Издателям
Вышедшие номера
Биэкситон в квантовых точках A2B6 с различными локализующими потенциалами
Головатенко А.А. 1, Семина М.А. 1, Родина А.В.1, Шубина Т.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: toodtoof@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 ноября 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Представлено сравнительное исследование влияния вида локализующего потенциала на энергию связи биэкситона в сферически-симметричных квантовых точках A2B6. Предложенный критерий сравнения исследуемых потенциалов --- потенциального ящика, гармонического осциллятора и потенциала Гаусса --- базируется на одинаковой локализации в них носителей заряда одного знака. Расчеты энергии связи биэкситона выполнены вариационным методом в рамках kp-теории возмущений с учетом дополнительных поляризационных членов в волновых функциях электронной и дырочной подсистем, а также с учетом сложной структуры валентной зоны. Полученные результаты демонстрируют, что наличие плавно меняющегося потенциала конечной высоты в квантовых точках Cd(Zn)Se/ZnSe может приводить к более эффективной локализации в случае биэкситона по сравнению с экситоном, что представляет интерес для реализации быстродействующих излучателей квантового света. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект N 14-22-00107). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44492.433
  • Т. Takagahara. Phys. Rev. В 39, 10206 (1989)
  • V.D. Kulakovskii, G. Bacher, R. Weigand, T. Kummell, A. Forchel. Phys. Rev. Lett. 82, 1780 (1999)
  • B. Patton, W. Langbein, U. Woggon. Phys. Rev. В 68, 125316 (2003)
  • H.P. Wagner, H.-P. Tranitz, H. Preis, W. Langbein, K. Leosson, J.M. Hvam. Phys. Rev. B 60, 10640 (1999)
  • Semiconductors. physics of II-VI and I-VII compounds. Semimagnetic semiconductors / Eds K.-H. Hellwege, O. Madelung. Landolt--Bornstein. New Series. Springer-Verlag, Berlin (1982). Group III. V. 17. Pt b
  • D. Hommel, K. Leonardi, H. Heinke, H. Selke, K. Ohkawa, F. Gindele, U. Woggon. Phys. Status Solidi В 202, 835 (1997)
  • F. Gindele, U. Woggon, W. Langbein, J.M. Hvam, K. Leonardi, D. Hommel, H. Selke. Phys. Rev. B 60, 8773 (1999)
  • A. Klochikhin, A. Reznitsky, B. Dal Don, H. Priller, H. Kalt, C. Klingshirn, S. Permogorov, S. Ivanov. Phys. Rev. В 69, 085308 (2004)
  • A. Reznitsky, M. Eremenko, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi В 252, 1717 (2015)
  • Т.V. Shubina, A.V. Rodina, M.A. Semina, A.A. Golovatenko, A.A. Toropov, M.V. Rakhlin, I.V. Sedova, S.V. Sorokin, S.V. Gronin, A.A. Sitnikova, D.I. Kuritsyn, S.M. Sergeev, Z.F. Krasil'nik, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi В 253, 1485 (2016)
  • A.A. Golovatenko, M.A. Semina, A.V. Rodina, T.V. Shubina. Acta Phys. Pol. A 129, 107 (2016)
  • D. Litvinov, M. Schowalter, A. Rosenauer, B. Daniel, J. Fallert, W. Loffler, H. Kalt, M. Hetterich. Phys. Status Solidi A 205, 2892 (2008)
  • M. Nasilowski, P. Spinicelli, G. Patriarche, B. Dubertret. Nano Lett. 15, 3953 (2015)
