Вышедшие номера
Максвелл-вагнеровская релаксация и магнитодиэлектрические свойства керамики Bi0.5La0.5MnO3
Турик А.В.1,2, Павленко А.В.1,3, Резниченко Л.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Южного федерального университета, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Email: turik1934@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 января 2016 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2016 г.

При температуре T=78 K в диапазоне частот f=200-105 Hz и магнитных индукций B=0-5 T выполнены измерения комплексной диэлектрической проницаемости varepsilon=varepsilon'-ivarepsilon'' керамики манганита висмута-лантана Bi0.5La0.5MnO3. Обнаружены диэлектрическая релаксация и четко выраженный магнито-диэлектрический эффект. Предложено объяснение, основанное на суперпозиции максвелл-вагнеровской релаксации и магниторезистивного эффекта. Работа выполнена при финансовой поддержке МОН РФ (базовая и проектная части гос. Задания: проект N 1927, темы N 213.01-2014/012-ВГ и 3.1246.2014/К) и РФФИ (грант N 16-32-60095 мол_а_дк).
  1. А.Р. Хиппель. Диэлектрики и волны. ИИЛ, М. (1960). 440 с
  2. Н.П. Богородицкий, Ю.М. Волокобинский, А.А. Воробьев, Б.М. Тареев. Теория диэлектриков. Энергия, М.-Л. (1965). 344 с
  3. В.А. Хомченко, И.О. Троянчук, О.С. Мантыцкая, М. Товар, Г. Шимчак. ЖЭТФ 130, 64 (2006)
  4. И.О. Троянчук. Изв. НАН Беларуси 4, 28 (2013)
  5. А.В. Павленко, А.В. Турик, Л.А. Резниченко, Л.А. Шилкина, Г.М. Константинов. Письма в ЖТФ 39, 47 (2013)
  6. А.В. Павленко, А.В. Турик, Л.А. Резниченко, Ю.С. Кошкидько. ФТТ 56, 1093 (2014)
  7. А.В. Павленко, А.В. Турик, Л.А. Резниченко. Изв. РАН. Сер. физ. 78, 1042 (2014)
  8. G. Catalan. Appl. Phys. Lett. 88, 102 902 (2006)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.