Издателям
Вышедшие номера
Взаимодействие атомов сурьмы с микропорами в кремнии
Переводная версия: 10.1134/S1063783418010158
Оджаев В.Б.1, Петлицкий А.Н.2, Плебанович В.И.3, Садовский П.К.1, Тарасик М.И.1, Челядинский А.Р.1
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2ОАО Интеграл", Минск, Беларусь
3ОАО ПЛАНАР", Минск, Беларусь
Email: chelyadinski@bsu.by
Поступила в редакцию: 11 апреля 2017 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2017 г.

Исследовано взаимодействие атомов Sb с микропорами геттерного слоя в кремнии. Геттерный слой создавался путем имплантации в кремний ионов Sb+ и последующих термообработок. Обнаружено, что атомы сурьмы, расположенные в окрестности микропор, захватываются на микропоры в процессе геттерирующего отжига и теряют электрическую активность. Энергия активации процесса захвата сурьмы на поры ниже энергии активации диффузии сурьмы в кремнии. Это объясняется влиянием на процесс диффузии полей упругих деформаций вокруг микропустот. DOI: 10.21883/FTT.2018.01.45283.123
  • D. Macdonald, A.Y. Linand, S.P. Phang. Mater. In: Int. Conf. Gettering and Defect Engineering in Semiconductor Technology XV. Oxford, UK. (2013). P. 26
  • A. Kinomura, R. Suzuki, T. Ohdaira, M. Muramatsu, C. He, N. Oshima, T. Matsumoto, H. Tanoue, Y. Horino. J. Appl. Phys. 104, 034301 (2008)
  • S.E. Donnelly, V.M. Vishnyakov, G. Carter, J. Terry, L.I. Haworth, P. Sermannic, R.C. Birtcher. Mater. Sci. Eng. B 206, 422 (2003)
  • П.К. Садовский, А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев, М.И. Тарасик, А.С. Турцевич, Ю.Б. Васильев. ФТТ 55, 1071 (2013)
  • L.J. Van der Pauw. Philips Res. Rep. 13, 1 (1958)
  • А.В. Бураков, С.Н. Якубеня, А.М. Янченко. ПТЭ 4, 226 (1986)
  • F.A. Trumbore. Bell. Syst. Tech. J. 39, 205 (1960)
  • Atomic diffusion in Semiconductors / Ed. D. Shaw. Plenum Press, London-N. Y. (1973)
  • К. Пирс, А. Адамс, Л. Кац, Дж. Цай, Т. Сейдел, Д. Макгиллис. Технология СБИС. Т. 1. Мир, М. (1986). С. 40
  • F. Roqueta, D. Alquier, L. Ventura, Ch. Dubois, R. Jerisian. Nucl. Instr. Meth. Phys. Res. B 183, 318 (2001)
  • J. Wong-Leung, J.S. Williams, M. Petravic. Appl. Phys. Lett. 72, 2418 (1998)
  • М. Джадан, А.Р. Челядинский, В.Ю. Явид. Микроэлектроника 41, 2, 98 (2012)
  • T. Akiyama, Y. Okamoto, M. Saito, A. Oshiyama. Jpn. J. Appl. Phys. 38, 1363 (1999)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.