Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальный оксид галлия на подложках SiC/Si
Кукушкин С.А. 1,2,3, Николаев В.И. 2,4,5, Осипов А.В. 1,2,3, Осипова Е.В. 1, Печников А.И. 2,4, Феоктистов Н.А. 1,4
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5ООО Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 24 марта 2016 г.
Выставление онлайн: 21 августа 2016 г.

Методом хлоридной эпитаксии на пластинах кремния ориентации (111) с буферным слоем нано SiC выращены хорошо текстурированные, близкие по структуре к эпитаксиальным слои оксида галлия beta-Ga2O3 толщиной ~1 mum. Для улучшения роста на поверхности кремния предварительно был синтезирован методом замещения атомов высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Пленки beta-Ga2O3 всесторонне исследованы методами электронографии, эллипсометрии, рентгеноструктурного анализа, растровой электронной микроскопии и микрорамановской спектроскопии. Исследования показали, что пленки текстурированы со структурой, близкой к эпитаксиапльной, и состоят из чистой beta-фазы Ga2O3, имеющей ориентацию (201). Измерена зависимость диэлектрической проницаемости эпитаксиального beta-Ga2O3 от энергии фотона в дипазоне 0.7-6.5 eV в изотропном приближении. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов и Н.А. Феоктистов выражают благодарность РФФИ за финансовую поддержку (гранты N 15-0306155 и 16-29-03149\_2016-офи). В.И. Николаев и А.И. Печников благодарят за финансовую поддержку Российский научный фонд (грант РНФ N 14-29-00086) в исследовании эпитаксиального роста оксида галлия.
  • M. Higashiwaki, K. Sasaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. Appl. Phys. Lett. 100, 013 504 (2012)
  • K. Sasaki, M. Higashiwaki, A. Kuramata, T. Masui, S. Yamakoshi. J. Cryst. Growth 378, 591 (2013)
  • L. Kong, J. Ma, C. Luan, W. Mi, Y. Lv. Thin Solid Films 520, 4270 (2012)
  • D. Gogova, G. Wagner, M. Baldini, M. Schmidbauer, K. Irmscher, R. Schewski, Z. Galazka, M. Albrecht, R. Fornari. J. Cryst. Growth 401, 665 (2014)
  • G. Wagner, M. Baldini, D. Gogova, M. Schmidbauer, R. Schewski, M. Albrecht, Z. Galazka, D. Klimm, R. Fornari. Phys. Status Solidi A 211, 27 (2014)
  • D.J. Comstock, J.W. Elam. Chem. Mater. 24, 4011 (2012)
  • T. Matsumoto, M. Aoki, A. Kinoshita, T. Aono. Jpn. J. Appl. Phys. 13, 1578 (1974)
  • Y. Oshima, E.G. Villora, K. Shimamura, E.G. Villora, K. Shimamura, K. Nomura. J. Cryst. Growth 410, 53 (2015)
  • Y. Oshima, E.G. Villora, Y. Matsushita, S. Yamamoto, K. Shimamura. J. Appl. Phys. 118, 085 301 (2015)
  • V.I. Nikolaev, A.I. Pechnikov, S.I. Stepanov, I.P. Nikitina, A.N. Smirnov, A.V. Chikiryaka, S.S. Sharofidinov, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Mater. Sci. Semicond. Proc. 47, 16 (2016)
  • S.I. Stepanov, V.I. Nikolaev, V.E. Bougrov, A.E. Romanov. Rev. Adv. Mater. Sci. 44, 63 (2016)
  • S. Geller. J. Chem. Phys. 33, 676 (1960)
  • A. Trinchi, W. Wlodarski, Y.X. Li. Sensors Actuators B 100, 1--2, 94 (2004)
  • A. Trinchi, Y.X. Li, W. Wlodarski, S. Kaciulis, L. Pandolfi. Proc. SPIE 4936, 327 (2002)
  • S.-H. Chang, Z.-Z. Chen, W. Huang, X.-C. Liu, B.-Y. Chen, Z.-Z. Li, E.-W. Shi. Chin. Phys. B 20, 116 101 (2011)
  • K. Nomura, K. Gotob, R. Togashia, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Koukitu. J. Cryst. Growth 405, 19 (2014)
  • P. Vogt, O. Bierwagen. Appl. Phys. Lett. 106, 081 910 (2015)
  • D.H. Kim, S.H. Yoo, T.-M. Chung, K.-S. An, H.-S. Yoo, Y. Kim. Bull. Korean Chem. Soc. 23, 225 (2002)
  • S. Rafique, L. Han, C.A. Zorman, H. Zhao. Cryst. Growth Desing 16, 511 (2016)
  • A. HahneL, E. Pippel, J. Woltersdorf. Cryst. Res. Technol. 35, 663 (2000)
  • Y. Hijikata, S. Yagi, H. Yaguchi, S. Yoshida. In: Physics and technology of silicon carbide devices / Ed. Y. Hijikata. (2012). P. 181--206
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.Г. Жуков, С.А. Кукушкин, А.В. Лукьянов, А.В. Осипов, Н.А. Феоктистов. Патент N 130996. Приоритет от 26.02.2013
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
  • Z. Sun, L.H. Yang, X.C. Shen, Z.H. Chen. Chi. Sci. Bull. 57, 565 (2012)
  • R. Rao, A.M. Rao, B. Xu, J. Dong, S. Sharma, M.K. Sunkara. J. Appl. Phys. 98, 094 312 (2005)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.