Вышедшие номера
Проводимость в неупорядоченной среде и локализация носителей заряда в слаболегированных манганитах лантана
Солин Н.И.1, Наумов С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Электро- и магнетосопротивление на постоянном токе и на частоте 9.2 GHz в монокристаллах La1-xAxMnO3 (A=Sr, Ce, x=<0.1) в интервале температур 77--300 K объясняется вкладами валентных нелокализованных и локализованных в хвосте валентной зоны и вблизи уровня Ферми носителей заряда. Хвост локализованных состояний распространяется на глубину 0.15-0.25 eV внутри запрещенной зоны, а энергия активации прыжка изменяется от 0.06 до 0.15 eV в зависимости от состава образца. В области температур магнитного упорядочения изменения электро- и магнетосопротивления от температуры и напряженности магнитного поля обусловлены изменением как подвижности, так и концентрации носителей заряда. Работа поддержана ФЦНТП (контракт N 40.012.1.1.1153.14/02) и Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 02-02-16429).
  1. A.J. Millis, P.B. Littlewood, B.I. Shraiman. Phys. Rev. Lett. 74, 25, 5144 (1995)
  2. C. Zener. Phys. Rev. 82, 403 (1957); P.W. Andersen, H. Hasegawa. Phys. Rev. 100, 675 (1955); P.G. de Gennes. Phys. Rev. 118, 141 (1960)
  3. H. Roder, J. Zang, A.R. Bishop. Phys. Rev. Lett. 76, 8, 1356 (1996); A.J. Millis, R. Mueller, B.I. Shraiman. Phys. Rev. 54B, 5389 (1996); Phys. Rev. 54B, 5405 (1996)
  4. C.M. Varma, Phys. Rev. 54B, 10, 7328 (1996)
  5. L. Sheng, D.Y. Xing, D.N. Sheng, C.S. Ting. Phys. Rev. Lett. 79, 1710 (1997)
  6. Q. Li, J. Zang, A.R. Bishop, C.M. Soukoulis. Phys. Rev. 56B, 4541 (1997)
  7. A.M. Balbashov, S.G. Karabashev, Ya.M. Mukovskii, S.A. Sverkov. J. Cryst. Growth 167, 365 (1996)
  8. В.Е. Архипов, В.П. Дякина, Я. Клямут, Я.М. Муковский, В.Е. Старцев, А.А. Чопник. Письма в ЖЭТФ 68, 39 (1998); В.Е. Архипов, И. Вархульска, Д. Влосевич, Я. Клямут, В.В. Марченков, В.Е. Старцев, Т. Пляцковски, А. Чопник. Физика металлов и металловедение 88, 5, 27 (1999)
  9. В.Е. Архипов, В.С. Гавико, А.В. Королев, В.Е. Найш. ФТТ 41, 6, 1064 (1999)
  10. A.V. Korolev, V.Ye. Arkhipov, V.S. Gaviko, Ya. Mukovskii, A.A. Arsenov, T.P. Lapina, S.D. Bader, J.S. Jiang, V. Inizhanovskii. J. Magn. Magn. Mater. 213, 1, 63 (2000)
  11. Л.И. Буравов, И.Ф. Щеголев. ПТЭ 2, 171 (1971)
  12. Н.И. Солин, С.В. Наумов, А.А. Самохвалов. ФТТ 42, 5, 899 (2000); А.Б. Давыдов, Н.И. Солин, Г.Л. Штрапенин. Дефектоскопия 8, 95 (1982); Н.И. Солин, А.Б. Давыдов, Г.Л. Штрапенин. Дефектоскопия 2, 77 (1991)
  13. А.А. Мухин, В.Ю. Иванов, В.Д. Травкин, С.П. Лебедев, А. Пименов, А. Лойдл, А.М. Балбашов. Письма в ЖЭТФ 68, 4, 331 (1998)
  14. Y. Yamada, O. Hino, S. Nohdo, R. Kanao. Phys. Rev. Lett. 77, 5, 904 (1996)
  15. K. Ghosh, R.L. Greene, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, S.G. Karabashev, D.A. Shulatev, A.A. Arsenov, Y.M. Mukovskii. Phys. Rev. 58B, 13, 8206 (1998)
  16. Н.И. Солин, И.В. Кочев. Вторая объединенная международная конференция по магнитоэлектрике. Тез. докл. Екатеринбург (2000). С. 97
  17. Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Перевод с англ. Мир, М. (1982). Т. 1. Гл. 6
  18. A. Seeger, P. Lunkenheimer, J. Hemberger, A.A. Mukhin, V.Yu. Ivanov, A.M. Balbashov, A. Loidl. J. Phys.: Condens. Matter 11, 3273 (1999)
  19. Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Э.А. Нейфельд. ЖЭТФ 117, 1, 440 (2000)
  20. Г. Фрелих. Теория диэлектриков. ИЛ, М. (1960)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.