Издателям
Вышедшие номера
Наноструктуры AlGaN с экстремально высоким внутренним квантовым выходом при 300 K
Российский научный фонд, 14-22-00107
Торопов А.А. 1, Шевченко Е.А.1, Шубина Т.В.1, Жмерик В.Н.1, Нечаев Д.В.1, Pozina G.2, Иванов С.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, Linkoping, Sweden
Email: toropov@beam.ioffe.ru
Выставление онлайн: 20 октября 2016 г.

Представлены результаты теоретической оптимизации конструкции гетероструктур с квантовыми ямами на основе твердых растворов AlGaN с целью достижения максимальной энергии активации носителей заряда и максимальной энергии связи экситона при длине волны излучения ~300 nm. Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота изготовлен образец оптимизированной конструкции, в котором излучательная рекомбинация доминирует во всем диапазоне температур от 5 до 300 K, а внутренний квантовый выход при комнатной температуре составляет порядка 80% от величины, измеренной при 5 K. Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект N 14-22-00107).
  1. III-nitride ultraviolet emitters: technology and applications. V. 227 / Eds M. Kneissl, J. Rass. Springer Ser. in Materials Science. Springer International Publ. (2016). 442 p
  2. S.F. Chichibu, A. Uedono, T. Onuma, B.A. Haskell, A. Chakraborty, T. Koyama, P.T. Fini, S. Keller, S.P. DenBaars, J.S. Speck, U.K. Mishra, S. Nakamura, S. Yamaguchi, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, J. Han, T. Sota. Nature Mater. 5, 810 (2006)
  3. A. Pinos, V. Liuolia, S. Marcinkevicius, J. Yang, R. Gaska, M.S. Shur. J. Appl. Phys. 109, 113516 (2011)
  4. Y. Iwata, T. Oto, D. Gachet, R.G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami. J. Appl. Phys. 117, 115702 (2015)
  5. D. Korakakis, K.F. Ludwig, Jr., T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 71, 72 (1997)
  6. M. Gao, S.T. Bradley, Y. Cao, D. Jena, Y. Lin, S.A. Ringel, J. Hwang, W.J. Schaff, L.J. Brillson. J. Appl. Phys. 100, 103512 (2006)
  7. A. Wise, R. Nandivada, B. Strawbridge, R. Carpenter, N. Newman, S. Mahajan. Appl. Phys. Lett. 92, 261914 (2008).
  8. В.Н. Жмерик, А.М. Мизеров, Т.В. Шубина, А.В. Сахаров, А.А. Ситникова, П.С. Копьев, С.В. Иванов, Е.В. Луценко, А.В. Данильчик, Н.В. Ржеуцкий, Г.П. Яблонский. ФТП 42, 1452 (2008)
  9. A.A. Toropov, E.A. Shevchenko, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, G. Pozina, P. Bergman, B. Monemar, S. Rouvimov, S.V. Ivanov. Phys. Stat. Sol. C 13, 232 (2016)
  10. I. Vurgaftman, J.R. Meyer. J. Appl. Phys. 94, 3675 (2003)
  11. G.I. Bir, G.E. Pikus. Symmetry and strain-induced effects in semiconductors. Wiley, N. Y. (1974). 484 p
  12. A.A. Toropov, E.A. Shevchenko, T.V. Shubina, V.N. Jmerik, D.V. Nechaev, M.A. Yagovkina, A.A. Sitnikova, S.V. Ivanov, G. Pozina, J.P. Bergman, B. Monemar. J. Appl. Phys. 114, 124306 (2013)
  13. J.E. Northrup, C.L. Chua, Z. Yang, T. Wunderer, M. Kneissl, N.M. Johnson, T. Kolbe. Appl. Phys. Lett. 100, 021101 (2012)
  14. B. Monemar, P.P. Paskov, J.P. Bergman, A.A. Toropov, T.V. Shubina. Phys. Status Solidi B 244, 1759 (2007)
  15. V.N. Jmerik, A.M. Mizerov, D.V. Nechaev, P.A. Aseev, A.A. Sitnikova, S.I. Troshkov, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 354, 188 (2012)
  16. D.V. Nechaev, P.A. Aseev, V.N. Jmerik, P.N. Brunkov, Y.V. Kuznetsova, A.A. Sitnikova, V.V. Ratnikov, S.V. Ivanov. J. Cryst. Growth 378, 319 (2013)
  17. V.N. Jmerik, E.V. Lutsenko, S.V. Ivanov. Phys. Status Solidi A 210, 439 (2013)
  18. M. Gurioli, A. Vinattieri, M. Colocci, C. Deparis, J. Massies, G. Neu, A. Bosacchi, S. Franchi. Phys. Rev. B 44, 3115 (1991)
  19. B.K. Ridley. Phys. Rev. B 41, 12190 (1990).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.