Издателям
Вышедшие номера
Исследование фазовых переходов сегнетоэлектрика KIO3 в нанопористых матрицах на основе пленок Al2O3
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030198
Милинский А.Ю.1, Барышников С.В.1,2
1Благовещенский государственный педагогический университет, Благовещенск, Россия
2Амурский государственный университет, Благовещенск, Россия
Email: a.milinskiy@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Исследованы температурные зависимости линейной диэлектрической проницаемости varepsilon' и амплитуды третьей гармоники gamma3omega композиционных материалов, полученных путем внедрения сегнетоэлектрика KIO3 в матрицы пористого оксида алюминия Al2O3 с размерами пор 240 nm. Обнаружено понижение температуры структурных переходов IVIII и IIIII для иодата калия в порах Al2O3 относительно объемного KIO3 на 5 и 24 K соответственно. По данным измерений диэлектрических свойств фазовые переходы VIV и III в композитных образцах обнаружены не были. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45559.273
  • Y. Kumzerov, S. Vakhrushev. In: Encyclopedia of nanoscience and Nanotechnology / Ed. H.S. Nalwa American Sci. Publ., 2004. V. 7. P. 811
  • J.M. Wesselinowa, T. Michael, S. Trimper. In: Handbook of nanophysics: nanoparticles and quantum dots / Ed. K.D. Sattler. CRC Press, 2010. P. 3--1
  • D. Yadlovker, S. Berger. Phys. Rev. B 71, 184112 (2005)
  • С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Cheng Tien, D. Michel, Н.П. Андриянова, Е.В. Стукова. ФТТ 49, 751 (2007)
  • Ch.R. Martin. Science 266, 1961 (1994)
  • M. Steinhart, Ch. Liang, G.W. Lynn, U. Gsele, Sh. Dai. Chem. Mater 19, 2383 (2007)
  • О.В. Рогазинская, С.Д. Миловидова, А.С. Сидоркин, В.В. Чернышев, Н.Г. Бабичева. ФТТ 51, 1430 (2009)
  • S.V. Baryshnikov, E.V. Stukova, A.Yu. Milinskiy, E.V. Charnaya, C. Tien. Ferroelectrics 396, 3 (2010)
  • О.М. Голицына, С.Н. Дрождин, В.Н. Нечаев, А.В. Висковатых, В.М. Кашкаров, А.Е. Гриднев, В.В. Чернышев. ФТТ 55, 479 (2013)
  • Ch. Tien, E.V. Charnaya, M.K. Lee, S.V. Baryshnikov. Phys. Status Solidi В 246, 10 (2009)
  • А.Ю. Милинский, С.В. Барышников, А.А. Антонов. ФТТ 59, 1759 (2017)
  • M. Maeda, M. Takagi, I. Suzuki. J. Phys. Soc. Jpn. 69, 267 (2000)
  • M.M. Abdel Kader, F. El-Kabbany, H.M. Naguib, W.M. Gamal. Phase Trans. 81, 29 (2008)
  • G.R. Crane J. Appl. Cryst. 5, 360 (1972)
  • M.H. Brooker, J.G. Shapter. J. Phys. Chem. Solids 50, 1087 (1989)
  • N.R. Ivanov, L.A. Shuvalov, O.A. Chikgladze. Phys. Lett 45A, 437 (1973)
  • S. Ikeda, H. Kominami, K. Koyama, I. Wada. J. Appl. Phys. 62, 3339 (1987)
  • S.V. Baryshnikov, E.V. Charnaya, A.Yu. Milinskiy, E.V. Stukova, C. Tien, D. Michel. J. Phys.: Condens Matter. 21, 325902 (2009)
  • С.В. Барышников, Е.В. Чарная, Ю.А. Шацкая, А.Ю. Милинский, М.И. Самойлович, D. Michel, C. Tien. ФТТ 53, 1146 (2011)
  • С.В. Барышников, Е.В. Чарная, А.Ю. Милинский, Ю.А. Шацкая, D. Michel. ФТТ 54, 594 (2012)
  • Ю.А. Изюмов, В.Н. Сыромятников. Фазовые переходы и симметрия кристаллов. Наука, M. (1984). 245 с
  • А.Ю. Милинский, Е.В. Стукова. Изв. РАН. Сер. физ. 80, 1194 (2016)
  • W.L. Zhong, Y.G. Wang, P.L. Zhang, B.D. Qu. Phys. Rev. B 50, 698 (1994)
  • Y.G. Wang, W.L. Zhong, P.L. Zhang. Solid State Commun. 90, 329 (1994)
  • C.L. Wang, Y. Xin, X.S. Wang, W.L. Zhong. Phys. Rev. B 62, 11423 (2000)
  • P. Sedykh, D. Michel. Phys. Rev. B 79, 134119 (2009)
  • E.V. Charnaya, A.L. Pirozerskii, C. Tien, M.K. Lee. Ferroelectrics 350, 75 (2007)
  • А.Л. Пирозерский, Е.В. Чарная. ФТТ 52, 572 (2010)
  • М. Лайнс, А. Гласс. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / Пер. с англ. под ред. В.В. Леманова, Г.А. Смоленского. Мир, М. (1981). 736 с
  • В.И. Марченко. Письма в ЖЭТФ 33, 397 (1981)
  • V.A. Shchukin, D. Bimberg. Rev. Mod. Phys. 71, 1125 (1999)
  • A.N. Morozovska, M.D. Glinchuk, E.A. Eliseev. Phys. Rev. B 76, 014102 (2007)
  • A.N. Morozovska, E.A. Eliseev, M.D. Glinchuk. Physica B 387, 358 (2007)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.