Издателям
Вышедшие номера
Атомная и электронная структура реконструкций поверхности (111) в кристаллах ZnSe и CdSe
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010031
Бекенев В.Л.1, Зубкова С.М.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Email: bekenev@materials.kiev.ua
Поступила в редакцию: 20 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Впервые проведены первопринципные расчеты атомной и электронной структуры четырех вариантов полярных поверхностей ZnSe и CdSe (111)-(2x2), заканчивающихся катионом: идеальной, релаксированной, реконструированной и релаксированной после реконструкции. В приближении слоистой сверхрешетки поверхность моделировали пленкой толщиной 12 атомных слоев и вакуумным промежутком ~16 Angstrem. Для замыкания оборванных связей Se на противоположной стороне пленки добавлено четыре фиктивных атома водорода с зарядом 0.5 электрона каждый. Ab initio pасчеты проводились с использованием программы QUANTUM ESPRESSO, основанной на теории функционала плотности. Показано, что релаксация приводит к расщеплению атомных слоев. Для четырех вариантов поверхности рассчитаны и проанализированы зонные структуры, а также полные и послойные плотности электронных состояний. Все расчеты были выполнены на вычислительном кластере Института проблем материаловедения НАН Украины. DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45308.136
  • J.P. LaFemina. Surf. Sci. Rep. 16, 133 (1992)
  • G.P. Srivastava. Theoretical modeling of semiconductor surfaces. World Scientific, Singapore, New Jersey, London, Hong Kong (1999). P. 201--205
  • J.A. Venables. Introduction to Surface and Thin Film Processes. Cambridge university press, Arizona State University and University of Sussex (2003). 392 p
  • A. Grob. Theoretical Surface Science. Springer, Berlin, Heidelberg (2009). 342 p
  • K. Hermann. Crystallography and Surface Structure. An Introduction for Surface Scientists and Nanoscientists. Wiley--VCH Verlag \& Co, Weinheim (2011). 294 p
  • II-VI Semiconductor Compounds / Ed. M. Jain. World Scientific, Singapore (1993). 604 p
  • R.W. Birkmire, E. Eser. Ann. Rev. Mater. Sci. 27, 625 (1997)
  • M.A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett. 59, 1272 (1991)
  • N. Nakayama, S. Itoh, T. Ohata, K. Nakano, H. Okuyama, M. Ozawa, A. Ishibashi, M. Ikeda, Y. Mori. Electron. Lett. 29, 2194 (1993)
  • A. Salokatve, H. Jeon, J. Ding, M. Hovinen, A.V. Nurmikko, D.C. Grillo, Li He, J. Han, Y. Fan, M. Ringle, R.L. Gunshor, G.C. Hua, N. Otsuka. Electron. Lett. 29, 2192 (1993)
  • D.J. Chadi. J. Vac. Sci. Technol. A 4, 944 (1986)
  • L. Zhu, K.L. Yao, Z.L. Liu, Y.B. Li. J. Phys.: Condens. Matter 21, 095001 (2009)
  • L. Plucinski. Bulk and Surface Electronic Structure of Gallium Nitride and Zinc Selenide. Dissertation, Hamburg (2002). 126 p
  • W. Weigand, A. Muller, L. Kilian, O. Bunk, T. Schallenberg, P. Bach, L. Molenkamp, W. Faschinger, R.L. Johnson, C. Kumpf, E. Umbach. Hasylab Annual Report 2002. Pt 1. HASYLAB, Hamburg (2003)
  • D. Olguin, R. Baquero. Rev. Mexic. Fis. 49, 1 (2003)
  • L. Plucinski, R.L. Johnson, A. Fleszar, W. Hanke, W. Weigand, C. Kumpf, C. Heske, E. Umbach, T. Schallenberg, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B 70, 125308 (2004)
  • L. Plucinski, W. Weigand, C. Kumpf, C. Heske, R. Kosuch, T. Schallenberg, L.W. Molenkamp, E. Umbach, R.L. Johnson. Surf. Sci. 585, 95 (2005)
  • Y. Yu, J. Zhou, H. Han, C. Zhang, T. Cai, C. Song, T. Gao. J. All. Comp. 471, 492 (2009)
  • А. Rubio-Ponce, D. Olguin. J. Physics: Conf. Ser. 574, 012118 (2015)
  • J. Zhou, B.G. Sumpter, P.R C. Kent, J. Huang. Appl. Mater. Interfac. 7, 1458 (2015)
  • В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТТ 57, 1830 (2015)
  • В.Л. Бекенев, С.М. Зубкова. ФТП 51, 26 (2017)
  • P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A.D. Corso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samos, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Condens. Matter. 21, 395502 (2009)
  • K. Shiraishi. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 3455 (1990)
  • Landolt-Bornstein / Ed. O. Madelung. New Series III. 22. Springer, Berlin (1987)
  • J.P. Perdew. Int. J. Quantum Chem. 28, S19, 497 (1985)
  • J.L. Martins. In: Density Functional Theory / Ed. P. Geerlings, F. de Proft, W. Langenaeker. VUB University Press, Brussels (1999). P. 217--226
  • S. de Lazaro, E. Longo, J.R. Sambrano, A. Beltran. Surf. Sci. 552, 149 (2004)
  • S. Piskunov, E. Heifets, R.I. Eglitis, G. Borstel. Comp. Mater. Sci. 29, 165 (2004)
  • J. Muscat, F. Wander, N.M. Harrison. Chem. Phys. Lett. 342, 397 (2001)
  • E. Heifets, R.I. Eglitis, E.A. Kotomin, J. Maier, G. Borstel. Surf. Sci. 513, 211 (2002).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.