Издателям
Вышедшие номера
Спектры краевой фотолюминесценции и интенсивность линий внутрицентровых f-1pt--1ptf-переходов в кристаллах GaN, легированных Er, Sm
Криволапчук В.В.1, Лундин В.В.1, Мездрогина М.М.1, Насонов А.В.1, Родин С.В.1, Шмидт Н.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: vlad.krivol@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 14 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Представлены результаты исследований легирования редкоземельными ионами (РЗИ) кристаллов GaN с разной степенью совершенства мозаичной структуры, полученных различными методами (HVPE и MOCVD). На основании анализа вида спектров фотолюминесценции до и после легирования установлено, что при уменьшении концентрации дефектов происходят внутрицентровые f-1pt--1ptf-переходы, характерные для РЗИ: 1.54 и 0.54 mum --- Er3+, 0.72 mum --- Sm2+. Внутрицентровые f-1pt--1ptf-переходы РЗИ, как правило, наблюдаются в эпитаксиальных слоях с хорошо сросшимися и отрелаксировавшими доменами и отстутствуют в случае наличия мозаичной структуры, имеющей не полностью сросшиеся домены в приповерхностной части эпитаксиального слоя. Наблюдался эффект геттерирования дефектов в исследованных кристаллах при легировании РЗИ.
  • A.J. Steckl, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 73, 1700 (1999)
  • A.J. Steckl, M. Garter, B. Birkhahn, J.D. Scofield. Appl. Phys. Lett. 74, 2161 (1999)
  • S. Kim, S.J.Rhee, D.A. Turnbull, X. Li, J.J. Coleman, S.G. Bishop, P.B. Klein. Appl. Phys. Lett. 71, 2662 (1997)
  • P.H. Lim, B. Schnieler, O. Schon, H. Heino. J. Cryst. Growth 205, 1 (1999)
  • В.Ю. Некрасов, Л.П. Беляков, О.М. Сресели, Н.Н. Зиновьев. ФТП 33, 1428 (1999)
  • Н.А. Черкашин, Н.А. Берт, Ю.Г. Мусихин, С.В. Новиков, T.S. Cheng, C.T. Foxon. ФТП 34, 903 (2000)
  • M. Cadoret. J. Cryst. Growth 205, 123 (1999)
  • S.M. Myles, A.F. Wright, G.A. Peterson, C.H. Seager, W.R. Wampler, M.H. Crawford, J. Han. J. Appl. Phys. 88, 4676 (2000)
  • В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, А.В. Насонов, С.В. Родин. ФТТ 45, 9, 1556 (2003)
  • Ю.В. Жиляев, В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Сб. тр. Междунар. симп. "Фото- и электролюминесцения редкоземельных элементов в полупроводниках и диэлектриках". СПб (2001). С. 27
  • E. Illipoulus, D. Doppalaudi, H.M. Hg, T.D. Moustakas. Appl. Phys. Lett. 73, 375 (1998)
  • Y. Golan, X.H. Wu, J.S. Speck, R.P. Vaudo, V.M. Phase. Appl. Phys. Lett. 73, 3090 (1998)
  • В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, Н.К. Полетаев. ФТТ 45, 1, 29 (2003)
  • S. Kim, S.J. Rhee, X. Li, J.J. Coleman, S.C. Biscop. Appl. Phys. Lett. 76, 17, 2403 (2000)
  • Ю.В. Кожанова, В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.В. Родин, Ю.В. Жиляев. 2-я Всерос. конф. "Нитриды галлия, индия и алюминия --- структуры и приборы". СПб (2003). С. 6
  • В.В. Криволапчук, М.М. Мездрогина, С.Д. Раевский, А.П. Скворцов, Ш.А. Юсупова. Письма в ЖЭТФ 28, 7, 19 (2002)
  • P.H. Citrin, P.A. Northrup, B. Birkhahn. Appl. Phys. Lett. 76, 2865 (2000)
  • P. Perlin, T. Suski, M. Leszezynski, H. Teisseyre. GaN and related materials / Ed. S. Pearton. Gordon and Breach, Amsterdam (1997). P. 315
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.