Издателям
Вышедшие номера
Эффект кулоновской ямы в квантовых ямах (In, Ga)As/GaAs
Сейсян Р.П.1, Кавокин А.В.2,3, Moumanis Kh.4, Сасин М.Э.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2University of Southampton, Southampton, UK
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
4Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, Canada
Email: rseis@ffm.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 6 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2017 г.

Выполнено магнитооптическое исследование экситонных переходов в высококачественных квантовых ямах гетеросистемы (In, Ga)As/GaAs. Исследование пропускания отделенных от подложки свободных образцов в магнитных полях вплоть до 12 T выявило богатую тонкую структуру, связанную с различными тяжелодырочными и легкодырочными экситонными переходами. В частности, были зарегистрированы переходы из возбужденных состояний легких дырок, локализованных в кулоновском потенциале, создаваемом электроном вдоль оси гетероструктуры (кулоновская яма). Последовательно принимая во внимание напряжения, образование уровней Ландау, энергии связи экситонов (диамагнитных экситонов) и эффект "кулоновской ямы", мы смогли описать экспериментальные результаты в рамках самосогласованной вариационной процедуры. В результате были объяснены новые особенности структуры оптических переходов и с хорошей точностью были определены приведенные массы электронов и дырок для экситона, образованного как на тяжелой дырке, так и на легкой. Работа выполнена при поддержке РФФИ и Немецкого научно-исследовательского общества (проект РФФИ-ННИО N 15-52-12018). DOI: 10.21883/FTT.2017.06.44486.232
  1. J.P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert, A. Heberle, G. Abstreiter, G. Weimann. Appl. Phys. Lett. 56, 536 (1990)
  2. X.M.Fang, X.C.Shen, H.Q.Hou, W.Feng, J.M.Zhou, F.Koch. Surf. Sci. 228, 351 (1990)
  3. Y.S. Huang, H. Qiang, F.H. Pollak, G.D. Pettit, P.D. Kirchener, J.M. Woodall, H. Stiager, L.B. Sorensen. J. Appl. Phys. 70, 7537 (1991)
  4. F.S. Zhang, H. Luo, N. Dai, N. Samarth, M. Dobrowolska, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B 47, 3806 (1993)
  5. J. Leymarie, C. Monier, A. Vasson, A.-M. Vasson, M. Leroux, B. Courboul\`es, N. Grandjean, C. Deparis, J. Massies. Phys. Rev. B 51, 13274 (1995)
  6. P. Disseix, J. Leymarie, A. Vasson, A.-M. Vasson, C. Monier, N. Grandjean, M. Leroux, J. Mas. Phys. Rev. B 55, 2406 (1997)
  7. J. Leymarie, P. Disseix, M. Rezki, C. Monier, A. Vasson, A.-M. Vasson. Mater. Sci. Eng. B 44, 147 (1997)
  8. R.P. Seisyan, A.V. Kavokin, S.I. Kokhanovskii, A.I. Nesvizhskii, M.E. Sasin, M.A. Sinitsin, B.S. Yavich. Semicond. Sci. Technol. 10, 611 (1995)
  9. А.В. Кавокин, С.И. Кохановский, А.И. Несвижский, М.Э. Сасин, Р.П. Сейсян, В.М. Устинов, А.Ю. Егоров, А.Е. Жуков, С.В. Гупалов. ФТП 31, 1109 (1997)
  10. Ал.А. Эфрос. ФТП 20, 128 (1986)
  11. G. Peter, E. Deleporte, G. Bastard, J.M. Berroir, C. Delalande, B. Gil, J.M. Hong, L.L. Chang, J. Lumin. 52, 147 (1992)
  12. A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, I.N. Uraltsev, D.R. Yakovlev, G. Landwehr, R.N. Bicknell-Tassius, A. Waag. Phys. Rev. B 46, 9788 (1992)
