Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.
Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе. Работа частично поддержана РФФИ (проект N 14-02-01212) и РНФ (проект N 15-12-00027). DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44981.097
- P.K. Ang, W. Chen, A.T.S. Wee, K.P. Loh. J. Am. Chem. Soc. 130, 14392 (2008)
- W. Fu, C. Nef, O. Knopfmacher, A. Tarasov, M. Weiss, M. Calame, C. Schonenberger. Nano Lett. 11, 3597 (2011)
- M.H. Lee, B.J. Kim, K.H. Lee, I.S. Shin, W. Huh, J.H. Cho, M.S. Kang. Nanoscale 7, 7540 (2015)
- А.В. Бутко, В.Ю. Бутко, С.П. Лебедев, А.Н. Смирнов, В.Ю. Давыдов, А.А. Лебедев, Ю.А. Кумзеров. ФТТ 58, 1432 (2016)
- V.Y. Butko, X. Chi, D.V. Lang, A.P. Ramirez. Appl. Phys. Lett. 83, 4773 (2003)
- V.Y. Butko, X. Chi, A.P. Ramirez. Solid State Commun. 128, 431 (2003)
- L.H. Hess, M.V. Hauf, M. Seifert, F. Speck, T. Seyller, M. Stutzmann, I.D. Sharp, J.A. Garrido. Appl. Phys. Lett. 99, 033503 (2011)
- T. Feng, D. Xie, G. Li, J. Xu, H. Zhao, T. Ren, H. Zhu. Carbon 78, 250 (2014)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
