Вышедшие номера
Плотность дислокаций в гетероэпитаксиальных структурах CdHgTe на подложках из GaAs и Si ориентации (013)
Сидоров Ю.Г.1, Якушев М.В.1, Варавин В.С.1, Колесников А.В.1, Труханов Е.М.1, Сабинина И.В.1, Лошкарев И.Д.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: sidorov@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 13 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2015 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены эпитаксиальные слои CdxHg1-xTe (КРТ) на подожках GaAs и Si ориентации (013). Введение промежуточных слоев ZnTe и CdTe позволило сохранить в эпитаксиальных слоях КРТ ориентацию, близкую к ориентации подложки, несмотря на сильное рассогласование параметров решеток. Структуры исследованы методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии. Установлены дислокационные семейства, преимущественно снимающие несоответствие параметров решеток. С помощью электронной микроскопии зарегистрированы Gamma-образные дислокации несоответствия (ДН), для которых облегчена аннигиляция пронизывающих дислокаций. Измерены углы разворота решеток, вызванные формированием сеток дислокаций несоответствия. Показано, что плотность пронизывающих дислокаций в активной области фотодиодов определяется в основном сеткой дислокаций несоответствия, формирующейся на гетерогранице КРТ/CdTe. Снижение плотности пронизывающих дислокаций в пленке КРТ достигается при циклическом отжиге в условиях, когда максимально облегчается неконсервативное движение дислокаций. Плотность определялась по ямкам травления. Исследование выполнено в рамках проекта N 01201353182 программы ФНИ государственных академий наук и при поддержке гранта Минобрнауки РФ RFMEFI60414X0134.
  1. М.В. Якушев, Д.В. Брунев, В.С. Варавин, В.В. Васильев, С.А. Дворецкий, И.В. Марчишин, А.В. Предеин, И.В. Сабинина, Ю.Г. Сидоров, А.В. Сорочкин. ФТП 45, 396 (2011)
  2. J.W. Matthews. J. Vac. Sci. Technol. 12, 126 (1975)
  3. Дж. Хирт, И. Лоте. Теория дислокаций. М. Атомиздат. (1972). 600 c
  4. Ю.Г. Сидоров, М.В. Якушев, А.В. Колесников. Автометрия 50, 25 (2014)
  5. M.A. Berding, W.D. Nix, D.R. Rhiger, S. Sen, A. Sheer. J. Electron. Mater. 29, 676 (2000)
  6. F. Riesz. J. Appl. Phys. 79, 4111 (1996)
  7. Yu.B. Bolkhovityanov, L.V. Sokolov. Semicond. Sci. Technol. 27, 1 (2012)
  8. Е.М. Труханов, А.В. Колесников, И.Д. Лошкарев. Поверхность 5, 100 (2014)
  9. S. Farrell, M.V. Rao, G. Brill, Y. Chen, P.W. Wijewarnasuriya, N. Dhac, D. Benson, K. Harris. J. Electron. Mater. 40, 1727 (2011)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.