Вышедшие номера
Механизм формирования нанопленок дисилицида иттербия на грани Si(111)
Кузьмин М.В.1, Митцев М.А.1, Мухучев А.М.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Филиал Московского автомобильно-дорожного государственного технического университета, Махачкала, Россия
Email: M.Mittsev@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 21 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

Экспериментально исследованы пленочные структуры Yb-Si(111) при различных толщинах пленок и температурах подложки 300-1500 K. Определены температуры, при которых начинается и заканчивается формирование дисилицида иттербия, его термостойкость и работа выхода. Показано, что образование дисилицида Yb происходит при сравнительно низких температурах. Предложен механизм, объясняющий этот факт. Этот механизм объясняет также, почему и каким образом иттербий трансформирует кремний в силицид, несмотря на то, что связь между атомами в кремниевом кристалле более прочная, чем в силициде.
  1. A. Iandelli, A. Palenzona, G.L. Olcese. J. Less-Comm. Met. 64, 215 (1979)
  2. V.M. Koleshko, V.F. Belinsky, A.A. Khodin. Vacuum 36, 669 (1986)
  3. V.M. Koleshko, V.F. Belinsky, A.A. Khodin. Thin Solid Films 141, 277 (1986)
  4. J.A. Knapp, S.T. Picraux. Appl. Phys. Lett. 48, 466 (1986)
  5. G. Rossi. Surf. Sci. Rep. 7, 1 (1987)
  6. C. Wigren, J.N. Anderson, R. Nyholm, U.O. Karlsson. J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1942 (1991)
  7. F.P. Netzer. J. Phys.: Cond. Matter 7, 991 (1995)
  8. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 1672 (1997)
  9. K.S. Chi, W.C. Tsai, L.J. Chen. J. Appl. Phys. 93, 153 (2003)
  10. S. Brutti, D. Nguyen-Manh, D.G. Pettifor. Science 14, 1472 (2006)
  11. I. Manke, T. Kalka, M. Dahne-Prietsch, H.J. Wen, G. Kaindl. In: 23rd Int. Conf. on the physics of semiconductors. Berlin, Germany (1996). MoP-66
  12. S. Zhu, J. Chen, M.-F. Li, S.J. Lee, J. Singh, C.X. Zhu, A. Du, C.H. Tung, A. Chin, D.L. Kwong. IEEE Electron Dev. Lett. 25, 565 (2004)
  13. М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 51, 795 (2009)
  14. Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ЖТФ 83, 6, 27 (2013)
  15. М.В. Кузьмин, М.А. Митцев. ФТТ 56, 1397 (2014)
  16. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. Т. 2 / Под ред. В.П. Глушко, Л.В. Гурвича, Г.А. Хачкурузова, В.А. Медведева. Изд-во АН СССР, М. (1962). 916 с
  17. Д.В. Бутурович, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 48, 2085 (2006)
  18. М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 51, 334 (2009)
  19. Т.В. Крачино, М.В. Кузьмин, М.В. Логинов, М.А. Митцев. ФТТ 39, 256 (1997)
  20. Свойства элементов. Ч. 1 / Под ред. Г.В. Самсонова. Металлургия, М. (1976). 599 с
  21. Handbook of Semiconductors. V. 2 / Ed. M. Balcanski. North-Holland, Amsterdam (1994). 857 p
  22. Z. Zhang, Q. Niu, C.-K. Shih. Phys. Rev. Lett. 80, 5381 (1998)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.