Издателям
Вышедшие номера
Особенности сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах на основе титаната бария-стронция
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010250
РФФИ , 16-29-1403 офи-м
Стрюков Д.В. 1, Мухортов В.М. 1, Головко Ю.И. 1, Бирюков С.В. 1
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: strdl@mail.ru, mukhortov1944@mail.ru, urgol@rambler.ru
Поступила в редакцию: 7 мая 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Исследованы структурные свойства однослойных и двухслойных гетероструктур на основе пленок титаната бария-стронция различного состава, осаженных по механизму Франка-Ван дер Мерве на подложку оксида магния. Гетероструктуры созданы ВЧ-распылением стехиометрических керамических мишеней в распылительной системе "Плазма 50 СЭ". Принципиальное отличие данного способа осаждения от известных аналогов состоит в том, что рост монокристаллических пленок происходит из дисперсной фазы оксида, образующейся в плазме сильноточного высокочастотного разряда при распылении керамической мишени на кластерном уровне. Установлены особенности проявления сегнетоэлектрического состояния в двухслойных гетероструктурах при изменении порядка следования пленок с различным составом титаната бария-стронция. Исследование выполнено в рамках реализации Государственного задания на 2017 г. (проект N 0120-1354-247), а также при поддержке РФФИ (грант N 16-29-14013). DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45297.186
  • S. Corkovic, Q. Zhanga. J. Appl. Phys. 105, 061610 (2009)
  • M.W. Cole, E. Ngo, C. Hubbard, S.G. Hirsch, M. Ivill, W.L. Sarney, J. Zhang, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 114, 164107 (2013)
  • Y. Lin, C.L. Chen. J. Mater. Sci. 44, 5274 (2009)
  • H.N. Lee, H.M. Christen, M.F. Chisholm, C.M. Rouleau, D.H. Lowndes. Nature. 433, 395 (2005)
  • M. Tyunina, I. Jaakola, M. Plekh, J. Levoska. J. Electroceram 24, 15 (2010)
  • M. Liu, C. Ma, G. Collins, J. Liu, C. Chen, A.D. Alemayehu, G. Subramanyam, Y. Ding, J. Chen, C. Dai, Y.L. Me W Cole. Nanoscale Res. Lett. 8, 338 (2013)
  • B.D. Qu, M. Evstigneev, D.J. Johnson, R.H Prince. Appl Phys. Lett. 72, 1394 (1998)
  • B. Misirlioglu, G. Akcay, S. Zhong, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 101, 036107 (2007)
  • T.Q. Ngo, A.B. Posadas, M.D. McDaniel, C. Hu, J. Bruley, E.T. Yu, A.A. Demkov, J.G. Ekerdt. Appl. Phys. Lett. 104, 082910 (2014)
  • I. Jaakolaa, J. Levoska, M. Tyunina. Ferroelectrics 335, 127 (2006)
  • F. Xue, J.J. Wang, G. Sheng, E. Huang, Y. Cao, H.H. Huang, P. Munroe, R. Mahjoub, Y.L. Li, V. Nagarajan, L.Q. Chen. Acta Mater. 61, 2909 (2013)
  • J.H. Haeni, P. Irvin, W. Chang, R. Uecker, P. Reiche, Y.L. Li, S. Choudhury, W. Tian, M.E. Hawley, B. Craigo, A.K. Tagantsev, X.Q. Pan, S.K. Streiffer, L.Q. Chen, S.W. Kirchoefer, J. Levy, D.G. Schlom. Nature 430, 758 (2004)
  • J. Wang, J.B. Neaton, H. Zheng, V. Nagarajan, S.B. Ogale, B. Liu, D. Viehland, V. Vaithyanathan, D.G. Schlom, U.V. Waghmare, N.A. Spaldin, K.M. Rabe, M. Wuttig, R. Ramesh. Science 299, 171 (2003)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, С.В. Бирюков, А.С. Анохин, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 86, 93 (2016)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. ЮНЦ РАН, Ростов н/Д (2008). 224 с
  • V.M. Mukhortov, Yu.I. Golovko, P.A. Zelenchuk, Yu.I. Yuzyuk. Integrated Ferroelectrics 107, 83 (2009)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, А.А. Маматов, О.М. Жигалина, А.Н. Кускова. ЖТФ 80, 77 (2010)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, С.В. Бирюков, А.С. Анохин, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 86, 93 (2016)
  • Ю.И. Головко, В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк, Р.Е. Janolin, В. Dkhil. ФТТ 50, 467 (2008)
  • P.-E. Janolin, A.S. Anokhin, Z. Gui, V.M. Mukhortov, Yu.I. Golovko, N. Guiblin, S. Ravy, M.El. Marssi, Yu.I. Yuzyuk, L. Bellaiche, B. Dkhil. J. Phys.: Condens. Matter 26, 292201 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.