Вышедшие номера
Спектры краевой фотолюминесценции и интенсивность линий внутрицентровых f-1pt--1ptf-переходов в кристаллах GaN, легированных Er, Sm
Криволапчук В.В.1, Лундин В.В.1, Мездрогина М.М.1, Насонов А.В.1, Родин С.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Представлены результаты исследований легирования редкоземельными ионами (РЗИ) кристаллов GaN с разной степенью совершенства мозаичной структуры, полученных различными методами (HVPE и MOCVD). На основании анализа вида спектров фотолюминесценции до и после легирования установлено, что при уменьшении концентрации дефектов происходят внутрицентровые f-1pt--1ptf-переходы, характерные для РЗИ: 1.54 и 0.54 mum --- Er3+, 0.72 mum --- Sm2+. Внутрицентровые f-1pt--1ptf-переходы РЗИ, как правило, наблюдаются в эпитаксиальных слоях с хорошо сросшимися и отрелаксировавшими доменами и отстутствуют в случае наличия мозаичной структуры, имеющей не полностью сросшиеся домены в приповерхностной части эпитаксиального слоя. Наблюдался эффект геттерирования дефектов в исследованных кристаллах при легировании РЗИ.
  1. A.J. Steckl, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1999)
  2. A.J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett. 74, 2161 (1999)
  3. S. Kim, S.J.Rhee, D.A. Turnbull, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop, P.B. Klein. Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997)
  4. P.H. Lim, B. Schnieler, O. Schon, H. Heino. J. Cryst. Growth 205, 1 (1999)
  5. В.Ю. Некрасов, Л.П. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП 33, 1428 (1999)
  6. Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, С.В. Новиков, T.S. Cheng, C.T. Foxon. ФТП 34, 903 (2000)
  7. M. Cadoret. J. Cryst. Growth 205, 123 (1999)
  8. S.M. Myles, A.F. Wright, G.A. Peterson, C.H. Seager, W.R. Wampler, M.H. Crawford, J. Han. J. Appl. Phys. 88, 4676 (2000)
  9. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.В. Родин. ФТТ 45, 9, 1556 (2003)
  10. Ю.В. Жиляев, В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Сб. тр. Междунар. симп. "Фото- и электролюминесцения редкоземельных элементов в полупроводниках и диэлектриках". СПб (2001). С. 27
  11. E. Illipoulus, D. Doppalaudi, H.M. Hg, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 73, 375 (1998)
  12. Y. Golan, X.H. Wu, J.S. Speck, R.P. Vaudo, V.M. Phase. Appl. Phys. Lett. 73, 3090 (1998)
  13. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Н.К. Полетаев. ФТТ 45, 1, 29 (2003)
  14. S. Kim, S.J. Rhee, X. Li, J.J. Coleman, S.C. Biscop. Appl. Phys. Lett. 76, 17, 2403 (2000)
  15. Ю.В. Кожанова, В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.В. Родин, Ю.В. Жиляев. 2-я Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". СПб (2003). С. 6
  16. В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма в ЖЭТФ 28, 7, 19 (2002)
  17. P.H. Citrin, P.A. Northrup, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 76, 2865 (2000)
  18. P. Perlin, T. Suski, M. Leszezynski, H. Teisseyre. GaN and related materials / Ed. S. Pearton. Gordon and Breach, Amsterdam (1997). P. 315

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.