Издателям
Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
Антипов В.В.1,2, Кукушкин С.А.1,3, Осипов А.В.1,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Впервые выращен эпитаксиальный слой сульфида кадмия толщиной 300 nm на кремнии. Для этой цели использовался метод испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме. Температура подложки составляла 650oC, время роста 4 s. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и сульфидом кадмия (константа реакции при данной температуре ~103), а также для стравливания кремния серой, на поверхности кремния предварительно методом замещения атомов синтезирован высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализ показал высокое структурное совершенство слоя CdS и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102).
  • И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 311 с
  • S. Seto, Y. Nosho, T. Kousho, H. Kitani, S. Yamada. Jpn. J. Appl. Phys. 42, L.1123 (2003)
  • С.В. Сорокин, С.В. Гронин, И.В. Седова, М.В. Рахлин, М.В. Байдакова, П.С. Копьев, А.Г. Вайнилович, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, М.М. Зверев, C.С. Рувимов, С.В. Иванов. ФТП 49, 342 (2015)
  • Y. Li, S.Q. Yuan, X.J. Li. Mater. Lett. 136, 67 (2014)
  • A. Mukherjee, B. Satpati, S.R. Bhattacharyya, R. Ghosh, P. Mitra. Physica E 65, 51 (2015)
  • S. Wang, W. Dong, X. Fang, S. Wu, R. Tao, Z. Deng, J. Shao, L. Hu, J. Zhu. J. Power Sources 273, 645 (2015)
  • M. Tomakin, M. Altunbas, E. Bacaksiz, S. Celik. Thin Solid Films 520, 2532 (2012)
  • V.G. Dubrovskii. Nucleation theory and growth of nanostructures. Springer, Berlin (2014). 601 p
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  • S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  • Ellipsometry at the nanoscale / Eds M. Losurdo, K. Hingerl. Springer, Berlin (2013). 730 p
  • С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
  • S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publ., Boston (1999). 714 p
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.