Вышедшие номера
Сравнительный анализ толщины и электрической проводимости тонких халькогенидных полупроводниковых пленок
Даньшина В.В. 1, Калистратова Л.Ф. 1
1Омский государственный технический университет, Омск, Россия
Email: danshina_v@mail.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2016 г.

Проведено рентгенографическое исследование структуры и толщины полупроводниковых пленок халькогенидов цинка и кадмия. Показано, что толщина пленок соизмерима с глубиной половинного слоя ослабления рентгеновских лучей. При нагревании в атмосфере водорода электрическая проводимость пленок увеличивается, а при нагревании в оксиде углерода уменьшается. Получена противоположная тенденция в соотношении величин электрической проводимости и ширины запрещенной зоны исходной и окисленной поверхностей пленок. DOI: 10.21883/FTT.2017.01.43970.174
  1. А.В. Волков. Компьютерная оптика 24, 74 (2002)
  2. N. Ali, A. Hussain, R. Ahmed, M.K. Wang, C. Zhao, B.U. Haq, Y.Q. Fu. Renew. Sustain. Energy Rev. В 59, 726 (2016)
  3. I. Lokteva, N. Radichev, F. Witt, H. Borchert, J. Parisi. J. Phys. Chem. 114, 12 784 (2010)
  4. Л.И. Миркин. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов. Физматгиз. М. (1961). 863 с
  5. Е.А. Москатов. Основы электронной техники. Феникс, Ростов н/Д (2010). 378 с
  6. B. Maniscalco, A. Abbas, J.W. Bowers, P.M. Kaminski, K. Bass, G. West, J.M. Walls. Thin Solid Films 582, 115 (2015)
  7. В.В. Брус, М.Н. Солован, Э.В. Майструк, И.П. Козярский, П.Д. Марьянчук, К.С. Ульяницкий, J. Rappich. ФТТ 56, 1886 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.