Вышедшие номера
Распределение интенсивности трехволновой дифракции от дислокационных эпитаксиальных слоев в обратном пространстве
Переводная версия: 10.1134/S1063783418040182
Кютт Р.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: r.kyutt@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 3 ноября 2017 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2018 г.

Экспериментально иссследована трехволновая дифракция рентгеновских лучей в сильнонарушенных эпитаксиальных слоях GaN и ZnO. Построены карты распределения интенсивности в обратном пространстве в координатах qtheta и qvarphi для наиболее интенсивной трехволновой комбинации (1010)/(1011) путем последовательных theta и varphi-сканирования. Обнаружена нетривиальная форма theta-сечений этих контуров вдали от varphi-центра отражения, неодинаковая для разных образцов. Для theta-кривых в центре отражения наблюдается единый пик, аппроксимируемый функцией Войта со степенным спадом интенсивности на крыльях, при этом закон спаданий (-4.5 - -5.0) заметно больше, чем для аналогичнх кривых двухволновой дифракции, и не зависит от плотности и распределения дислокаций в слоях. В некоторых пленках имеет место крупноблочная структура, при этом из распределения в обратном пространстве следует, что эти блоки развернуты друг относительно друга вокруг нормали к поверхности, что заставляет предположить между ними малоугловые границы, состоящие исключительно из краевых дислокаций. Работа выполненаа при частичной поддержке гранта РФФИ N 16-02-00702. DOI: 10.21883/FTT.2018.04.45676.311