Вышедшие номера
Упругонапряженные и релаксированные пленки La0.67Ca0.33MnO3, выращенные на подложках из алюмината лантана с различной ориентацией
Бойков Ю.А.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Клаесон Т.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Чалмерский технический университет, Гетеборг, Швеция
Email: Yu.Boikov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 мая 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Методами рассеяния ионов средних энергий и рентгеновской дифракции исследована структура пленок La0.67Ca0.33MnО3 (LCMO) толщиной 40 nm, сформированных методом лазерного испарения на подложках (001) и (110) LaAlO3 (LAO). Выращенные манганитные слои находились под действием латеральных двухосных сжимающих механических напряжений. Напряжения релаксировали в значительной степени, когда в качестве подложек использовались пластины (110)LAO, причем релаксация сопровождалась формированием дефектов в прослойке манганитной пленки толщиной 3-4 nm, прилегающей к межфазной границе LCMO--(110)LAO. Исследование структуры выращенных слоев сопровождалось измерением их электро- и магнетотранспортных параметров. Максимальные значения электросопротивления пленок LCMO, выращенных на обоих типах подложек, наблюдались при температуре TM порядка 250 K. При температурах, близких к TM, магнетосопротивление пленок LCMO/(110)LAO на 20-30% превышало соответствующие данные для пленок LCMO/(001)LAO, однако при низких температурах (T<150 K) ситуация становилась обратной. При T<TM магнетотранспорт в выращенных манганитных пленках существенно зависел от упорядочения спинов в ферромагнитных доменах, которые увеличивались с понижением температуры. Ю.А. Бойков и Т. Клаесон признательны за частичную финансовую поддержку данных исследований РФФИ (проект N 15-02-03996), а также the Swedish Research Councilf, the Knut and Alice Wallenberg foundation.
  1. M. Pannetier, С. Fermon, G. Le Goff, О. Simola, Т. Kerr. Science 304, 1648 (2004)
  2. Yu.A. Boikov, T. Claeson. Phys.Rev. B 70, 184433 (2004)
  3. A. Goyal, M. Rajeswari, R. Shreekala, S.E. Lofland, S.M. Bhagat, T. Boettcher, C. Kwon, R. Ramesh, T. Venkatesan. Appl. Phys. Lett. 71, 2535 (1997)
  4. E.O. Wollan, W.C. Koehler. Phys. Rev. 100, 545 (1955)
  5. M. Fath, S. Freisem, A.A. Menovsky, Y. Tomioka, J. Aarts, J. Mydosh. Science 285, 1540 (1999)
  6. A. Urushibara, Y. Morimoto, T. Arima, A. Asamitsu, G. Kido, Y. Tokura. Phys. Rev. B 51, 14103 (1995)
  7. J.N. Eckstein, I. Bozovic, J. O'Donnell, M. Onellion, M.S. Rzchowski. Appl. Phys. Lett. 69, 1312, 1996
  8. O.I. Lebedev, G. Van Tendeloo, S. Amelinckx, B. Leibold, H.-U. Habermeier. Phys. Rev. B 58, 8065 (1998)
  9. B. Wiedenhorst, C. Hofedner, Y. Lu, J. Klein, L. Alff, R. Gross, B.H. Freitag, W. Mader. Appl. Phys. Lett. 74, 3636 (1999)
  10. Yu.A. Boikov, R. Gunnarsson, T. Claeson. J. Appl. Phys. 96, 435 (2004)
  11. J. Krupka, R.G. Geyer, M. Kuhn, J.H. Hinken. IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 42, 1886 (1994)
  12. P. Bailey, T.C.Q. Noakes, C.J. Baddeley, S.P. Tear, D.P. Woddruff. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. B 183, 62 (2001)
  13. V.V. Afrosimov, R.N. Il'in, S.F. Karmanenko, A.A. Melkov, V.I. Sakharov, I.T. Serenkov. Thin Solid Films 492, 146 (2005)
  14. T.I. Kamins. J. Appl. Phys. 42, 4357 (1971)
  15. G.J. Snyder, R. Hiskes, S. DiCarolis, M.R. Beasley, T.H. Geballe. Phys. Rev. B 53, 14434 (1996)
  16. Р. Dai, J. Zhang, H.A. Mook, S.-H. Lion, P.A. Dowben, E.W. Plummer. Phys. Rev. B 54, R3694 (1996)
  17. R.W.J. Wyckoff. Crystal structures. 2nd ed. Interscience N.Y. (1964). V. 2. P. 394
  18. C. Zuccaro, H.L. Berlincourt, N. Klein, K. Urban. J. Appl. Phys. 82, 5695 (1997)
  19. I.C. Infante, F. Sanchez, J. Fontcuberta, M. Wojcik, E. Jedryka, S. Estrade, F. Peir, J. Arbiol, V. Laukhin, J.P. Espinos. Phys. Rev. B 76, 224415 (2007)
  20. L.M. Berndt, V. Balbarin, Y. Suzuki. Appl. Phys. Lett. 77, 2903 (2000)
  21. P. Schiffer, A.P. Ramirez, W. Bao, S.-W. Cheong. Phys. Rev. Lett. 75, 3336 (1995)
  22. J.M. De Teresa, M.R. Ibarra, J. Blasco, J. Garcia, C. Marquina, P.A. Algarabel, Z. Arnold, K. Kamenev, C. Ritter, R. von Helmolt. Phys. Rev. B 54, 1187 (1996)
  23. T. Zhang, X.P. Wang, Q.F. Fang, X.G. Li. Appl. Phys. Rev. 1, 031302 (2014)
  24. K. Kubo, N. Ohata. J. Phys. Soc. Jpn. 33, 21 (1972)
  25. Qi Li, H.S. Wang, Y.F. Hu, E. Wertz. J. Appl. Phys. 87, 5573 (2000)
  26. E.D. Dahlberg, K. Riggs. J. Appl. Phys. 63, 4270 (1988)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.