Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030022
Антипов В.В.1,2, Кукушкин С.А.1,3,4, Осипов А.В.1,3, Рубец В.П.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии. Установлено, что оптимальная температура подложки в данном методе составляет 590oC, испарителя --- 660oC, время роста --- 2 s. Для того чтобы избежать стравливания кремния селеном с образованием аморфного SiSe2, на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Порошковая дифрактограмма и рамановский спектр однозначно соответствуют кубическому кристаллу селенида кадмия. Эллипсометрический, рамановский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя селенида кадмия и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102). DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45552.275
  • И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 311 с
  • В.В. Антипов С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 612 (2016)
  • В.В. Антипов С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 385 (2017)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. In: Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology. V. 8 / Ed. H.S. Nalwa. American Scientific Publ., Valencia (2004). P. 113
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Phys. Rev. B 65, 174101 (2002)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Surf. Sci. 329, 135 (1995)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Thin Solid Films. 227, 119 (1993)
  • V.G. Dubrovskii. Nucleation theory and growth of nanostructures. Springer, Berlin (2014). 601 p
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Р.С. Телятник. ФТТ 58, 941 (2016)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 1214 (2017)
  • Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма в ЖТФ 34, 88 (2008)
  • T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)
  • J.P. Perdew, Y. Wang. Phys. Rev. B 45, 13244 (1992)
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini et al. J. Phys.: Condens Matter. 21, 395502 (2009)
  • H.G. Tompkins, J.N. Hilfiker. Spectroscopic ellipsometry. Practical application to thin film characterization. Momentum Press, N. Y. (2016). 159 p
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.