Издателям
Вышедшие номера
Поляризационные эффекты в гетеролазерах In28Ga72As/GaAs на квантовой яме
Президиум РАН, фундаментальных исследований Президиума РАН № 1«НАНОСТРУКТУРЫ: ФИЗИКА, ХИМИЯ, БИОЛОГИЯ, ОСНОВЫ ТЕХНОЛОГИЙ»
Кулакова Л.А.1, Лютецкий А.В.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: L.Kulakova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 25 февраля 2016 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2017 г.

Экспериментально и теоретически изучено воздействие вводимых извне переменных деформаций на поляризационные свойства излучения лазера In28Ga72As/GaAs на квантовой яме при комнатной температуре. Проведен анализ поляризационных эффектов при различных величинах превышения рабочим током порогового. Получены данные о величине энергии расщепления уровней легких и тяжелых дырок в квантовой яме исследованной структуры. Экспериментально доказано, что эффективность воздействия переменной деформацией на поворот поляризации существенно возрастает с увеличением ширины квантовой ямы. Работа поддержана РФФИ (грант N 11-02-00729) и научными программами Президиума РАН. DOI: 10.21883/FTT.2017.09.44837.062x
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. Наука, М. (1972). C. 485
  • Е.Л. Портной. Письма в ЖТФ 6, 12, 705 (1980)
  • Г.С. Соколовский, А.Г. Дерягин, В.И. Кучинский. Письма в ЖТФ 23, 9, 87 (1997)
  • Н.С. Аверкиев, Ю.Л. Иванов, А.А. Красивичев, Н.П. Петров, Н.И. Саблина, В.Е. Седов. ФТП 42, 3, 322 (2008)
  • Л.А. Кулакова, И.С. Тарасов. Письма в ЖЭТФ 78, 2, 77 (2003)
  • Л.А. Кулакова, Н.А. Пихтин, С.И. Слипченко, И.С. Тарасов. ЖЭТФ 131, 5, 790 (2007)
  • L.A. Kulakova. Appl. Opt. 48, 6, 1128 (2009)
  • Л.А. Кулакова, А.В. Лютецкий, В.Б. Волошинов. Письма в ЖТФ 36, 12, 48 (2010)
  • A.V. Scherbakov, T. Berstermann, A.V. Akimov, D.R. Yakovlev, G. Beaudoin, D. Bajoni, I. Sagnes, J. Bloch, M. Bayer. Phys. Rev. B 78, 24, 241302 (2008)
  • A.V. Akimov, A.V. Scherbakov, D.R. Yakovlev, M. Bayer, A. Kent. J. Lumin. 131, 3, 404, 2011
  • I.V. Rozhansky, M.B. Lifshits, S.A. Tarasenko, N.S. Averkiev. Phys. Rev. B 80, 8, 085314 (2009)
  • L.A. Kulakova, V.A. Gorelov, A.V. Lutetskiy, N.S. Averkiev. Solid State Commun. 152, 17, 1690 (2012)
  • Л.А. Кулакова, Н.С. Аверкиев, А.В. Лютецкий, В.А. Горелов. ФТП 47, 1, 137 (2013).
  • Л.А. Кулакова, Н.С. Аверкиев, А.Н. Даринский, Э.З. Яхкинд. Квантовая электроника 43, 5, 410 (2013)
  • T.K. Sharma, M. Zorn, U. Zeimer, H. Kissel, F. Bugge, M. Weyers. Cryst. Res. Technol. 40, 9, 877 (2005)
  • Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, Д.Н. Николаев, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, В.В. Шамахов, И.С. Тарасов. ФТП 43, 10, 1374, (2009)
  • Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП 39, 3, 388 (2005)
  • Electronic archiv: New semiconductor materials. characteristics and properties; http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.