Издателям
Вышедшие номера
Электронно-микроскопические исследования образования структурных дефектов в ZnS при облучении электронами с энергией 400 keV
Логинов Ю.Ю.1, Брильков А.В.2, Мозжерин А.В.2
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М.Ф. Решетнева, Красноярск, Россия
2Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
Email: loginov@sibsau.ru
Поступила в редакцию: 1 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2016 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследованы кристаллы ZnS, выращенные из газовой фазы, и эпитаксиальные структуры ZnS/(001)GaAs, выращенные методом металлоорганической парофазной эпитаксии, после облучения in situ в электронном микроскопе при энергии электронов 400 keV и интенсивности (1-4)·1019 e/cm2·s. Показано, что при облучении происходит образование мелких дислокационных петель с размерами 2.5-45 nm и плотностью 1.4·1011 cm-2, а также пор и выделений новой фазы с размерами ≤10 nm. Выделения могут быть идентифицированы с помощью анализа муарового контраста как ZnO и ZnO2.
  • Ю.Ю. Логинов, П. Браун, К. Дьюроуз. Закономерности образования структурных дефектов в полупроводниках A-=SUB=-2-=/SUB=-B-=SUB=-6-=/SUB=-. Логос, М. (2003). 304 с
  • В.В. Козловский, А.А. Лебедев, Е.В. Богданова, Н.В. Середова. ФТП 49, 1198 (2015)
  • L. Fedina, A. Gutakovskii, A. Aseev, J. Van Landuyt, J. Vanhellemont. Phys. Status Solidi A 171, 147 (1999)
  • О.Г. Грушка, В.Т. Маслюк, С.М. Чупыра, О.М. Мыслюк, С.В. Биличук, И.И. Заболоцкий. ФТП 46, 327 (2012)
  • S. Lavagne, C. Levade, G. Vanderschaeve. Mater. Sci. Eng. B 128, 1 (2006)
  • M. Heuken. J. Cryst. Growth 146, 570 (1995)
  • M. Hirata, M. Kiritani. Physica B+C 116, 616 (1983)
  • K. Nakai, C. Kinoshita, Y. Muroo, S. Katajima. Phil. Mag. A 48, 215 (1983)
  • K. Urban. Phys. Status Solidi A 56, 157 (1979)
  • В.М. Лазаренко, Ю.М. Платов, М.И. Плетнев. ФMM 50, 164 (1989)
  • H. Abe, T. Ishizaki, F. Li, S. Kano, Y. Li, Y. Satoh, T. Nagase, H. Yasuda. Mater. Trans. 55, 423 (2014)
  • П.Д. Браун, Ю.Ю. Логинов, У.М. Стоббс, К.Дж. Хамфрейс. ФТТ 38, 284 (1996)
  • Yu.Yu. Loginov, P.D. Brown. Phys. Status Solidi A 132, 323 (1992)
  • Y.Y. Loginov, P.D. Brown, C.J. Humphreys. Microsc. Semicond. Mater. 146, 431 (1995)
  • П. Хирш, А. Хови, Р. Николсон, Д. Пэшли, М. Уэлан. Электронная микроскопия тонких кристаллов. Мир, М. (1967). 574 с
  • N. Thangaraj, B. Wessels. J. Appl. Phys. 67, 1535 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.