Издателям
Вышедшие номера
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K
Российский научный фонд, 14-22-00107
Торопов А.А. 1, Шевченко Е.А.1, Шубина Т.В.1, Жмерик В.Н.1, Нечаев Д.В.1, Pozina G.2, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
Email: toropov@beam.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носителей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения ~300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект N 14-22-00107).
  • III-nitride ultraviolet emitters: technology and applications. V. 227 / Eds M. Kneissl, J. Rass. Springer Ser. in Materials Science. Springer International Publ. (2016). 442 p
  • S.F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B.A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P.T. Fini, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, T. Sota. Nature Mater. 5, 810 (2006)
  • A. Pinos, V. Liuolia, S. Marcinkevicius, J. Yang, R. Gaska, M.S. Shur. J. Appl. Phys. 109, 113516 (2011)
  • Y. Iwata, T. Oto, D. Gachet, R.G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami. J. Appl. Phys. 117, 115702 (2015)
  • D. Korakakis, K.F. Ludwig, Jr., T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 71, 72 (1997)
  • M. Gao, S.T. Bradley, Y. Cao, D. Jena, Y. Lin, S.A. Ringel, J. Hwang, W.J. Schaff, L.J. Brillson. J. Appl. Phys. 100, 103512 (2006)
  • A. Wise, R. Nandivada, B. Strawbridge, R. Carpenter, N. Newman, S. Mahajan. Appl. Phys. Lett. 92, 261914 (2008).
  • В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, А.В. Сахаров, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.В. Данильчик, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский. ФТП 42, 1452 (2008)
  • A.A. Toropov, E.A. Shevchenko, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, G. Pozina, P. Bergman, B. Monemar, S. Rouvimov, S.V. Ivanov. Phys. Stat. Sol. C 13, 232 (2016)
  • I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003)
  • G.I. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and strain-induced effects in semiconductors. Wiley, N. Y. (1974). 484 p
  • A.A. Toropov, E.A. Shevchenko, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, M.A. Yagovkina, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 114, 124306 (2013)
  • J.E. Northrup, C.L. Chua, Z. Yang, T. Wunderer, M. Kneissl, N.M. Johnson, T. Kolbe. Appl. Phys. Lett. 100, 021101 (2012)
  • B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina. Phys. Status Solidi B 244, 1759 (2007)
  • V.N. Jmerik, A.M. Mizerov, D.V. Nechaev, P.A. Aseev, A.A. Sitnikova, S.I. Troshkov, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 354, 188 (2012)
  • D.V. Nechaev, P.A. Aseev, V.N. Jmerik, P.N. Brunkov, Y.V. Kuznetsova, A.A. Sitnikova, V.V. Ratnikov, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 378, 319 (2013)
  • V.N. Jmerik, E.V. Lutsenko, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi A 210, 439 (2013)
  • M. Gurioli, A. Vinattieri, M. Colocci, C. Deparis, J. Massies, G. Neu, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B 44, 3115 (1991)
  • B.K. Ridley. Phys. Rev. B 41, 12190 (1990).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.