Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и электронный транспорт эпитаксиальных пленок иридата стронция
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
3Chalmers University of Technology, Goteborg, Sweden
4Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
Email: karen@hitech.cplire.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2015 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2015 г.
Исследованы кристаллографические и электрофизические свойства эпитаксиальных пленок SrIrO3, в которых наблюдается деформация кристаллической решетки из-за различия в параметрах решетки иридата стронция и подложки. Использовались подложки (001) SrTiO3, (001) LaAlO3 + Sr2AlTaO6 (LSAT), (110) NdGaO3 и (001) LaAlO3. В результате деформации кристаллической решетки величины удельного сопротивления пленок, напыленных на подложки с разными параметрами решетки, различались в несколько раз. Пленки SrIrO3 толщиной d=90 nm, выращенные на подложках SrTiO3 и LSAT, имели немонотонную зависимость проводимости от температуры: тип температурной зависимости проводимости менялся с металлического на диэлектрический при TL=200-250 K. При уменьшении толщин до величин менее 20 nm сопротивления пленок на всех типах подложек уменьшались с ростом температуры экспоненциально. Работа выполнена при поддержке Российской академии наук, проектов РФФИ N 14-07-93105 и 14-07-00258, гранта научная школа НШ-4871.2014.2 с привлечением оборудования Шведского национального центра для микро- и нанотехнологий (Myfab).
- S. Moon, H. Jin, K. Kim, W. Choi, Y. Lee, J. Yu, G. Cao, A. Sumi, H. Funakubo, C. Bernhard, T. Noh. Phys. Rev. Lett. 101, 226 402 (2008)
- B. Kim, H. Jin, S. Moon, J.Y. Kim, B.G. Park, C. Leem, J. Yu, T. Noh, C. Kim, S.J. Oh, J.H. Park, V. Durairaj, G. Cao, E. Rotenberg. Phys. Rev. Lett. 101, 076 402 (2008)
- A.S. Erickson, S. Misra, G.J. Miller, R.R. Gupta, Z. Schlesinger, W.A. Harrison, J.M. Kim, I.R. Fisher. Phys. Rev. Lett. 99, 016 404 (2007)
- J.-M. Carter, V.V. Shankar, M.A. Zeb, H.-Y. Kee. Phys. Rev. B 85, 115 105 (2012)
- H. Watanabe, T. Shirakawa, S. Yunoki. Phys. Rev. Lett. 105, 216 410 (2010)
- A. Shitade, H. Katsura, J. Kunes, X.L. Qi, S.C. Zhang, N. Nagaosa. Phys. Rev. Lett. 102, 256 403 (2009)
- X. Wan, A.M. Turner, A. Vishwanath, S.Y. Savrasov. Phys. Rev. B 83, 205 101 (2011)
- J.M. Longo, J.A. Kafalas, R.J. Arnott. J. Solidi State Chem. 3, 174 (1971)
- F.X. Wu, J. Zhou, L.Y. Zhang, Y.B. Chen, S.T. Zhang, Z.B. Gu, S.H. Yao, Y.F. Chen. J. Phys.: Condens. Matter 25, 125 604 (2013)
- J.H. Gruenewald, J. Nichols, J. Terzic, G. Cao, J.W. Brill, S.S.A. Seo. J. Mater. Res. 29, 2491 (2014)
- Y.K. Kim, A. Sumi, K. Takahashi, S. Yokoyama, S. Ito, T. Watanabe, K. Akiyama, S. Kaneko, K. Saito, H. Funakubo. Jpn. J. Appl. Phys. 45, L36, (2006)
- C. Rayan Serrao, J. Liu, J.T. Heron, G. Singh-Bhalla, A. Yadav, S.J. Suresha, R.J. Paull, D. Yi, J.H. Chu, M. Trassin, A. Vishwanath, E. Arenholz, C. Frontera, J. v Zelezny, T. Jungwirth, X. Marti, R. Ramesh. Phys. Rev. B 87, 085 121 (2013)
- J. Nichols, J. Terzic, E.G. Bittle, O.B. Korneta, L.E. De Long, J.W. Brill, G. Cao, S.S.A. Seo. Appl. Phys. Lett. 102, 141 908 (2013)
- J.G. Zhao, L.X. Yang, Y. Yu, F.Y. Li, R.C. Yu, Z. Fang, L.C. Chen, C.Q. Jina. J. Appl. Phys. 103, 103 706 (2008)
- G. Cao, V. Durairaj, S. Chikara, L.E. DeLong, S. Parkin, P. Schlottmann. Phys. Rev. B 76, 100 402(R) (2007)
- S.Y. Jang, S.J. Moon, B.C. Jeon, J.S. Chung. J. Korean Phys. Soc. 56, 1814 (2010)
- A. Biswas, K.-S. Kim, Y.H. Jeong. J. Appl. Phys. 116, 213 704 (2014)
- L. Zhang, Q. Liang, Y. Xiong, B. Zhang, L. Gao, H. Li, Y.B. Chen, J. Zhou, S.-T. Zhang, Z.-B. Gu, S.-H. Yao, Z. Wang, Y. Lin, Y.-F. Chen. Phys. Rev. B 91, 035 110 (2015)
- N.E. Hussey, K. Takenaka, H. Takagi. Phil. Mag. 84, 2847 (2004)
- M. Gurvitch. Phys. Rev. B 24, 7404 (1981)
- P.A. Lee, T.V. Ramakrishnan. Rev. Mod. Phys. 57, 287 (1985)
- G.R. Stewart. Rev. Mod. Phys. 73, 797 ( 2001)
- Y.S. Lee, J.S. Lee, K.W. Kim, T.W. Noh, J. Yu, E.J. Choi, G. Cao, J.E. Crow. Europhys. Lett. 55, 280 (2001)
- B.I. Shklovskii, A.L. Efros. Electronic properties of doped semiconductors. Springer-Verlag, Berlin (1984). 388 p
- M.L. Knotek, M. Pollak, T.M. Donovan. Phys. Rev. Lett. 18, 853 (1973)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
