Вышедшие номера
Сверхпроводящие свойства In, наноструктурированного в порах тонких пленок из микросфер SiO2
Переводная версия: 10.1134/S1063783418100207
Михайлин Н.Ю.1, Романов С.Г.1, Кумзеров Ю.А.1, Фокин А.В.1, Шамшур Д.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mikhailin.nik@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 апреля 2018 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2018 г.

Впервые получены образцы сверхпроводящего индиевого нанокомпозита на основе тонкопленочной пористой диэлектрической матрицы, приготовленной методом Лэнгмюра-Блоджетт, изучены их низкотемпературные электрофизические и магнитные свойства. Пленки толщиной b≤5 mum изготавливались из сфер оксида кремния диаметром D=200 nm и 250 nm, индий вводился в поры пленок из расплава под давлением P≤5 kbar. Таким образом в порах создавалась трехмерная слабоупорядоченная структура наногранул индия, образующая сплошную токопроводящую сеть. Измерения температурных и магнитополевых зависимостей сопротивления и магнитного момента образцов показали рост критических параметров сверхпроводящего состояния наноструктурированного индия (критическая температура Tc≤3.62 K и критическое магнитное поле Hc при T=0 K Hс(0)≤1700 Oe) относительно массивного материала (Tc=3.41 K, Hc(0)=280 Oe). В зависимостях сопротивления от температуры и магнитного поля наблюдался ступенчатый переход в сверхпроводящее состояние, связанный со структурой нанокомпозита. В зависимости магнитного момента M нанокомпозита от магнитного поля при T<Tc наблюдается ярко выраженный гистерезис M(H), обусловленный многосвязной структурой токопроводящей индиевой сетки. Полученные результаты интерпретированы с учетом размерной зависимости сверхпроводящих характеристик нанокомпозита. Работа частично выполнена при поддержке Программы Президиума РАН N 1.4  "Актуальные проблемы физики низких температур".