Издателям
Вышедшие номера
Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As
Минобрнауки РФ, государственное задание, 8.1054.2014/К,
Минобрнауки РФ, государственное задание, 3.285.2014/K
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), инициативный проект, 15-02-07824_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), ведущих молодых учёных, 15-38-20642 мол_а_вед
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), инициативный проект, 16-07-01102_а
грант президента РФ, Программа государственной поддержки молодых российских ученых, МК-8221.2016.2
Малышева Е.И.1, Дорохин М.В.1, Здоровейщев А.В.1, Ведь М.В.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: malysheva@phys.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/n+-GaAs путем варьирования параметров n+-GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проекты N 8.1054.2014/К, N 3.285.2014/K, N 3423) Минобрнауки РФ, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824_а, 15-38-20642 мол_а_вед и 16-07-01102_а), а также при поддержке гранта Президента РФ (МК-8221.2016.2).
  • M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D 40, R179 (2007)
  • T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
  • D.K. Young, E. Johnston-Halperin, D.D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Phys. Lett. 80, 1598 (2002)
  • M. Kohda, Y. Ohno, K. Takamura, F. Matsukura, H. Ohno. Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1274 (2001)
  • D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol. 17, 275 (2002)
  • M. Oltscher, M. Ciorga, M. Utz, D. Schuh, D. Bougeard, D. Weiss. Phys. Rev. Lett. 113, 236602 (2014)
  • M. Kohda, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno. Physica E 32, 438 (2006)
  • P. Van Dorpe, Z. Liu, W. Van Roy, V.F. Motsnyi, M. Sawicki, G. Borghs, J. De Boeck. Appl. Phys. Lett. Appl. Phys. Lett. 84, 3495 (2004)
  • Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн. 75, 6, 56 (2008)
  • Е.И. Малышева, М.В. Дорохин, М.В. Ведь, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев. ФТП 49, 1497 (2015)
  • Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ 52, 2124 (2010)
  • G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, H. Nickel. Phys. Rev. B 47, 9545 (1993)
  • Б.П. Захарченя, Ф. Майер. Оптическая ориентация. Наука, Л. (1989). 408 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.