Издателям
Вышедшие номера
Термоэлектрические свойства ферромагнитного полупроводника на основе дираковского полуметалла Cd3As2 при высоком давлении
Переводная версия: 10.1134/S1063783418030174
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 16-02-00857-а
Мельникова Н.В. 1, Тебеньков А.В. 1, Суханова Г.В.1, Бабушкин А.Н. 1, Сайпулаева Л.А. 2, Захвалинский В.С. 3, Габибов С.Ф. 2, Алибеков А.Г. 2, Моллаев А.Ю. 2
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Институт естественных наук и математики, Екатеринбург, Россия
2Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3Белгородский государственный национальный исследовательский университет, Белгород, Россия
Email: nvm.melnikova@gmail.com, l.saypulaeva@gmail.com, zakhvalinskii@bsu.edu.ru, a.abdulabek@gmail.com, a.mollaev@mail.ru
Поступила в редакцию: 20 сентября 2017 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2018 г.

С целью установления наличия барических фазовых переходов в интервале от 10 GPa до 50 GPa в гранулированной структуре Cd3As2 + MnAs (MnAs --- 44.7%), состоящей из гранул ферромагнитного MnAs, помещенных в полупроводниковую матрицу Cd3As2, исследованы барические зависимости термоэдс, как одного из наиболее чувствительных к фазовым превращениям параметров. Исследования выполнены при финансовой поддержке гранта РФФИ N 16-02-00857. DOI: 10.21883/FTT.2018.03.45550.274
  • Z. Wang, H. Weng, Q. Wu, X. Dai, Z. Fang. Phys. Rev. B 88, 125427 (2013)
  • S. Borisenko, Q. Gibson, D. Evtushinsky, V. Zabolotnyy, B. Buchner, R.J. Cava. Phys. Rev. Lett. 113, 027603 (2014)
  • A.V. Galeeva, I.V. Krylov, K.A. Drozdov, A.F. Knjazev, A.V. Kochura, A.P. Kuzmenko, V.S. Zakhvalinskii, S.N. Danilov, L.I. Ryabova, D.R. Khokhlov. Bellstein J. Nanotechnol. 8, 167 (2017)
  • L. Aggarwal, A. Gaurav, G.S. Thakur, Z. Haque, A.K. Ganguli, G. Sheet. Nature Mater. 15, 32 (2016)
  • H. Wang, H. Wang, H. Liu, H. Lu, W. Yang, S. Jia, X.-J. Liu, X.C. Xie, J. Wei, J. Wang. Nature Mater. 15, 38 (2016)
  • L. He, Y. Jia, S. Zhang, X. Hong, C. Jin, S. Li. Quantum Mater. 1, 16014 (2016)
  • S. Zhang, Q. Wu, L. Schoop, M.N. Ali, Y. Shi, N. Ni, Q. Gibson, S. Jiang, V. Sidorov, W. Yi, J. Guo, Y. Zhou, D. Wu, P. Gao, D. Gu, C. Zhang, S. Jiang, K. Yang, A. Li, Y. Li, X. Li, J. Liu, X. Dai, Z. Fang, R.J. Cava, L. Sun, Z. Zha. Phys. Rev. B 91, 165133 (2015)
  • E.K. Arushanov. Crystal Growth Charact. 25, 131 (1992)
  • J. Cisowski. Phys. Status Solidi B 200, 311 (1997)
  • X. Yuan, P. Cheng, L. Zhang, Ch. Zhang, J. Wang, Y. Liu, Q. Sun, P. Zhou, D.W. Zhang, Z. Hu, X. Wan, H. Yan, Z. Li, F. Xiu. Nano Lett. 17, 2211 (2017)
  • И.Ф. Грибанов, Э.А. Завадский, А.П. Сиваченко. ФТН 5, 1219 (1979).
  • C. Spezzani, E. Ferrari, E. Allaria, F. Vidal, A. Ciavardini, R. Delaunay, F. Capotondi, E. Pedersoli, M. Coreno, C. Svetina, L. Raimondi, M. Zangrando, R. Ivanov, I. Nikolov, A. Demidovich, V.B. Danailov, H. Popescu, M. Eddrief, G.D. Ninno, M. Kiskinova, M. Sacchi. Phys. Rev. Lett. 113, 247202 (2014)
  • J. Hubmann, B. Bauer, H.S. Korner, S. Furthmeier, M. Buchner, G. Bayreuther, F. Dirnberger, D. Schuh, C.H. Back, J. Zweck, E. Reiger, D. Bougeard. Nano Lett. 16, 900 (2016)
  • V.M. Novotortsev, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.V. Kochura. Rus. J. Inorg. Chem. 55, 11, 1762 (2010)
  • M.J. Aubin, L.G. Caron, J.-P. Jay-Gerin. Phys. Rev. B 15, 3872 (1977)
  • R.J. Wagner, E.D. Palik, E.M. Swiggard. In: Physics of Semimetals and Narrow-Gap Semiconductors / Eds D.L. Carter, R.T. Bate. Pergamon, N. Y. (1971). P. 471
  • Э.К. Арушанов, А.Ф. Князев, А.Н. Натепров, С.И. Радауцан. ФТП 17, 8, 1202 (1983)
  • A.G. Alibekov, A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko. Rus. J. Inorg. Chem. 52, 4, 357 (2016)
  • A.G. Alibekov, A.Yu. Mollaev, L.A. Saipulaeva, S.F. Marenkin, I.V. Fedorchenko, A.I. Ril'. Rus. J. Inorg. Chem. 62, 1, 90 (2017)
  • L.F. Vereshchagin, E.N. Yakovlev, B.V. Vinogradov, G.N. Stepanov, K.Kh. Bibaev, T.I. Alaeva, V.P. Sakun. High Temperatur.--High Press. 6, 499 (1974)
  • A.N. Babushkin. High Press. Res. 6, 349 (1992)
  • A.N. Babushkin, G.I. Pilipenko, F.F. Gavrilov. J. Phys.: Condens. Matter. 5, 8659 (1993)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Наука, М. (1977). 672 с.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.