 173, 787 (1968)
  11. M.I. Aroyo, J.M. Perez-Mato, C. Capillas, E. Kroumova, S. Ivantchev, G. Madariaga, A. Kirov, H. Wondratschek. Z. Krist.  221, 15 (2006)
  12. M.I. Aroyo, A. Kirov, C. Capillas, J.M. Perez-Mato, H. Wondratschek. Acta Crystallogr. A 62, 115 (2006)
  13. M.I. Aroyo, J.M. Perez-Mato, D. Orobengoa, E. Tasci, G. de la Flor, A. Kirov. Bulg. Chem. Commun.  43, 183 (2011). 
  14. J. Estel, J. Kalus, L. Pintschovius. Phys. Status Solidi A 126, 121 (1984)
  15. F. Cerdeira, C.J. Buchenauer, F.H. Pollak, M. Cardona. Phys. Rev. B 5, 580 (1972)
  16. И.П. Калинкин, С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 52, 656 (2018)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.