  13. A.V. Kavokin, M.A. Kaliteevski, S.V. Goupalov, J.D. Berger, O. Lyngnes, H.M. Gibbs, G. Khitrova, A. Ribayrol, A. Bellabchara, P. Lefebvre, D. Coquillat, J.P. Lascaray. Phys. Rev. B 54, R11078 (1996)
  14. А.И. Екимов, А.А. Онущенко, Ал.Л. Эфрос. Письма в ЖЭТФ 43, 292 (1986)
  15. A.I. Ekimov, Al.L. Efros, M.G. Ivanov, A.A. Onushchenko, S.K. Shumilov. Solid State Commun. 69, 565 (1989)
  16. D.J Arent, K. Deneffe, C. Van Hoof, J. De Boeck, G. Borghs. J. Appl. Phys. 66, 1739 (1989)
  17. M.P.C.M. Krijn. Semicond. Sci. Technol. 6, 27 (1991)
  18. Landolt-Bornstein. Band-22 Halbleiter, III/22a. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (1987). V. 22. Ch. III. P. 22a
  19. Л.П. Горьков, И.Е. Дзялошинский. ЖЭТФ 53, 717 (1967)
  20. А.В. Кавокин, А.И. Несвижский, Р.П. Сейсян. ФТП 27, 977 (1993)
  21. P. Bigenwald, B. Gil. Solid State Commun. 91, 33 (1994)
  22. A.V. Kavokin, A.I. Nesvizhskii. Phys. Rev. B 49, 17055 (1994)
  23. A.V. Kavokin, V.P. Kochereshko, G.R. Pozina, I.N. Uraltsev, D.R. Yakovlev, G. Landwehr, R.N. Bicknell-Tassius, A. Waag. Phys. Rev. B 46, 7713 (1992)
  24. Л.Г. Герчиков, А.В. Субашиев. ФТП 27, 446 (1993)
  25. G.N. Aliev, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova, H. Gibbs, G. Khitrova. Phys. Status Solidi A 164, 193 (1997)
  26. Н.Д. Ильинская, С.И. Кохановский, Р.П. Сейсян. ФТП 27, 108 (1993)
  27. Г.Н. Алиев, Н.В. Лукьянова, Р.П. Сейсян. ФТТ 38, 1067 (1996)
  28. Р.П. Сейсян. Спектроскопия диамагнитных экситонов. М. (1984). 282 с
  29. R.P. Seisyan, B.P. Zakharchenya. In: Landau level spectroscopy / Ed. G. Landwehr, E.I. Rashba. North-Holland, Amsterdam (1991). V. 1. P. 345 [Modern Problems in Condensed Matter Sciences. V. 27]
  30. G.N. Aliev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, M.M. Moiseeva, R.P. Seisyan, H. Gibbs, G. Khitrova. IOP Publishing Ltd. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155 (1997). Ch. 2. P. 165
  31. С.И. Кохановский, Ю.М. Макушенко, Р.П. Сейсян, Ал.Л. Эфрос, Т.В. Язева, М.А. Абдуллаев. ФТП 25. 493 (1991)
  32. А. Клочихин, А. Резницкий, Л. Тенишев, С. Пермогоров, С. Иванов, С. Сорокин, Х. Муманис, Р. Сейсян, С. Клинглирн. Письма в ЖЭТФ 71, 348 (2000)
  33. A.V. Kavokin. Phys. Rev. B 50, 8000 (1994)
  34. R.M. Datsiev, V.A. Kosobukin, N.V. Luk'yanova, R.P. Seisyan, M.R. Vladimirova. In: Excitonic Processes in Condensed Matter / Ed. R.T. Williams, W.M. Yen. The Electrochemical Society Proceedings Series. Pennington, N. Y. (1998). P. 98-25
  35. N.J. Pulsford, R.J. Nicholas, R.J. Warburton, M.J. Lawless, G. Duggan, K.J. Moore, K. Woodbridge, C. Roberts. Superlat. Microstruct. 9, 521 (1991)
  36. A.V. Trifonov, S.N. Korotan, A.S. Kurdyubov, I.Ya. Gerlovin, I.V. Ignatiev, Yu.P. Efimov, S.A. Eliseev, V.V. Petrov, Yu.K. Dolgikh, V.V. Ovsyankin, A.V. Kavokin. Phys. Rev. B 91, 115307 (2015)
  37. H. Wang, H. Yu, X. Zhou, Q. Kan, L. Yuan, W. Chen, W. Wang, Y. Ding, J. Pan. Appl. Phys. Lett. 105, 141101 (2014)
  38. S. Gies, C. Kruska, C. Berger, P. Hens, C. Fuchs, A. Ruiz Perez, N.W. Rosemann, J. Veletas, S. Chatterjee, W. Stolz, S.W. Koch, J. Hader, J.V. Moloney, W. Heimbrodt. Appl. Phys. Lett. 107, 182104 (2015)
  39. R.P. Seisyan. Semicond. Sci. Technol. 27, 053001 (2012)
  40. Р.П Сейсян. ФТТ 58 833 (2016).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.