Методом ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии с разрешением по глубине изучены протяженность и фазовый химический состав межфазовой границы, формирующийся при молекулярном наслаивании (МН) слоя Al₂O₃ толщиной 6 nm на поверхность кристаллического кремния (c-Si). Показано, что процесс МН приводит к возникновению слоя смешанных оксидов Al₂O₃ и SiO₂ толщиной примерно 6-8 nm, в котором диоксид кремния присутствует даже на поверхности образца, а его концентрация увеличивается с приближением к скрытой границе с подложкой. Предполагается, что причиной формирования такой сложной структуры слоя является встречная диффузия кислорода в глубь него и кремния от подложки к поверхности по границам зерен поликристаллического Al₂O₃ с последующим окислением кремния. Не обнаружено ни формирования кластеров металлического алюминия в области границы с c-Si, ни диффузии алюминия в глубь подложки. Установлено, что слои МН-Al₂O₃ толщиной до 60 nm имеют подобное строение. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 01-03-32771).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.