Вышедшие номера
Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении
Яфаров Р.К.1, Шаныгин В.Я.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
Email: pirpc@yandex.ru
Поступила в редакцию: 2 июня 2015 г.
Выставление онлайн: 20 января 2016 г.

Изложены результаты исследований динамики релаксационной модификации морфологических характеристик атомно-чистых поверхностей кристаллов кремния (100) различных типов проводимости после СВЧ ионно-физического травления в среде аргона. Впервые экспериментально показано и дано физико-химическое обоснование механизма влияния электронных свойств на морфологические характеристики и свободную энергию поверхности кристаллов кремния. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации.
  1. К. Оура, В.Г. Лифшиц, А.А. Саранин, А.В. Зотов, М. Катаяма. Введение в физику поверхности. Наука, М. (2006). 490 с
  2. В. Я. Шаныгин, Р.К. Яфаров. ФТП 47, 4, 447 (2013)
  3. Технология СБИС / Под ред. С. Зи. Пер. с англ. Мир, М. (1986). Кн. 1. 404 с
  4. Р.К. Яфаров, С.А. Климова. Микроэлектроника 43, 3, 305 (2014)
  5. Р.К. Яфаров. Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий. Физматлит, М. (2009). 216 с
  6. С.И. Матюхин, К.Ю. Фроленков. Конденсированные среды и межфазные границы 5, 2, 216 (2003)
  7. Н.Н. Леденцов, В.М. Устинов, В.А. Щукин, П.С. Копьев, Ж.И. Алферов, Д. Бимберг. ФТП 32, 4, 385 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.