Вышедшие номера
Эпитаксиальный рост пленок сульфида кадмия на кремнии
Антипов В.В.1,2, Кукушкин С.А.1,3, Осипов А.В.1,3
1Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: sergey.a.kukushkin@gmail.com
Поступила в редакцию: 17 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2016 г.

Впервые выращен эпитаксиальный слой сульфида кадмия толщиной 300 nm на кремнии. Для этой цели использовался метод испарения и конденсации в квазизамкнутом объеме. Температура подложки составляла 650oC, время роста 4 s. Для того чтобы избежать химической реакции между кремнием и сульфидом кадмия (константа реакции при данной температуре ~103), а также для стравливания кремния серой, на поверхности кремния предварительно методом замещения атомов синтезирован высококачественный буферный слой карбида кремния толщиной ~100 nm. Эллипсометрический, рамановский, электронографический и микроэлементный анализ показал высокое структурное совершенство слоя CdS и отсутствие поликристаллической фазы. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского научного фонда (грант N 14-12-01102).
  1. И.П. Калинкин, В.Б. Алесковский, А.В. Симашкевич. Эпитаксиальные пленки соединений AIIBVI. Изд-во ЛГУ, Л. (1978). 311 с
  2. S. Seto, Y. Nosho, T. Kousho, H. Kitani, S. Yamada. Jpn. J. Appl. Phys. 42, L.1123 (2003)
  3. С.В. Сорокин, С.В. Гронин, И.В. Седова, М.В. Рахлин, М.В. Байдакова, П.С. Копьев, А.Г. Вайнилович, Е.В. Луценко, Г.П. Яблонский, Н.А. Гамов, Е.В. Жданова, М.М. Зверев, C.С. Рувимов, С.В. Иванов. ФТП 49, 342 (2015)
  4. Y. Li, S.Q. Yuan, X.J. Li. Mater. Lett. 136, 67 (2014)
  5. A. Mukherjee, B. Satpati, S.R. Bhattacharyya, R. Ghosh, P. Mitra. Physica E 65, 51 (2015)
  6. S. Wang, W. Dong, X. Fang, S. Wu, R. Tao, Z. Deng, J. Shao, L. Hu, J. Zhu. J. Power Sources 273, 645 (2015)
  7. M. Tomakin, M. Altunbas, E. Bacaksiz, S. Celik. Thin Solid Films 520, 2532 (2012)
  8. V.G. Dubrovskii. Nucleation theory and growth of nanostructures. Springer, Berlin (2014). 601 p
  9. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Appl. Phys. 113, 024 909 (2013)
  10. S.A. Kukushkin, A.V. Osipov. J. Phys. D 47, 313 001 (2014)
  11. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 1457 (2014)
  12. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТТ 56, 761 (2014)
  13. Ellipsometry at the nanoscale / Eds M. Losurdo, K. Hingerl. Springer, Berlin (2013). 730 p
  14. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. ФТП 47, 1575 (2013)
  15. S. Adachi. Optical constants of crystalline and amorphous semiconductors. Numerical data and graphical information. Kluwer Academic Publ., Boston (1999). 714 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.