Вышедшие номера
Получение наноостровковых пленок Sn, Al, Cu и исследование их электропроводящих свойств
Томилин С.В. 1, Бержанский В.Н. 1, Милюкова Е.Т. 1, Томилина О.А.1, Яновский А.С.2
1Научно-исследовательский центр функциональных материалов и нанотехнологий, Физико-технический институт, Крымский федеральный университет им. В.И. Вернадского, Симферополь, Россия
2Запорожский национальный университет, Запорожье, Украина
Email: tomilin_znu@mail.ru, v.n.berzhansky@gmail.com, milyukova.elena@gmail.com
Поступила в редакцию: 18 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2017 г.

Представлены результаты получения наноостровковых пленок Sn, Al, Cu на диэлектрических подложках и исследования их морфологических и электропроводящих свойств. Показано, что исходная эффективная толщина плeнки существенно влияет на морфологические параметры наноостровков. При исследовании проводимости плeнок на этапе конденсации выявлен эффект спада проводимости после прекращения осаждения, который связан с процессами наноструктурирования. При исследовании температурных зависимостей проводимости плeнок обнаружены три области изменения электропроводности: низкотемпературная область активационного роста, область спада при наноструктурировании и высокотемпературная область активационного роста. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ в рамках базовой части государственного задания N 2015/701(код проекта 3879) и Государственного совета Республики Крым в рамках гранта молодым учeным Республики Крым (пост. N п170-1/16 от 02.02.2016). DOI: 10.21883/FTT.2017.04.44263.197
  1. И.А. Антонец, Л.Н. Котов, С.В. Некипелов, Е.Н. Карпушов. ЖТФ 74, 11, 102 (2004)
  2. А. Иванов. Соврем. светотехника 1, 45 (2010)
  3. Ю. Панфилов Технологии в электронной промышленности 3, 76 (2007)
  4. Д.Н. Лобанов, А.В. Новиков, М.В. Шалеев. Рост Ge(Si) самоформирующихся наноостровков на подложках Si(001) методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Электронное пособие]. ННГУ им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород (2010). 17 с
  5. А.И. Никифоров, В.В. Ульянов, О.П. Пчеляков, С.А. Тийс, А.К. Гутаковский. ФТТ 46, 80 (2004)
  6. А.Г. Бембель, В.М. Самсонов, М.Ю. Пушкарь, М.В. Самсонов. Вестн. ТвГУ. Cер. Физика 6, 98 (2009)
  7. К. Судзуки, Х. Фудзимори, К. Хасимото. Аморфные металлы / Пер. с яп. Е.И. Поляка. Металлургия, М. (1987). 328 с
  8. Технология тонких пленок. (Т. 2) / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга; пер. с англ. под ред. М.И. Елинсона, Г.Г. Смолок. Сов. радио, М. (1977). 768 с
  9. А.С. Яновский, С.В. Томилин. Поверхность 2, 47 (2013)
  10. E.S. Shim, H.S. Kang, S.S. Pang, J.S. Kang, I. Yun, S.Y. Lee. Mater. Sci. Eng. B. 102, 366 (2003)
  11. H.M. Kalpana, V.S. Prasad, M.M. Nayak. Int. J. Thin Films Sci. Technol. 2, 155 (2013)
  12. M.H. Habibi, N. Talebian. Acta Chim. Slov. 52, 53 (2005)
  13. D. Raoufi, A. Kiasatpour, H.R. Fallah, A.S.H. Rozatian. Appl. Surf. Sci. 253, 9085 (2007)
  14. D.G. Lim, G.S. Kang, S.I. Kwon, J.H. Yi. J. Korean Phys. Soc. 51, 1073 (2007)
  15. S.V. Tomilin, A.S. Yanovsky. J. Nano- and Electron. Phys. 5, 03 014 (2013)
  16. Р.Б. Салихов, А.Н. Лачинов, A.А. Бунаков. ФТТ 49, 179 (2007)
  17. М.П. Фатеев. ФТТ 52, 1053 (2010)
  18. А.П. Болтаев, Н.А. Пенин, А.О. Погосов, Ф.А. Пудонин. ЖЭТФ 126, 954 (2004)
  19. В.И. Светцов, И.В. Холодков. Физическая электроника и электронные приборы. Ивановский гос. хим.-технол. ун-т, Иваново (2008). 494 с
  20. Л.П. Павлов. Методы измерений параметров полупроводниковых материалов. Высш. шк., М. (1987). 240 с
  21. K.M. McPeak, S.V. Jayanti, S.J.P. Kress, S. Meyer, S. Iotti, A. Rossinelli, D.J. Norris. ACS Photonics 2, 326 (2015)
  22. В.А. Белоус, В.М. Лунев, В.С. Павлов, А.К. Турчина. Вопр. атомной науки и техники 4, 221 (2006)
  23. Б.А. Осадин, Г.И. Шаповалов. Физика и химия обраб. материалов 5, 43 (1976)
  24. В.Б. Лобода, С.Н. Хурсенко. ЖЭТФ 130, 911 (2006)
  25. A. Ito, H. Masumoto, T. Goto. Mater. Transact. 49, 158 (2008)
  26. I.A. Gladskikh, N.B. Leonov, S.G. Przhibel'skii, T.A. Vartanyan. Nanosystems: Physics, Chemistry, Mathematics 4, 524 (2013)
  27. P.B. Catrysse, Sh. Fan. Nano Lett. 10, 2944 (2010)
  28. J.L.M. Rupp, L.J. Gauckler. Solid State Ion. 177, 2513 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.