Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние взаимодействия в системе Ga-As-O на морфологию поверхности GaAs при молекулярно-лучевой эпитаксии
Российский научный фонд, 15-19-10006
Агеев О.А.
1, Балакирев С.В.
1, Солодовник М.С.
1, Еременко М.М.1
1Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия 
Email: solodovnikms@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 августа 2015 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2016 г.
Проведен термодинамический анализ и определены теоретические закономерности процессов межфазного взаимодействия в системе Ga-As-О с учетом нелинейных теплофизических свойств соединений, состава оксидных пленок и режимов молекулярно-лучевой эпитаксии GaAs. Проведены экспериментальные исследования процессов взаимодействия собственного окисла GaAs с материалом подложки, а также с Ga и As4 из парогазовой фазы. Показана корреляция экспериментальных результатов с результатами термодинамического анализа. Предложены закономерности влияния процессов удаления собственного окисла на эволюцию морфологии поверхности GaAs в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследование выполнено за счет гранта Российского научного фонда (проект N 15-19-10006). Результаты получены с использованием оборудования Центра коллективного пользования и Научно-образовательного центра "Нанотехнологии" Южного федерального университета.
- D.A. Allwood, R.T. Carline, N.J. Masona, C. Pickering, B.K. Tannerc, P.J. Walker. Thin Solid Films 364, 33 (2000)
- B.K. Tanner. Mater. Sci. Eng. B 80, 99 (2001)
- M.R. Vilar, J. El Beghdadi, F. Debontridder, R. Artzi, R. Naaman, A.M. Ferraria, A.M. Botelho do Rego. Surf. Interface Analysis 37, 673 (2005)
- Н.Н. Безрядин, Г.И. Котов, И.Н. Арсентьев, Ю.Н. Власов, А.А. Стародубцев. ФТП 6, 756 (2012)
- Д.П Валюхов. Вестн. СКГТУ 2, 1 (2010)
- J.F. Bauters, R.E. Fenlon, C.S. Seibert, W. Yuan, J.S.B. Plunkett, J. Li, D.C. Hall. Appl. Phys. Lett. 99, 142 111 (2011).
- N. Isomura, S. Tsukamoto, K. Iizuka, Y. Arakawa. J. Cryst. Growth 301- 302, 26(2007)
- A. Guillen-Cervantes, Z. Rivera-Alvarez, M. Lopez-Lopez, E. Lopez-Luna, I. Hernandez-Calderon. Thin Solid Films 373, 159 (2000)
- Y. Asaoka. J. Cryst. Growth 251, 40 (2003)
- A.F. Pun, X. Wang, S.M. Durbin, J.P. Zheng. Thin Solid Films 515, 4419 (2007)
- Л. Ченг, К. Плог. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры. Мир, М. (1989). 600 с
- V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, G.E. Cirlin, M. Tchernycheva, J.-C. Harmand, V. Ustinov. Phys. Rev. E 77, 31 606 (2008)
- А.В. Рукомойкин, М.С. Солодовник. Изв. ЮФУ. Техн. науки 4 (117), 237 (2011).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
