Издателям
Вышедшие номера
Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs
Сейсян Р.П.1, Кавокин А.В.2,3, Moumanis Kh.4, Сасин М.Э.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2University of Southampton, Southampton, UK
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada
Email: rseis@ffm.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Выполнено магнитооптическое исследование экситонных переходов в высококачественных квантовых ямах гетеросистемы (In, Ga)As/GaAs. Исследование пропускания отделенных от подложки свободных образцов в магнитных полях вплоть до 12 T выявило богатую тонкую структуру, связанную с различными тяжелодырочными и легкодырочными экситонными переходами. В частности, были зарегистрированы переходы из возбужденных состояний легких дырок, локализованных в кулоновском потенциале, создаваемом электроном вдоль оси гетероструктуры (кулоновская яма). Последовательно принимая во внимание напряжения, образование уровней Ландау, энергии связи экситонов (диамагнитных экситонов) и эффект "кулоновской ямы", мы смогли описать экспериментальные результаты в рамках самосогласованной вариационной процедуры. В результате были объяснены новые особенности структуры оптических переходов и с хорошей точностью были определены приведенные массы электронов и дырок для экситона, образованного как на тяжелой дырке, так и на легкой. Работа выполнена при поддержке РФФИ и Немецкого научно-исследовательского общества (проект РФФИ-ННИО N 15-52-12018). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44486.232
  • J.P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert, A. Heberle, G. Abstreiter, G. Weimann. Appl. Phys. Lett. 56, 536 (1990)
  • X.M.Fang, X.C.Shen, H.Q.Hou, W.Feng, J.M.Zhou, F.Koch. Surf. Sci. 228, 351 (1990)
  • Y.S. Huang, H. Qiang, F.H. Pollak, G.D. Pettit, P.D. Kirchener, J.M. Woodall, H. Stiager, L.B. Sorensen. J. Appl. Phys. 70, 7537 (1991)
  • F.S. Zhang, H. Luo, N. Dai, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B 47, 3806 (1993)
  • J. Leymarie, C. Monier, A. Vasson, A.-M. Vasson, M. Leroux, B. Courboul\`es, N. Grandjean, C. Deparis, J. Massies. Phys. Rev. B 51, 13274 (1995)
  • P. Disseix, J. Leymarie, A. Vasson, A.-M. Vasson, C. Monier, N. Grandjean, M. Leroux, J. Mas. Phys. Rev. B 55, 2406 (1997)
  • J. Leymarie, P. Disseix, M. Rezki, C. Monier, A. Vasson, A.-M. Vasson. Mater. Sci. Eng. B 44, 147 (1997)
  • R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitsin, B.S. Yavich. Semicond. Sci. Technol. 10, 611 (1995)
  • А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Гупалов. ФТП 31, 1109 (1997)
  • Ал.А. Эфрос. ФТП 20, 128 (1986)
  • G. Peter, E. Deleporte, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang, J. Lumin. 52, 147 (1992)
  • A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, I.N. Uraltsev, D.R. Yakovlev, G. Landwehr, R.N. Bicknell-Tassius, A. Waag. Phys. Rev. B 46, 9788 (1992)
  • A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevski, S.V. Goupalov, J.D. Berger, O. Lyngnes, H.M. Gibbs, G. Khitrova, A. Ribayrol, A. Bellabchara, P. Lefebvre, D. Coquillat, J.P. Lascaray. Phys. Rev. B 54, R11078 (1996)
  • А.И. Екимов, А.А. Онущенко, Ал.Л. Эфрос. Письма в ЖЭТФ 43, 292 (1986)
  • A.I. Ekimov, Al.L. Efros, M.G. Ivanov, A.A. Onushchenko, S.K. Shumilov. Solid State Commun. 69, 565 (1989)
  • D.J Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989)
  • M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol. 6, 27 (1991)
  • Landolt-Bornstein. Band-22 Halbleiter, III/22a. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (1987). V. 22. Ch. III. P. 22a
  • Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский. ЖЭТФ 53, 717 (1967)
  • А.В. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП 27, 977 (1993)
  • P. Bigenwald, B. Gil. Solid State Commun. 91, 33 (1994)
  • A.V. Kavokin, A.I. Nesvizhskii. Phys. Rev. B 49, 17055 (1994)
  • A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, I.N. Uraltsev, D.R. Yakovlev, G. Landwehr, R.N. Bicknell-Tassius, A. Waag. Phys. Rev. B 46, 7713 (1992)
  • Л.Г. Герчиков, А.В. Субашиев. ФТП 27, 446 (1993)
  • G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. Status Solidi A 164, 193 (1997)
  • Н.Д. Ильинская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян. ФТП 27, 108 (1993)
  • Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ 38, 1067 (1996)
  • Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М. (1984). 282 с
  • R.P. Seisyan, B.P. Zakharchenya. In: Landau level spectroscopy / Ed. G. Landwehr, E.I. Rashba. North-Holland, Amsterdam (1991). V. 1. P. 345 [Modern Problems in Condensed Matter Sciences. V. 27]
  • G.N. Aliev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, M.M. Moiseeva, R.P. Seisyan, H. Gibbs, G. Khitrova. IOP Publishing Ltd. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155 (1997). Ch. 2. P. 165
  • С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТП 25. 493 (1991)
  • А. Клочихин, А. Резницкий, Л. Тенишев, С. Пермогоров, С. Иванов, С. Сорокин, Х. Муманис, Р. Сейсян, С. Клинглирн. Письма в ЖЭТФ 71, 348 (2000)
  • A.V. Kavokin. Phys. Rev. B 50, 8000 (1994)
  • R.M. Datsiev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova. In: Excitonic Processes in Condensed Matter / Ed. R.T. Williams, W.M. Yen. The Electrochemical Society Proceedings Series. Pennington, N. Y. (1998). P. 98-25
  • N.J. Pulsford, R.J. Nicholas, R.J. Warburton, M.J. Lawless, G. Duggan, K.J. Moore, K. Woodbridge, C. Roberts. Superlat. Microstruct. 9, 521 (1991)
  • A.V. Trifonov, S.N. Korotan, A.S. Kurdyubov, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, Yu.K. Dolgikh, V.V. Ovsyankin, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B 91, 115307 (2015)
  • H. Wang, H. Yu, X. Zhou, Q. Kan, L. Yuan, W. Chen, W. Wang, Y. Ding, J. Pan. Appl. Phys. Lett. 105, 141101 (2014)
  • S. Gies, C. Kruska, C. Berger, P. Hens, C. Fuchs, A. Ruiz Perez, N.W. Rosemann, J. Veletas, S. Chatterjee, W. Stolz, S.W. Koch, J. Hader, J.V. Moloney, W. Heimbrodt. Appl. Phys. Lett. 107, 182104 (2015)
  • R.P. Seisyan. Semicond. Sci. Technol. 27, 053001 (2012)
  • Р.П Сейсян. ФТТ 58 833 (2016).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.