Вышедшие номера
Теплоемкость сегнетоэлектрических кристаллов системы Pb5(Ge1-xSix)3O11
Буш А.А.1, Попова Е.А.2
1Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: abush@ranet.ru
Поступила в редакцию: 21 августа 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Проведены измерения температурных зависимостей молярной теплоемкости при постоянном давлении Cp кристаллов Pb5(Ge1-xSix)3O11 с x=0, 0.39 и 0.45 в области 5-300 K, а также температурных зависимостей их диэлектрических проницаемости и потерь, пироэлектрического эффекта. Экспериментальные данные по температурной зависимости теплоемкости представлены в виде суммы двух дебаевских и одного эйнштейновского членов --- Cp(T)=0.405CD1(ThetaD1=160 K,T) +0.53CD2(ThetaD2=750 K,T) +0.046CE(ThetaE=47 K,T). На температурных зависимостях теплоемкости, кроме пика в области сегнетоэлектрической точки Кюри Tc=450 K кристаллов с x=0, других выраженных аномалий не обнаружено. Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант N 02-02-17798).
  1. А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Монокристаллы с сегнетоэлектрическими и родственными свойствами в системе PbO--GeO2 и возможные области их применения. НИИТЭХИМ, М. (1981). 70 с
  2. H. Iwasaki, S. Miyazawa, H. Kiyomada, K. Sugii, N. Niizeki. J. Appl. Phys. 43, 12, 4907 (1972)
  3. W. Eysel, R.W. Wolfe, R.E. Newnham. J. Amer. Ceram. Soc. 56, 3, 185 (1973)
  4. А.А. Буш, Ю.Н. Веневцев. Кристаллография 26, 2, 349 (1981)
  5. C.R. Jones, N. Show, A.W. Vere. Electronics Lett. 8, 14, 346 (1972)
  6. R. Watton, C. Smith, G.R. Jones. Ferroelectrics 14, 719 (1976)
  7. T. Li, S.T. Hsu. Integrated Ferroelectrics 34, 1--4, 1495 (2001)
  8. S. Mendricks, X. Yue, R. Pankrath, H. Hesse, D. Kip. Appl. Phys.: Lasers and Optics 68, 5, 887 (1999)
  9. С.А. Иванов, С.А. Черней, В.П. Михальченко, С.Г. Тарасов, Ю.Н. Веневцев. ФТТ 21, 9, 2545 (1979)
  10. E. Gmelin, G. Burns. Phys. Rev., 38B, 1, 442 (1988)
  11. Б.А. Струков, А.П. Леванюк. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах. Физматлит, М. (1995). 305 с
  12. W.N. Lawless. Phys. Rev. 14B, 1, 134 (1976)
  13. K. Morikawa, T. Atake, M. Wada, T. Yamaguchi. J. Phys. Soc. Japan 67, 6, 1994 (1998)
  14. М. Борн, Х. Кунь. Динамическая теория кристаллических решеток. ИЛ, М. (1958). 488 с
  15. Ч. Киттель. Введение в физику твердого тела. Наука, М. (1978). 792 с
  16. G.R. Barsch, L.J. Bomczar, R.E. Newnham. Phys. Stat. Sol. 29a, 241 (1975)
  17. D.J. Lockwood, H.J. Hosea, W. Taylor. J. Phys. C 13, 8, 1539 (1980)
  18. Y. Ohmachi, N. Uchida. J. Appl. Phys. 43, 8, 3583 (1972)
  19. И.М. Лифшиц. ЖЭТФ 26, 551 (1954)
  20. R.G. Chambers. Proc. Phys. Soc. 78, 941 (1961)
  21. A. Junod, T. Jarlbord, J. Muller. Phys. Rev. 26B, 3, 1568 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.