Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические свойства пленок легированного ниобием танталата стронция-висмута
Голосов Д.А.1, Завадский С.М.1, Колос В.В.2, Турцевич А.С.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2ОАО Интеграл", Минск, Беларусь
Email: dmgolosov@gmail.com
Поступила в редакцию: 7 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.

Исследованы характеристики сегнетоэлектрических тонких пленок танталата стронция-висмута (SBT) и легированного ниобием танталата стронция-висмута (SBTN), нанесенных методом высокочастотного магнетронного распыления на подложки Pt/TiO2/SiO2/Si. Для формирования структуры сегнетоэлектрика нанесенные пленки подвергались последующему отжигу при температуре 970-1070 K в атмосфере O2. Результаты рентгеновской дифракции показали, что в отличие от пленок SBT, у которых формирование фазы Ауривиллиуса наблюдается только при температуре отжига 1050-1070 K, в пленках SBTN формирование фазы отмечено уже при температуре 970 K. Установлены зависимости диэлектрической проницаемости, остаточной поляризации, коэрцитивной силы пленок SBT и SBTN от режимов последующего отжига. Обнаружено, что легирование ниобием пленок SBT позволяет практически в 3 раза увеличить остаточную поляризацию, примерно на 50 K увеличить температуру Кюри и повысить диэлектрическую проницаемость. В отличие от пленок SBT в случае пленок SBTN поляризация наблюдается уже при температуре отжига порядка 970 K. Замена пленок SBT на SBTN при изготовлении конденсаторных модулей высокоплотной сегнетоэлектрической энергонезависимой помяти с произвольным доступом (FeRAM) позволяет понизить температуру синтеза с 1070 до 990-1000 K, что повышает совместимость с планарной технологией полупроводниковых приборов. Однако увеличение коэрцитивного поля делает легированные ниобием пленки SBT менее привлекательными для применения в FeRAM.
  1. Y. Fujisaki. Jpn. J. Appl. Phys. 49, 100 001 (2010)
  2. H. Watanabe, T. Mihara, H. Yoshimori, C.A. Paz de Araujo. Jpn. J. Appl. Phys. 34, 5240 (1995)
  3. V. Shrivastava, A.K. Jha, R.G. Mendiratta. Solid State Commun. 133, 125 (2004)
  4. R. Jain, V. Gupta, K. Sreenivas. Mater. Sci. Eng. B 78, 63 (2000)
  5. S.Y. Kweon, S.K. Choi, W.S. Yang, S.J. Yeom, J.S. Roh. Jpn. J. Appl. Phys. 40, 5275 (2001)
  6. T. Masuda, Y. Miyaguchi, K. Suu, S. Sun. Jpn. J. Appl. Phys. 39, 5464 (2000)
  7. T. Masuda, Y. Miyaguchi, K. Suu, S. Sun. Integr. Ferroelectrics 31, 23 (2000)
  8. H. Amorin, I.K. Bdikin, A.L. Kholkin, M.E.V. Costa. ФТТ 48, 501 (2006)
  9. B. Aurivillius. Ark. Kemi. 1, 463 (1949)
  10. Чан Вань Тьяу, Н.Н. Крайник, В.А. Исупов, И.Г. Исмаилзаде. Кристаллография. 17, 134 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.