Предложена модель смешанной (ионной и дырочной) проводимости в кристаллах Tl₃VS₄ при температурах, близких к комнатной. Значительная доля ионной составляющей проводимости (около 70% от общей) объясняется наличием в материале нестехиометрических электрически активных вакансий таллия, акцепторные уровни которых обеспечивают p-тип проводимости. Для описания характерной зависимости напряжения на образце от времени в режимах поляризации и деполяризации использовалась диффузионная теория смешанной проводимости, развитая ранее Йокотой. Приведены результаты экспериментальных исследований явлений переноса заряда в Tl₃VS₄ и их обработка в соответствии с теоретической моделью.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.