Вышедшие номера
Электронная локализация в проводящих пленках Ленгмюра--Блоджетт
Галчёнков Л.А.1, Иванов С.Н.1, Пятайкин И.И.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Email: iip@mail.cplire.ru
Поступила в редакцию: 14 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2004 г.

Изучена температурная зависимость внутрикристаллитной проводимости пленок Ленгмюра--Блоджетт комплекса с переносом заряда (КПЗ) (C16H33--TCNQ)0.4(C17H35--DMTTF)0.6, измеренная по затуханию поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических линиях задержки, покрытых исследуемой пленкой ((C16H33--TCNO)0.4(C17H35--DMTTF)0.6 --- поверхностно-активный КПЗ на основе смеси 1.5:1 гептадецилдиметилтетратиафульвалена (C17H35--DMTTF) и гексадецилтетрацианохинодиметана (C16H33--TCNQ)). Обнаружено, что на температурной зависимости внутрикристаллитной проводимости при TMD=193.5 K имеется максимум, причем выше TMD проводимость пленок носит металлический характер (dsigma/d T<0), а ниже этой температуры изменяется по закону, близкому к одномерному моттовскому. Показано, что уменьшение проводимости с понижением температуры при T<TMD связано с локализацией электронных состояний в изучаемой нами квазиодномерной системе и вызвано наличием примесей и дефектов в цепочках TCNQ, по которым происходит распространение заряда. Установлено, что наблюдаемое изменение проводимости с температурой ниже TMD качественно и количественно согласуется с моделью локализации в квазиодномерной системе со слабым беспорядком, предложенной ранее Нахмедовым, Пригодиным и Самухиным. Аппроксимация экспериментальных результатов теоретическими зависимостями, полученными в рамках этой модели, позволила установить времена электрон-фононного и электрон-примесного рассеяния. Исходя из параметров структуры проводящего слоя оценены плотность состояний на уровне Ферми и скорость Ферми в исследованных пленках, что позволило определить длины свободного пробега и локализации в них. Работа поддержана Российским фондом фундаментальных исследований (проекты N 01-02-16068 и 03-02-22001) и грантом президента РФ по поддержке ведущих научных школ (НШ 1391.2003.2).
  1. P. Delhaes, V.M. Yartsev. In: Spectroscopy of New Materials / Ed. R.J.H. Clark, R.E. Hester. Wiley, Chichester (1993). V. 22. P. 199
  2. С.Н. Иванов, Л.А. Галченков, Ф.Я. Надь. РЭ 38, 12, 2249 (1993)
  3. T. Nakamura, G. Yunome, R. Azumi, M. Tanaka, H. Tachibana, M. Matsumoto, S. Horiuchi, H. Yamochi, G. Saito. J. Phys. Chem. 98, 7, 1882 (1994)
  4. H. Ohnuki, T. Noda, M. Izumi, T. Imakubo, R. Kato. Phys. Rev. B 55, 16, R10 225 (1997)
  5. S. Kahlich, D. Schweitzer, I. Heinen, S.E. Lan, B. Nuber, H.J. Keller, K. Winzer, H.W. Helberg. Solid State Commun. 80, 3, 191 (1991)
  6. J. Richard, M. Vandevyver, P. Lesieur, A. Barraud, K. Holczer. J. Phys. D: Appl. Phys. 19, 12, 2421 (1986)
  7. I.F. Shchegolev. Phys. Stat. Sol. (a) 12, 1, 9 (1972)
  8. H.W. Helberg, M. Dressel. J. Phys. I France 6, 12, 1683 (1996)
  9. V. Chernov, L. Galchenkov, S. Ivanov, P. Monceau, I. Pyataikin, M. Saint-Paul. Solid State Commun. 97, 1, 49 (1996)
  10. Л.А. Галченков, С.Н. Иванов, Ф.Я. Надь, В.П. Чернов, Т.С. Берзина, В.И. Троицкий. Биол. мембраны 7, 10, 1105 (1990)
  11. А.М. Дыхне. ЖЭТФ 59, 1( 7), 110 (1970)
  12. О.В. Коновалов, И.И. Пятайкин. Не опубликовано
  13. F. Rustichelli, S. Dante, P. Mariani, I.V. Myagkov, V.I. Troitsky. Thin Solid Films 242, 1--2, 267 (1994)
  14. T.J. Kistenmacher, T.E. Phillips, D.O. Cowan. Acta Cryst. B 30, 3, 763 (1974)
  15. L.A. Galchenkov, S.N. Ivanov, F.Ya. Nad', V.P. Chernov, T.S. Berzina, V.I. Troitsky. Synth. Met. 42, 1--2, 1471 (1991)
  16. А.А. Гоголин, В.И. Мельников, Э.И. Рашба. ЖЭТФ 69, 1( 7), 327 (1975)
  17. В.Н. Пригодин, Ю.А. Фирсов. Письма в ЖЭТФ 38, 5, 241 (1983)
  18. Э.П. Нахмедов, В.Н. Пригодин, А.Н. Самухин. ФТТ 31, 3, 31 (1989)
  19. Z.H. Wang, A. Ray, A.G. MacDiarmid, A.J. Epstein. Phys. Rev. B 43, 5, 4373 (1991)
  20. D. Jerome, H.J. Schulz. Adv. Phys. 31, 4, 299 (1982)
  21. E.B. Starikov. Int. J. Quant. Chem. 66, 1, 47 (1998)
  22. Е.Б. Стариков. Частное сообщение
  23. E.M. Conwell. Phys. Rev. B 22, 4, 1761 (1980)
  24. S.K. Khanna, E. Ehrenfreund, A.F. Garito, A.J. Heeger. Phys. Rev. B 10, 6, 2205 (1974)
  25. T. Wei, P.S. Kalyanaraman, K.D. Singer, A.F. Garito. Phys. Rev. B 20, 12, 5090 (1979)
  26. A.A. Bright, A.F. Garito, A.J. Heeger. Phys. Rev. B 10, 4, 1328 (1974)
  27. A.J. Berlinsky. Contemp. Phys. 17, 4, 331 (1976)
  28. Л.Н. Булаевский, В.Л. Гинзбург, Г.Ф. Жарков, Д.А. Киржниц, Ю.В. Копаев, Е.Г. Максимов, Д.И. Хомский. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости / Под ред. В.Л. Гинзбурга, Д.А. Киржница. Наука, М. (1977). 400 с
  29. S. Ishibashi, M. Kohyama. Phys. Rev. B 62, 12, 7839 (2000)
  30. K. Lee, R. Menon, C.O. Yoon, A.J. Heeger. Phys. Rev. B 52, 7, 4779 (1995)
  31. А.А. Гоголин, С.П. Золотухин, В.И. Мельников, Э.И. Рашба, И.Ф. Щеголев. Письма в ЖЭТФ 22, 11, 564 (1975)
  32. Y. Ishizaki, M. Izumi, H. Ohnuki, K. Kalita-Lipinska, T. Imakubo, K. Kobayashi. Phys. Rev. B 63, 13, 134 201 (2001)
  33. Л.П. Горьков, О.Н. Дорохов, Ф.В. Пригара. ЖЭТФ 85, 4( 10), 1470 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.