Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост пленок селенида кадмия на кремнии с буферным слоем карбида кремния
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030022
Антипов В.В.1,2, Кукушкин С.А.1,3,4, Осипов А.В.1,3, Рубец В.П.2
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

Методом испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме впервые выращен эпитаксиальный кубический селенид кадмия толщиной 350 nm на кремнии. Установлено, что оптимальная температура подложки в данном методе составляет 590oC, испарителя --- 660oC, время роста --- 2 s. Для того чтобы избежать стравливания кремния селеном с образованием аморфного SiSe2, на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~ 100 nm. Порошковая дифрактограмма и рамановский спектр однозначно соответствуют кубическому кристаллу селенида кадмия. Эллипсометрический, рамановский и электронографический анализ показали высокое структурное совершенство слоя селенида кадмия и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102). DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45552.275
  1. И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 311 с
  2. В.В. Антипов С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 612 (2016)
  3. В.В. Антипов С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 385 (2017)
  4. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. In: Encyclopedia of nanoscience and nanotechnology. V. 8 / Ed. H.S. Nalwa. American Scientific Publ., Valencia (2004). P. 113
  5. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Phys. Rev. B 65, 174101 (2002)
  6. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Surf. Sci. 329, 135 (1995)
  7. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. Thin Solid Films. 227, 119 (1993)
  8. V.G. Dubrovskii. Nucleation theory and growth of nanostructures. Springer, Berlin (2014). 601 p
  9. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024909 (2013)
  10. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313001 (2014)
  11. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  13. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Р.С. Телятник. ФТТ 58, 941 (2016)
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 59, 1214 (2017)
  15. Л.М. Сорокин, Н.В. Веселов, М.П. Щеглов, А.Е. Калмыков, А.А. Ситникова, Н.А. Феоктистов, А.В. Осипов, С.А. Кукушкин. Письма в ЖТФ 34, 88 (2008)
  16. T.S. Perova, J. Wasyluk, S.A. Kukushkin, A.V. Osipov, N.A. Feoktistov, S.A. Grudinkin. Nanoscale Res. Lett. 5, 1507 (2010)
  17. J.P. Perdew, Y. Wang. Phys. Rev. B 45, 13244 (1992)
  18. P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini et al. J. Phys.: Condens Matter. 21, 395502 (2009)
  19. H.G. Tompkins, J.N. Hilfiker. Spectroscopic ellipsometry. Practical application to thin film characterization. Momentum Press, N. Y. (2016). 159 p
  20. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.