Вышедшие номера
Электронно-микроскопическое исследование поверхностного слоя сплава алюминий-кремний после лазерного легирования карбидом вольфрама
Сорокин Л.М.1, Ефименко Л.П.2, Калмыков А.Е.1, Смолин Ю.И.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт химии силикатов им. И.В. Гребенщикова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии исследована структура поверхностного слоя сплава состава Al --- mass.7% Si подвергнутого лазерному легированию. Обнаружено, что основной объем исследуемого слоя составляет алюминиевая матрица, имеющая жгутоподобную структуру. Зафиксировано появление новых фаз, выяснен их состав, форма и пространственное расположение. Работа выполнена при частичной поддержке Научной программы Санкт-Петербургского научного центра РАН-2003 и Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 03-07-90108).
  1. А.Г. Григорьянц, А.Н. Сафонов. Методы поверхностной лазерной обработки. Высшая шк., М. (1987)
  2. N.B. Dahotre, M.H. McCay, T.D. McCay, M.M. Kim. J. Mater. Sci. 27, 6426 (1992).
  3. S. Nayak, Laura Riester, Harry M. Meyer III, Narendra B. Dahotre. J. Mater. Res. 18, 4, 833 (2003)
  4. N.B. Dahotre, T.D. McCay, M.H. McCay. J. Appl. Phys. 65, 12, 5072 (1989)
  5. N.B. Dahotre, M.H. McCay, T.D. McCay. J. Mater. Res. 6, 3, 514 (1991)
  6. A. Baidullaeva, E.F. Venger, A.I. Vlasenko, A.V. Lomovtsev, P.E. Mozol'. Semiconductors 36, 7, 747 (2002)
  7. V.Yu. Fominski, R.I. Romanov, I. Smurov, A.L. Smirnov. J. Appl. Phys. 93, 5989 (2003)
  8. D.E. Person, S. Jacobson, S. Hogmark. J. Laser Appl. 15, 115 (2003)
  9. Прямые методы исследования дефектов в кристаллах / Пер. с англ. под ред. А.М. Елистратова. Мир, М. (1965). 351 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.