  • G.E. Cragg, Al.L. Efros. Nano Lett. 10, 313 (2010)
  • F. Garcia-Santamaria, S. Brovelli, R. Viswanatha, J.A. Hollingsworth, H. Htoon, S.A. Crooker, V.I. Klimov. Nano Lett. 11, 687 (2011)
  • W.K. Bae, L.A. Padilha, Y.-S. Park, H. McDaniel, I. Robel, J.M. Pietryga, V.I. Klimov. ACS Nano 7, 3411 (2003)
  • S. Strauf, S.M. Ulrich, K. Sebald, P. Michler, T. Passow, D. Hommel, G. Bacher, A. Forchel. Phys. Status Solidi В 238, 321 (2003)
  • A. Tribu, G. Sallen, T. Aichele, R. Andre, J.-P. Poizat, C. Bougerol, S. Tatarenko, K. Kheng. Nano Lett. 8, 4326 (2008)
  • O. Fedorych, C. Kruse, A. Ruban, D. Hommel, G. Bacher, T. Kummell. Appl. Phys. Lett. 100, 061114 (2012)
  • R.M. Thompson, R.M. Stevenson, A.J. Shields, I. Farrer, C.J. Lobo, D.A. Ritchie, M.L. Leadbeater, M. Pepper. Phys. Rev. В 64, 201302(R) (2001)
  • Single semiconductor quantum dots. Ser. Nanoscience and Nanotechnology / Ed. P. Michler. Springer-Verlag, Berlin (2009). Ch. 6, 7
  • L. Banyai. Phys. Rev. B 39, 8022 (1989)
  • G.W. Bryant. Phys. Rev. B 41, 1243 (1990)
  • O. Akimoto, E. Hanamura. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 1537 (1972)
  • Г.Б. Григорян, А.В. Родина, Ал.Л. Эфрос. ФТТ 32, 3512 (1990)
  • W. Xie. J. Phys.: Condens. Matter 13, 3149 (2001)
  • M. Califano, A. Franceschetti, A. Zunger. Phys. Rev. B 75, 115401 (2007)
  • M. Korkusinski, O. Voznyy, P. Hawrylak. Phys. Rev. B 82, 245304 (2010)
  • Y.Z. Hu, S.W. Koch, M. Lindberg, N. Peyghambarian, E.L. Pollock, F.F. Abraham. Phys. Rev. Lett. 64, 1805 (1990)
  • M.A. Semina, A.A. Golovatenko, A.V. Rodina. Phys. Rev. B 93, 045409 (2016)
  • Т.В. Шубина, К.Г. Беляев, М.А. Семина, А.В. Родина, А.А. Головатенко, А.А. Торопов, С.В. Сорокин, И.В. Седова, В.Ю. Давыдов, А.Н. Смирнов, П.С. Копьев, С.В. Иванов. ФТТ 58, 2175 (2016)
  • Al.L. Efros, М. Rosen, М. Kuno, М. Nirmal, D.J. Norris, M. Bawendi. Phys. Rev. В 54, 4843 (1996)
  • J.M. Luttinger. Phys. Rev. 102, 1030 (1956)
  • Б.Л. Гельмонт, М.И. Дьяконов. ФТП 5, 2191 (1971)
  • Al.L. Efros, A.V. Rodina. Solid State Commun. 72, 645 (1989)
  • A.I. Ekimov, F. Hache, M.С. Schanne-Klein, D. Ricard, С. Flytzanis, I.A. Kudryavtsev, T.V. Yazeva, A.V. Rodina, Al.L. Efros. J. Opt. Soc. Am. В 10, 100 (1993)
  • E.L. Ivchenko. Optical spectroscopy of semiconductor nanostructures. Alpha Science International, Ltd, Harrow, UK (2005). 427 p
  • A.V. Rodina, Al.L. Efros. Phys. Rev. В 82, 125324 (2010)
  • Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП 16, 1209 (1982)
  • A.A. Golovatenko, M.A. Semina, A.V. Rodina. In: Proc. of the 23rd Symp. "Nanostructures: physics and technology." St. Petersburg (2015). P. 105
  • S. Chandrasekhar. Astrophys. J. 100, 176 (1944)
  • A.V. Rodina, Al.L. Efros. ЖЭТФ 149, 641 (2016)
  • K.A. Svit, K.S. Zhuravlev. J. Phys. Chem. С 119, 19496 (2015)
  • A.D. Yoffe. Adv. Phys. 42, 173 (1993)
  • O. Madelung. Semiconductors: data handbook. Springer, Berlin (2004). 691 p.
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.