Издателям
Вышедшие номера
Структурная гетероэпитаксия при топохимическом превращении кремния в карбид кремния
Егоров В.К.1, Егоров Е.В.1, Кукушкин С.А. 2,3,4,5, Осипов А.В.2,3,4
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия
2Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
5Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 27 июня 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Методом каналирования ионов исследованы образцы карбида кремния, синтезированные из кремния методом топохимического замещения атомов. Результаты анализа однозначно доказывают наличие структурной гетероэпитаксии. Решетка синтезируемого карбида кремния гексагонального политипа 6H эпитаксиально согласована в направлении <0001> с решеткой исходного кремния подложки в направлении <111>. Выявлены основные особенности структурного самосогласования в этом эпитаксиальном гетерокомпозите. Несмотря на очень большое несоответствие параметров решеток карбида кремния и кремния, плотность дислокаций несоответствия на границе раздела невелика, что является особенностью метода топохимического замещения атомов, приводящего к соизмеримым структурам. В.К.Е и Е.В.E выражают благодарность за финансовую поддержку РФФИ (проекты N 15-08-02618-а и 16-07-00665), С.А.К. и А.В.О. выражают благодарность за финансовую поддержку РНФ (грант N 14-22-00018). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44279.261
  • L.C. Feldman, J.W. Mayer, S.T. Picraux. Material analysis by ion channeling. Academic Press, N. Y. (1982). 300 p
  • Э.Т. Шипатов. Каналирование ионов. Изд-во Ростов. ун-та, Ростов н/Д (1986). 140 с
  • High energy ion beam analysis of solids / Eds G. Gotz, K. Gartner. Academic-Verlag, Berlin (1988). 376 p
  • В.К. Егоров, Е.В. Егоров, Ю.М. Миронов. В сб.: Научные труды 20-й Межд. научно-техн. конф. Высокие технологии в промышленности России". Изд. МГТУ им. Н.Э. Баумана, М. (2015). С. 178
  • В.К. Егоров, Е.В. Егоров, М.С. Афанасьев. Наноинженерия. 11, 38 (2012)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 58, 725 (2016)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Письма в ЖТФ 40, 1, 71 (2014)
  • R.L. Doolittle. Nucl. Instr. Meth. B9, 344 (1985)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
  • J.R. Bird, J.S. Williams. Ion beams for material analysis. Academic Press, Sidney (1989). 719 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.