Издателям
Вышедшие номера
Теплоемкость сегнетоэлектрических кристаллов системы Pb5(Ge1-xSix)3O11
Буш А.А.1, Попова Е.А.2
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: abush@ranet.ru
Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведены измерения температурных зависимостей молярной теплоемкости при постоянном давлении Cp кристаллов Pb5(Ge1-xSix)3O11 с x=0, 0.39 и 0.45 в области 5-300 K, а также температурных зависимостей их диэлектрических проницаемости и потерь, пироэлектрического эффекта. Экспериментальные данные по температурной зависимости теплоемкости представлены в виде суммы двух дебаевских и одного эйнштейновского членов --- Cp(T)=0.405CD1(ThetaD1=160 K,T) +0.53CD2(ThetaD2=750 K,T) +0.046CE(ThetaE=47 K,T). На температурных зависимостях теплоемкости, кроме пика в области сегнетоэлектрической точки Кюри Tc=450 K кристаллов с x=0, других выраженных аномалий не обнаружено. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).
  • А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Монокристаллы с сегнетоэлектрическими и родственными свойствами в системе PbO--GeO-=SUB=-2-=/SUB=- и возможные области их применения. НИИТЭХИМ, М. (1981). 70 с
  • H. Iwasaki, S. Miyazawa, H. Kiyomada, K. Sugii, N. Niizeki. J. Appl. Phys. 43, 12, 4907 (1972)
  • W. Eysel, R.W. Wolfe, R.E. Newnham. J. Amer. Ceram. Soc. 56, 3, 185 (1973)
  • А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Кристаллография 26, 2, 349 (1981)
  • C.R. Jones, N. Show, A.W. Vere. Electronics Lett. 8, 14, 346 (1972)
  • R. Watton, C. Smith, G.R. Jones. Ferroelectrics 14, 719 (1976)
  • T. Li, S.T. Hsu. Integrated Ferroelectrics 34, 1--4, 1495 (2001)
  • S. Mendricks, X. Yue, R. Pankrath, H. Hesse, D. Kip. Appl. Phys.: Lasers and Optics 68, 5, 887 (1999)
  • С.А. Иванов, С.А. Черней, В.П. Михальченко, С.Г. Тарасов, Ю.Н. Веневцев. ФТТ 21, 9, 2545 (1979)
  • E. Gmelin, G. Burns. Phys. Rev., 38B, 1, 442 (1988)
  • Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Физматлит, М. (1995). 305 с
  • W.N. Lawless. Phys. Rev. 14B, 1, 134 (1976)
  • K. Morikawa, T. Atake, M. Wada, T. Yamaguchi. J. Phys. Soc. Japan 67, 6, 1994 (1998)
  • М. Борн, Х. Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. ИЛ, М. (1958). 488 с
  • Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). 792 с
  • G.R. Barsch, L.J. Bomczar, R.E. Newnham. Phys. Stat. Sol. 29a, 241 (1975)
  • D.J. Lockwood, H.J. Hosea, W. Taylor. J. Phys. C 13, 8, 1539 (1980)
  • Y. Ohmachi, N. Uchida. J. Appl. Phys. 43, 8, 3583 (1972)
  • И.М. Лифшиц. ЖЭТФ 26, 551 (1954)
  • R.G. Chambers. Proc. Phys. Soc. 78, 941 (1961)
  • A. Junod, T. Jarlbord, J. Muller. Phys. Rev. 26B, 3, 1568 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.