Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Электронная структура твердых растворов CuCl_1-xBr_x: расчеты из первых принципов с использованием приближения meta-GGA

Кособуцкий А.В.^1,2, Гордиенко А.Б.²

¹Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия Tomsk State University, Tomsk, Russia

²Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия Kemerovo State University, Kemerovo, Russia

Email: kosobutsky@kemsu.ru

Поступила в редакцию: 16 апреля 2015 г.

Выставление онлайн: 19 сентября 2015 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

В рамках теории функционала плотности выполнены расчеты электронной структуры соединений CuCl, CuBr и их твердых растворов CuCl_1-xBr_x (x=0.25, 0.50, 0.75). Вычисления проводились в базисе псевдоатомных орбиталей с использованием простого локального приближения (LDA), а также нового обменного meta-GGA потенциала TB09, который в значительной степени компенсирует ошибку LDA при описании положения зон проводимости полупроводников. Проведен сравнительный анализ основных характеристик электронной структуры бинарных соединений и их растворов. Установлено, что кривая композиционной зависимости ширины запрещенной зоны E_g(x) испытывает незначительный прогиб с коэффициентом b~0.09 eV. Работа выполнена при поддержке программы "Научный фонд им. Д.И. Менделеева Томского государственного университета" в 2015 г. (проект N 8.2.10.2015) и Министерства образования и науки РФ (проект N 3.1235.2014K).

M. Grundmann, F.-L. Schein, M. Lorenz, T. Bontgen, J. Lenzner, H. von Wenckstern. Phys. Status Solidi A 210, 1671 (2013)
D. Ahn, S.L. Chuang. Appl. Phys. Lett. 102, 121 114 (2013)
A.A. Eliseev, L.V. Yashina, N.I. Verbitskiy, M.M. Brzhezinskaya, M.V. Kharlamova, M.V. Chernysheva, A.V. Lukashin, N.A. Kiselev, A.S. Kumskov, B. Freitag, A.V. Generalov, A.S. Vinogradov, Y.V. Zubavichus, E. Kleimenov, M. Nachtegaal. Carbon 50, 4021 (2012)
F.O. Lucas, A. Mitra, P.J. McNally, S. Daniels, A.L. Bradley, D.M. Taylor, Y.Y. Proskuryakov, K. Durose, D.C. Cameron. J. Phys. D: Appl. Phys. 40, 3461 (2007)
K.V. Rajani, S. Daniels, M. Rahman, A. Cowley, P.J. McNally. Mater. Lett. 111, 63 (2013)
M. Ferhat, B. Bouhafs, H. Aourag, A. Zaoui, M. Certier. Comp. Mater. Sci. 20, 267 (2001)
F. El Haj Hassan, A. Zaoui, W. Sekkal. Mater. Sci. Eng. B 87, 40 (2001)
B. Amrani, T. Benmessabih, M. Tahiri, I. Chiboub, S. Hiadsi, F. Hamdache. Physica B 381, 179 (2006)
B. Ghebouli, M.A. Ghebouli, M. Fatmi, T. Chihi, Z. Heiba, S. Boucetta. Chinese J. Phys. 51, 738 (2013)
F. El Haj Hassan, A. Zaoui. Superlattice Microstruct. 30, 75 (2001)
J.P. Perdew, A. Ruzsinszky, J. Tao, V.N. Staroverov, G.E. Scuseria, G.I. Csonka. J. Chem. Phys. 123, 062 201 (2005)
Y. Zhao, D.G. Truhlar. J. Chem. Phys. 125, 194 101 (2006)
F. Tran, P. Blaha. Phys. Rev. Lett. 102, 226 401 (2009)
A.D. Becke, E.R. Johnson. J. Chem. Phys. 124, 221 101 (2006)
A.D. Becke, M.R. Roussel. Phys. Rev. A 39, 3761 (1989)
J.A. Camargo-Martinez, R. Baquero. Phys. Rev. B. 86, 195 106 (2012)
A.V. Kosobutsky, Yu.M. Basalaev. Solid State Commun. 199, 17 (2014)
C. Hartwigsen, S. Goedecker, J. Hutter. Phys. Rev. B 58, 3641 (1998)
A.B. Gordienko, A.S. Poplavnoi. Phys. Status Solidi B 202, 941 (1997)
Ю.М. Басалаев, А.Б. Гордиенко, С.И. Филиппов. ФТТ 54, 1655 (2012)
P. Giannozzi, S. Baroni, N. Bonini, M. Calandra, R. Car, C. Cavazzoni, D. Ceresoli, G.L. Chiarotti, M. Cococcioni, I. Dabo, A. Dal Corso, S. Fabris, G. Fratesi, S. de Gironcoli, R. Gebauer, U. Gerstmann, C. Gougoussis, A. Kokalj, M. Lazzeri, L. Martin-Samon, N. Marzari, F. Mauri, R. Mazzarello, S. Paolini, A. Pasquarello, L. Paulatto, C. Sbraccia, S. Scandolo, G. Sclauzero, A.P. Seitsonen, A. Smogunov, P. Umari, R.M. Wentzcovitch. J. Phys.: Cond. Matter 21 395 502 (2009)
O. Madelung. Semiconductors: data handbook. 3rd ed. Springer, Berlin (2004). 691 p
H. Heireche, B. Bouhafs, H. Aourag, M. Ferhat, M. Certier. J. Phys. Chem. Solids 59, 997 (1998)
K. Endo, K. Yamamoto, K. Deguchi. J. Phys. Chem. Solids. 54, 357 (1993)
А.В. Генералов, А.С. Виноградов. ФТТ 55, 1052 (2013)
H. Ullah, A.H. Reshak, K. Inayat, R. Ali, G. Murtaza, S. Sheraz, S.A. Khan, H.U. Din, Z.A. Alahmed. J. Optoelectron. Adv. Mater. 16, 1493 (2014)
M. Cardona. Phys. Rev. 129, 69 (1963).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель