Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Эволюция проводимости и катодолюминесценции пленок оксида гафния при изменении концентрации вакансий кислорода

DOI: 10.21883/FTT.2018.10.46532.114

Переводная версия: 10.1134/S1063783418100098

Российский научный фонд, 16-19-00002

Исламов Д.Р.

^1,2, Гриценко В.А.

^1,2,3, Кручинин В.Н.

¹, Иванова Е.В.

⁴, Заморянская М.В.

⁴, Лебедев М.С. ⁵

¹Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Rzhanov Institute of Semiconductor Physics, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

²Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State University, Novosibirsk, Russia

³Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия Novosibirsk State Technical University, Novosibirsk, Russia

⁴Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

⁵Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН, Новосибирск, Россия Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Nikolaev Institute of Inorganic Chemistry, Siberian Branch, Russian Academy of Sciences, Novosibirsk, Russia

Email: damir@isp.nsc.ru, grits@isp.nsc.ru, kruch@isp.nsc.ru, Ivanova@mail.ioffe.ru, zam@mail.ioffe.ru, lebedev@niic.nsc.ru

Поступила в редакцию: 23 апреля 2018 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

PDF версия

Изучена зависимость проводимости пленок оксида гафния HfO₂, синтезированных в разных режимах. В зависимости от режимов синтеза проводимость HfO₂ при фиксированном электрическом поле 1.0 MV/cm изменяется на четыре порядка. Установлено, что проводимость HfO₂ лимитируется моделью фонон-облегченного туннелирования между ловушками. Определены термическая W_t=1.25 eV и оптическая W_opt=2.5 eV энергии ловушек в HfO₂. Установлено, что экспоненциально сильный разброс проводимости HfO₂ обусловлен изменением концентрации ловушек в диапазоне 4·10¹⁹-2.5·10²² cm^-3. В спектрах катодолюминесценции HfO₂ наблюдается голубая полоса с энергией 2.7 eV, обусловленная вакансиями кислорода. Обнаружена корреляция между концентрацией ловушек и интенсивностью катодолюминесценции, а также между концентрацией ловушек и показателем преломления. Предложен неразрушающий in situ метод определения концентрации ловушек оксида гафния с помощью измерения показателя преломления. Выявлены оптимальные значения концентраций вакансий кислорода для излучающих приборов на основе пленок HfO₂. Работа выполнена при частичной поддержке Российского научного фонда, грант N 16-19-00002.

J. Robertson. Rep. Prog. Phys. 69, 327 (2006)
Т.В. Перевалов, В.А. Гриценко. УФН 180, 587 (2010)
T. Ando, U. Kwon, S. Krishnan, M.M. Frank, V. Narayan. High-k Oxides on Si: MOSFET Gate Dielectrics, in Thin Films on Silicon, Electronic and Photonic Applications / Ed. V. Narayanan, M.M. Frank, A. Demkov. Word Scientific, Singapore (2016). P. 323--402
H. Zhu, J.E. Bonevich, H. Li, C.A. Richter, H. Yuan, O. Kirillov, Q. Li. Appl. Phys. Lett. 104, 233504 (2014)
В.А. Гриценко, Д.Р. Исламов. Физика диэлектрических пленок: механизмы транспорта заряда флэш и физические основы приборов памяти. Параллель, Новосибирск (2017). 352 с
G. Bersuker, D.C. Gilmer, D. Veksler, P. Kirsch, L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, K. McKenna, A. Shluger, V. Iglesias, M. Porti, M. Nafria. J. Appl. Phys. 110, 24518 (2011)
S. Balatti, S. Larentis, D.C. Gilmer, D. Ielmini. Adv. Mater. 25, 1474 (2013)
A.A. Chernov, D.R. Islamov, A.A. Pik'nik, T.V. Perevalov, V.A. Gritsenko. ECS Trans. 75, 95 (2017)
T.V. Perevalov, D.R. Islamov. ECS Trans. 80, 357 (2017)
D.R. Islamov, V.A. Gritsenko, C.H. Cheng, A. Chin. Appl. Phys. Lett. 105, 222901 (2014)
V.A. Gritsenko, T.V. Perevalov, D.R. Islamov. Phys Rep. 613, 1 (2016)
К.А. Насыров, В.А. Гриценко. ЖЭТФ 139, 1172 (2011)
К.А. Насыров, В.А. Гриценко. УФН 183, 1099 (2013)
Д.Р. Исламов, В.А. Гриценко, А. Чин. Автометрия 53, 102 (2017)
T.V. Perevalov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.A. Saraev, V.V. Kaichev, E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya. Appl. Phys. Lett. 104, 071904 (2014).
E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, V.A. Pustovarov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.P. Yelisseyev. ЖЭТФ 147, 820 (2015) [E.V. Ivanova, M.V. Zamoryanskaya, V.A. Pustovarov, V.Sh. Aliev, V.A. Gritsenko, A.P. Yelisseyev. JETP 120, 710 (2015)]
V. Gritsenko, D. Islamov, T. Perevalov, V. Aliev, A. Yelisseyev, E. Lomanova, V. Pustovarov, A. Chin. J. Phys. Chem. C 120,19980 (2016)
K. Kukli, M. Ritala, T. Sajavaara, J. Keinonen, M. Leskela. Chem. Vap. Depos. 8, 199 (2002)
C. Liu, Y.M. Zhang, Y.M. Zhang, H.L. Lv. J. Appl. Phys. 116, 222207 (2014)
J. Gope, Vandana, N. Batra, J. Panigrahi, R. Singh, K.K. Maurya, R. Srivastava, P.K. Singh. Appl. Surf. Sci. 357, 635 (2015)
В.А. Швец, В.Н. Кручинин, В.А. Гриценко. Оптика и спектроскопия 123, 728 (2017)
М.В. Заморянская, С.Г. Конников, А.Н. Заморянский. ПТЭ 4, 1 (2004)
M.-T. Ho, Y. Wang, R.T. Brewer, L.S. Wielunski, Y.J. Chabal. Appl. Phys. Lett. 87, 133103 (2005)
K.N. Orekhova, R. Tomala, D. Hreniak, W. Strek, M.V. Zamoryanskaya. Opt. Mater. 74, 170 (2017)
М.В. Заморянская, А.Н. Трофимов, Оптика и спектроскопия 114, 5 (2013)
А.Н. Трофимов, М.В. Заморянская. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 1, 18 (2009) [A.N. Trofimov, M.V. Zamoryanskaya. J. Surface Investigation: X-ray, Synchrotron Neutron Techn. 3, 15 (2009)].

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель