Издателям
Вышедшие номера
Метастабильный X-центр в монокристаллах теллурида кадмия
Ткачук П.Н.1, Ткачук В.И.1, Букивский П.Н.1, Курик М.В.1
1Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
Email: ptkachuk@chnu.cv.ua
Поступила в редакцию: 8 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2004 г.

Приведена модель метастабильного DX-центра, сформированного в результате дисторсии кристаллической решетки CdTe ян-теллеровского типа --- смещения атома остаточной донорной примеси DCd в область ближайшего междоузлия (D --- элемент III группы Периодической системы). На основе координатно-конфигурационной диаграммы ассоциированного дефекта VCd-Di, учитывающей тетраэдрические и гексагональные позиции междоузельного атома, объяснены: сдвиг Стокса, электронный тип проводимости, положение уровня Ферми, особенности фотолюминесценции и др. Результаты исследования энергетического спектра DX-центра коррелируют с известными данными теоретических расчетов.
  1. Физика и химия соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=- / Пер. с англ. под ред. С.А. Медведева. Мир, М. (1970). 624 с
  2. K.R. Zanio. Semiconductors and semimetals. Vol. 113. Academic press, N. Y.--San Francisco (1978). 235 p
  3. T. Takebe, J. Saraie, H. Matsunami. J. Appl. Phys. 53, 1, 457 (1982)
  4. D.J. Chadi. Phys. Rev. Lett. 72, 4, 534 (1994)
  5. D.J. Chadi. Appl. Phys. Lett. 59, 27, 3589 (1991)
  6. C.H. Park, D.J. Chadi. Phys. Rev. B 52, 11 884 (1995)
  7. D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B 39, 10 063 (1989)
  8. П.Н. Ткачук, В.И. Ткачук, В.М. Цмоць, В.С. Штым. Неорган. материалы 36, 1443 (2000)
  9. А.В. Савицкий, П.Н. Ткачук, В.И. Чоботар, П.П. Бейсюк, П.Н. Букивский, И.И. Блиско. Изв. АН СССР. Неорган. материалы 26, 2661 (1990)
  10. R. Rudolph. Prog. Crystal Growth and Charact 29, 275 (1994)
  11. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП 5, 5, 863 (1971)
  12. Н.В. Агринская, Н.Н. Зиновьев, О.А. Матвеев, И.Д. Ярошецкий. ФТП 14, 1, 55 (1980)
  13. В.И. Гавриленко, А.М. Грехов, Д.В. Корбутяк, В.Г. Литовченко. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Наук. думка, Киев (1987). 608 с
  14. T. Taguchi, J. Shirafuji, Y. Inuishi. Phys. Stat. Sol. (b) 68, 727 (1975)
  15. S. Seto, A. Tanaka, Y. Masa, M. Kawashima. J. Cryst. Growth 117, 271 (1992)
  16. Н.В. Агринская, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев. ФТП 5, 5, 869 (1971)
  17. L. Worshech, W. Ossau, F. Fisher, A. Waag, G. Landwehr. J. Cryst. Growth 161, 134 (1996)
  18. В.Н. Бабенцов. ФТП 30, 8, 1426 (1996)
  19. О.А. Матвеев, Е.Н. Аркадьева, Л.А. Гончаров. Докл. АН СССР 221, 2, 325 (1975)
  20. П.Н. Ткачук. ФТТ 44, 12, 2113 (2002)
  21. R. Legros, Y. Marfaing, R. Triboulet. J. Phys. Chem. Solid. 39, 179 (1978)
  22. Н.В. Агринская, М.В. Алексеенко, Е.Н. Аркадьева, О.А. Матвеев, С.В. Прокофьев. ФТП 9, 2, 320 (1975)
  23. В.Д. Попович, Г.М. Григорович, Р.М. Пелещак, П.Н. Ткачук. ФТП 36, 6, 674 (2002)
  24. Ж. Бургуэн, М. Ланно. Точечные дефекты в полупроводниках. Экспериментальные аспекты. Пер. с англ. Мир, М. (1985). 304 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.