Издателям
Вышедшие номера
Зависимость свойств эпитаксиальных тонких пленок титаната бария-стронция при изменении толщины
Широков В.Б.1,2, Головко Ю.И.1, Мухортов В.М.1,2, Юзюк Ю.И.2, Janolin P.E.3, Dkhil B.3
1Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
2Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
3LSPMS, Ecole Centrale Paris, Paris, France
Email: shirokov-vb@rambler.ru
Поступила в редакцию: 8 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2015 г.

Проведены исследования гетероэпитаксиальных тонких пленок BaxSr1-xTiO3 различной толщины в параэлектрической фазе при температуре 600oC. Параметры решетки пленки показывают нелинейную зависимость от толщины. С уменьшением толщины происходит увеличение вынужденной деформации и увеличивается объем элементарной ячейки. Поведение вынужденной деформации при изменении толщины хорошо описывается в модели двойного электрического слоя, образовавшегося в процессе синтеза пленки на границе с подложкой. Работа выполнена при поддержке РФФИ (гранты N 13-02-00251а, 13-02-12085-ОФИ\_М и 13-01-90619 Арм\_а).
  • B. Acikel, T.R. Taylor, P.J. Hausen, J.S. Speck, R.A. York. IEEE Microwave Wireless Components Lett. 12, 237 (2002)
  • P.K. Petrov, N. McN Algord, S. Gevorgyan. Meas. Sci. Technol. 16, 583 (2005)
  • C.M. Carlson, T.V. Rivkin, P.A. Parilla, J.D. Perkins, D.S. Ginley, A.B. Kozyrev, V.N. Oshadchy, A.S. Pavlov. Appl. Phys. Lett. 76, 1920 (2000)
  • C.M. Carlson, T.V. Rivkin, P.A. Parilla, J.D. Perkins, D.S. Ginley, A.B. Kozyrev, V.N. Oshadchy, A.S. Pavlov, A. Golovkov, M. Sugak, D. Kalinikos, L.C. Sengupta, L. Chiu, X. Zhang, Y. Zhu, S. Sengupta. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 603, 15 (2000)
  • W.J. Kim, W. Chang, S.B. Qadri, J.M. Pond, S.W. Kirchoefer, D.B. Chrisey, J.S. Horwitz. Appl. Phys. Lett. 76, 1185 (2000)
  • B.H. Hoerman, B.M. Nichols, B.W. Wessels. Phys. Rev. B 65, 224 110 (2002)
  • S.K. Streiffer, C. Basceri, C.B. Parker, S.E. Lash, A.I. Kingon. J. Appl. Phys. 86, 4565 (1999)
  • D.E. Kotecki, J.D. Baniecki, H. Shen, R.B. Laibowitz, K.L. Saenger, J.J. Lian, T.M. Shaw, S.D. Athavale, C. Cabral, P.R. Duncombe, M. Gutsche, G. Kunkel, Y.-J. Park, Y.-Y. Wang, R. Wise. IBM J. Res. Dev. 43, 367 (1999)
  • N.A. Pertsev, A.G. Zembilgotov, A.K. Tagantsev. Phys. Rev. Lett. 80, 1988 (1998)
  • S.B. Desu. J. Electrochem. Soc. 140, 2981 (1993)
  • V.M. Mukhortov, Y.I. Golovko, G.N. Tolmachev. Ferroelectrics 247, 75 (2000)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, Г.Н. Толмачев, А.И. Мащенко. ЖТФ 69, 12, 87 (1999)
  • В.М. Мухортов, Ю.И. Головко, В.В. Колесников, В.А. Бирюков. Письма в ЖТФ 31, 23, 75 (2005)
  • D.K. Bowen, B.K. Tanner. High resolution X-ray diffractometry and topography. Taylor \& Francis, London (1998) 224 p
  • E.J. Tarsa, E.A. Hachfeld, F.T. Quinlan, S.J. Speck, M. Eddy. Appl. Phys. Lett. 68, 490 (1996)
  • V.B. Shirokov, Yu.I. Yuzyuk, B. Dkhil, V.V. Lemanov. Phys. Rev. B 79, 144 118 (2009)
  • Ю.И. Головко, В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк, P.E. Janolin, B. Dkhil. ФТТ 50, 467 (2008)
  • В.Б. Широков, С.В. Бирюков, В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. ЖТФ 81, 8, 115 (2011)
  • V.B. Shirokov, V.I. Torgashev, A.A. Bakirov, V.V. Lemanov. Phys. Rev. B 73, 104 116 (2006)
  • В.Б. Широков, Ю.И. Юзюк, В.В. Калинчук, В.В. Леманов. ФТТ 55, 709 (2013)
  • J.S. Speck, W. Pompe. J. Appl. Phys. 76, 1, 466 (1994)
  • S.P. Alpay, A.L. Roytburd. J. Appl. Phys. 83, 4714 (1998)
  • Z.-G. Ban, S.P. Alpay. J. Appl. Phys. 91, 9288 (2002)
  • L.S. Dubrovinsky, S.K. Saxena. Phys. Chem. Miner. 24, 547 (1997)
  • В.Б. Широков. Опт. и спектр. 112, 137 (2012)
  • В.Б. Широков, Ю.И. Головко, В.М. Мухортов. ЖТФ 82, 7, 79 (2012)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов. Мир, М. (1984) 456 с
  • G.Y. Yang, G.D. Lian, E.C. Dickey, C.A. Randall, D.E. Barber, P. Pinceloup, M.A. Henderson, R.A. Hill, J.J. Beeson, D.J. Skamser. J. Appl. Phys. 96, 7500 (2004)
  • Б.В. Дерягин, Н.В. Чураев, В.М. Муллер. Поверхностные силы. Наука, М. (1985). 400 с
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.