Вышедшие номера
Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия
Бутко А.В.1, Бутко В.Ю.1,2, Лебедев С.П.1,3, Лебедев А.А.1, Кумзеров Ю.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: vladimirybutko@gmail.com
Поступила в редакцию: 28 марта 2017 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2017 г.

Для создания новых перспективных химических сенсоров большое значение имеет исследование влияния на транзисторные характеристики графена его интерфейса с водными растворами кислот и щелочей. Созданы и исследованы транзисторные структуры на основе графена, выращенного путем термического разложения карбида кремния. Для интерфейса графена с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия в транзисторной геометрии при изменении напряжения между затвором и истоком обнаружен полевой эффект, соответствующий дырочному типу носителей заряда в графене. Установлено, что увеличение концентрации молекулярных ионов в данных растворах приводит к усилению зависимости сопротивления транзистора от напряжения на затворе. Работа частично поддержана РФФИ (проект N 14-02-01212) и РНФ (проект N 15-12-00027). DOI: 10.21883/FTT.2017.10.44981.097