Вышедшие номера
Спектры фотолюминесценции тонких пленок ZnO, выращенных по ALD-технологии
Акопян И.Х.1, Давыдов В.Ю.2, Лабзовская M.Э.1, Лисаченко A.A.1, Могунов Я.А.1, Назаров Д.В.3, Новиков Б.В.1, Романычев A.И.3, Серов A.Ю.1, Смирнов А.Н.2, Титов В.В.1, Философов Н.Г.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Институт химии Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Email: bono1933@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 апреля 2015 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2015 г.

Исследована фотолюминесценция пленок ZnO, полученных методом атомного наслаивания (ALD) на кремниевые подложки. Обнаружена новая широкая полоса фотолюминесценции в экситонной области спектра. В широком температурном диапазоне изучены ее свойства при различных уровнях возбуждения в спектрах пленок с разной кристаллической ориентацией подложек. Предложена модель, объясняющая природу новой полосы.
  1. C. Klingshirn, M. Grundmann, A. Hoffman, B. Meyer, A. Waag. Phys. J. 5, 1, 33 (2008)
  2. U. Ozgur, Ya.I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M.A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S.-J. Cho, H. Morkos. J. Appl. Phys. 98, 041 301 (2005)
  3. T. Tynell, M. Kappinen. Semicond. Sci. Technol. 29, 1 (2014)
  4. T.S. Damen, S.P.S. Porto, B. Nell. Phys. Rev. 142, 570 (1966)
  5. H.F. Liu, S. Tripathy, G.X. Hu, H. Gong. J. Appl. Phys. 105, 053 507 (2009)
  6. C. Klingshirn, J. Fallert, H. Zhou, J. Sartor, J. Thiele, F. Maier-Flaig, H. Kalt. Phys. Status Solidi B 247, 1424 (2010)
  7. G.D. Dow, D. Redfield. Phys. Rev. B 1, 3358 (1970)
  8. J. De-Sheng, Y. Makita, K. Ploog, H.J. Queisser. J. Appl. Phys. 53, 2, 999 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.