Впервые получены образцы сверхпроводящего индиевого нанокомпозита на основе тонкопленочной пористой диэлектрической матрицы, приготовленной методом Лэнгмюра-Блоджетт, изучены их низкотемпературные электрофизические и магнитные свойства. Пленки толщиной b≤5 mum изготавливались из сфер оксида кремния диаметром D=200 nm и 250 nm, индий вводился в поры пленок из расплава под давлением P≤5 kbar. Таким образом в порах создавалась трехмерная слабоупорядоченная структура наногранул индия, образующая сплошную токопроводящую сеть. Измерения температурных и магнитополевых зависимостей сопротивления и магнитного момента образцов показали рост критических параметров сверхпроводящего состояния наноструктурированного индия (критическая температура T_c≤3.62 K и критическое магнитное поле H_c при T=0 K H_с(0)≤1700 Oe) относительно массивного материала (T_c=3.41 K, H_c(0)=280 Oe). В зависимостях сопротивления от температуры и магнитного поля наблюдался ступенчатый переход в сверхпроводящее состояние, связанный со структурой нанокомпозита. В зависимости магнитного момента M нанокомпозита от магнитного поля при T<T_c наблюдается ярко выраженный гистерезис M(H), обусловленный многосвязной структурой токопроводящей индиевой сетки. Полученные результаты интерпретированы с учетом размерной зависимости сверхпроводящих характеристик нанокомпозита. Работа частично выполнена при поддержке Программы Президиума РАН N 1.4  "Актуальные проблемы физики низких температур".

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.