Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние материала подложки на структуру и электрофизические свойства тонких пленок BaxSr1-xTiO3
Переводная версия: 10.1134/S1063783418050025 
РФФИ, конкурс проектов фундаментальных научных исследований , 16-07-00665
РФФИ, конкурс проектов фундаментальных научных исследований , 16-07-00666
Президиум РАН, Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий
Афанасьев М.С.
1, Киселев Д.А.
1,2, Левашов С.А.
1, Лузанов В.А.
1, Нарышкина В.Г.
1, Сивов А.А.1, Чучева Г.В.
1, Набиев А.Э.3
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия 
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Email: michaela2005@yandex.ru, dm.kiselev@gmail.com, 3d12898@mail.ru, valery@fireras.su, gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 8 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2018 г.
Методом высокочастотного распыления получены тонкие пленки BaxSr1-xTiO3 на (111)Pt/(100)Si и SiOx/(100)Si подложках. Установлено, что синтезированные пленки однофазны, обладают поликристаллической структурой. Показано, что подслой платины оказывает влияние на значения шероховатости, средний размер зерен и величину локальной поляризации в тонких пленках BaxSr1-xTiO3. Обсуждаются возможные механизмы полученных результатов, связанных с проводимостью межзеренных границ и природой взаимодействия сегнетоэлектрической пленки с подложкой. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке РФФИ (гранты N 16-07-00665 и 16-07-00666) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН Наноструктуры: физика, химия, биология, основы технологий".
- S. Kawashima, J.S. Cross. In: Embedded Memories for Nano-Scale VLSIs. / Ed. K. Zhang. Springer Science--Business Media Inc, N. Y. (2009). Р. 279
- К.А. Воротилов, В.М. Мухортов, А.С. Сигов. Интегрированные сегнетоэлектрические устройства. Монография / Под ред. А.С. Сигова. Энергоатомиз, М. (2011). 175 с
- A. Queralto, A. Perez del Pino, M. de la Mata, J. Arbiol, M. Tristany, A. Gomez, X. Obradors, T. Puig. Appl. Phys. Lett. 106, 262903 (2015)
- A.N. Kuskova, R.V. Gainutdinov, O.M. Zhigalina. J. Surf. Investigation: X-ray, Synchrotron Neutron Techniques 8, 4, 761 (2014)
- X.B. Yan, X.L. Jia, T. Yang, J.H. Zhao, Y.C. Li, Z.Y. Zhou, Y.Y. Zhang. Phys. Lett. A 380, 42, 3509 (2016)
- М.С. Афанасьев, М.С. Иванов. ФТТ 51, 1259 (2009)
- M.S. Afanas'ev, G.V. Chucheva, A.E. Nabiev. Phys. Solid State 57, 7, 1377 (2015)
- Е.И. Гольдман, С.А. Левашов, В.Г. Нарышкина, Г.В. Чучева. ФТП 51, 9, 1185 (2017)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
