Вышедшие номера
Туннелирование и инжекция в ферромагнитных структурах InGaAs/GaAs/(Ga,Mn)As и InGaAs/n+-GaAs/(Ga,Mn)As
Минобрнауки РФ, государственное задание, 8.1054.2014/К,
Минобрнауки РФ, государственное задание, 3.285.2014/K
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), инициативный проект, 15-02-07824_а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), ведущих молодых учёных, 15-38-20642 мол_а_вед
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), инициативный проект, 16-07-01102_а
грант президента РФ, Программа государственной поддержки молодых российских ученых, МК-8221.2016.2
Малышева Е.И.1, Дорохин М.В.1, Здоровейщев А.В.1, Ведь М.В.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: malysheva@phys.unn.ru, dorokhin@nifti.unn.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Проведено исследование спиновых светоизлучающих диодов на основе гетероструктур с квантовой ямой InGaAs/GaAs и инжектором в виде ферромагнитного слоя (Ga,Mn)As. Показана возможность управления эффективностью спиновой инжекции электронов в структуре с туннельным барьером (Ga,Mn)As/n+-GaAs путем варьирования параметров n+-GaAs. Обсуждаются механизмы управления спиновой инжекцией, связанные с термической активацией и туннелированием носителей. Работа выполнена в рамках реализации государственного задания (проекты N 8.1054.2014/К, N 3.285.2014/K, N 3423) Минобрнауки РФ, при поддержке РФФИ (гранты N 15-02-07824_а, 15-38-20642 мол_а_вед и 16-07-01102_а), а также при поддержке гранта Президента РФ (МК-8221.2016.2).
  1. M. Holub, P. Bhattacharya. J. Phys. D 40, R179 (2007)
  2. T. Dietl, H. Ohno. Rev. Mod. Phys. 86, 187 (2014)
  3. D.K. Young, E. Johnston-Halperin, D.D. Awschalom, Y. Ohno, H. Ohno. Appl. Phys. Lett. 80, 1598 (2002)
  4. M. Kohda, Y. Ohno, K. Takamura, F. Matsukura, H. Ohno. Jpn. J. Appl. Phys. 40, L1274 (2001)
  5. D.K. Young, J.A. Gupta, E. Johnston-Halperin, R. Epstein, Y. Kato, D.D. Awschalom. Semicond. Sci. Technol. 17, 275 (2002)
  6. M. Oltscher, M. Ciorga, M. Utz, D. Schuh, D. Bougeard, D. Weiss. Phys. Rev. Lett. 113, 236602 (2014)
  7. M. Kohda, Y. Ohno, F. Matsukura, H. Ohno. Physica E 32, 438 (2006)
  8. P. Van Dorpe, Z. Liu, W. Van Roy, V.F. Motsnyi, M. Sawicki, G. Borghs, J. De Boeck. Appl. Phys. Lett. Appl. Phys. Lett. 84, 3495 (2004)
  9. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Е.С. Демидов, П.Б. Демина, М.В. Дорохин, Ю.Н. Дроздов, В.В. Подольский, М.В. Сапожников. Опт. журн. 75, 6, 56 (2008)
  10. Е.И. Малышева, М.В. Дорохин, М.В. Ведь, А.В. Кудрин, А.В. Здоровейщев. ФТП 49, 1497 (2015)
  11. Б.Н. Звонков, О.В. Вихрова, Ю.А. Данилов, Ю.Н. Дроздов, А.В. Кудрин, М.В. Сапожников. ФТТ 52, 2124 (2010)
  12. G. Bacher, C. Hartmann, H. Schweizer, T. Held, G. Mahler, H. Nickel. Phys. Rev. B 47, 9545 (1993)
  13. Б.П. Захарченя, Ф. Майер. Оптическая ориентация. Наука, Л. (1989). 408 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.