Издателям
Вышедшие номера
Проводимость в неупорядоченной среде и локализация носителей заряда в слаболегированных манганитах лантана
Солин Н.И.1, Наумов С.В.1
1Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 9 января 2002 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2003 г.

Электро- и магнетосопротивление на постоянном токе и на частоте 9.2 GHz в монокристаллах La1-xAxMnO3 (A=Sr, Ce, x=<0.1) в интервале температур 77--300 K объясняется вкладами валентных нелокализованных и локализованных в хвосте валентной зоны и вблизи уровня Ферми носителей заряда. Хвост локализованных состояний распространяется на глубину 0.15-0.25 eV внутри запрещенной зоны, а энергия активации прыжка изменяется от 0.06 до 0.15 eV в зависимости от состава образца. В области температур магнитного упорядочения изменения электро- и магнетосопротивления от температуры и напряженности магнитного поля обусловлены изменением как подвижности, так и концентрации носителей заряда. Работа поддержана ФЦНТП (контракт N 40.012.1.1.1153.14/02) и Российским фондом фундаментальных исследований (проект N 02-02-16429).
  • A.J. Millis, P.B. Littlewood, B.I. Shraiman. Phys. Rev. Lett. 74, 25, 5144 (1995)
  • C. Zener. Phys. Rev. 82, 403 (1957); P.W. Andersen, H. Hasegawa. Phys. Rev. 100, 675 (1955); P.G. de Gennes. Phys. Rev. 118, 141 (1960)
  • H. Roder, J. Zang, A.R. Bishop. Phys. Rev. Lett. 76, 8, 1356 (1996); A.J. Millis, R. Mueller, B.I. Shraiman. Phys. Rev. 54B, 5389 (1996); Phys. Rev. 54B, 5405 (1996)
  • C.M. Varma, Phys. Rev. 54B, 10, 7328 (1996)
  • L. Sheng, D.Y. Xing, D.N. Sheng, C.S. Ting. Phys. Rev. Lett. 79, 1710 (1997)
  • Q. Li, J. Zang, A.R. Bishop, C.M. Soukoulis. Phys. Rev. 56B, 4541 (1997)
  • A.M. Balbashov, S.G. Karabashev, Ya.M. Mukovskii, S.A. Sverkov. J. Cryst. Growth 167, 365 (1996)
  • В.Е. Архипов, В.П. Дякина, Я. Клямут, Я.М. Муковский, В.Е. Старцев, А.А. Чопник. Письма в ЖЭТФ 68, 39 (1998); В.Е. Архипов, И. Вархульска, Д. Влосевич, Я. Клямут, В.В. Марченков, В.Е. Старцев, Т. Пляцковски, А. Чопник. Физика металлов и металловедение 88, 5, 27 (1999)
  • В.Е. Архипов, В.С. Гавико, А.В. Королев, В.Е. Найш. ФТТ 41, 6, 1064 (1999)
  • A.V. Korolev, V.Ye. Arkhipov, V.S. Gaviko, Ya. Mukovskii, A.A. Arsenov, T.P. Lapina, S.D. Bader, J.S. Jiang, V. Inizhanovskii. J. Magn. Magn. Mater. 213, 1, 63 (2000)
  • Л.И. Буравов, И.Ф. Щеголев. ПТЭ 2, 171 (1971)
  • Н.И. Солин, С.В. Наумов, А.А. Самохвалов. ФТТ 42, 5, 899 (2000); А.Б. Давыдов, Н.И. Солин, Г.Л. Штрапенин. Дефектоскопия 8, 95 (1982); Н.И. Солин, А.Б. Давыдов, Г.Л. Штрапенин. Дефектоскопия 2, 77 (1991)
  • А.А. Мухин, В.Ю. Иванов, В.Д. Травкин, С.П. Лебедев, А. Пименов, А. Лойдл, А.М. Балбашов. Письма в ЖЭТФ 68, 4, 331 (1998)
  • Y. Yamada, O. Hino, S. Nohdo, R. Kanao. Phys. Rev. Lett. 77, 5, 904 (1996)
  • K. Ghosh, R.L. Greene, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, S.G. Karabashev, D.A. Shulatev, A.A. Arsenov, Y.M. Mukovskii. Phys. Rev. 58B, 13, 8206 (1998)
  • Н.И. Солин, И.В. Кочев. Вторая объединенная международная конференция по магнитоэлектрике. Тез. докл. Екатеринбург (2000). С. 97
  • Н. Мотт, Э. Дэвис. Электронные процессы в некристаллических веществах. Перевод с англ. Мир, М. (1982). Т. 1. Гл. 6
  • A. Seeger, P. Lunkenheimer, J. Hemberger, A.A. Mukhin, V.Yu. Ivanov, A.M. Balbashov, A. Loidl. J. Phys.: Condens. Matter 11, 3273 (1999)
  • Н.Н. Лошкарева, Ю.П. Сухоруков, Э.А. Нейфельд. ЖЭТФ 117, 1, 440 (2000)
  • Г. Фрелих. Теория диэлектриков. ИЛ, М. (1960)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.