Вышедшие номера
Оптический мониторинг процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок
Афанасьев М.С.1, Набиев А.Э.2, Чучева Г.В.1
1Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
2Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Email: gvc@ms.ire.rssi.ru
Поступила в редакцию: 19 августа 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Рассматривается метод оптического мониторинга процесса осаждения сегнетоэлектрических пленок состава Ba0.8Sr0.2TiО3, выращенных методом высокочастотного реактивного плазмохимического осаждения. Исследования плазмы в оптическом диапазоне показали, что спектр излучения на длинах волн lambda>450 nm не претерпевает изменений в интервалах варьирования напряжения смещения. При lambda=300-400 nm наблюдается корреляция спектров излучения пленкообразующей среды при различных напряжениях мишень-подложка. Масс-спектры пленкообразующей среды показали, что при напряжениях смещения U=350-600 V в газовой фазе в основном регистрируются ионизированные частицы с массовым числом 220-240, близким к молярной массе соединения Ba0.8Sr0.2TiО3± x. При U>650 V наряду с образованием многоатомных частиц в газовой фазе присутствуют ионы с массовыми числами, соответствующими химическому составу компонент мишени BaTiО3, SrTiО3, BaО, SrО. Показано, что на границе раздела фаз существует переходный слой, обогащенный материалом подложки. Установлено, что мониторинг пленкообразующей среды и временной фактор позволяют воспроизводимо выращивать наноразмерные пленки с заданными кристаллохимическими параметрами. Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ (гранты N 12-07-00662-а, 13-07-00782-а) и Программы фундаментальных исследований Президиума РАН "Основы фундаментальных исследований нанотехнологий и наноматериалов".
  1. A. Marcu, C. Grigoriu, W. Jang. Thin Solid Films 360, 166 (2000)
  2. Y. Takamura, N. Yamaguchi, K. Terashima. J. Appl. Phys. 84, 5084 (1998)
  3. В.М. Мухортов, Ю.И. Юзюк. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Изд-во Южного научного центра РАН, Ростов на/Д (2008). С. 36
  4. E. Brecht, J. Reiner, M. Rodewald, G. Linker. Thin Solid Films 319, 202 (1998)
  5. I. Lee, R. Ramesh, V.G. Keramidas, O. Anciello. Integr. Ferroelectrics 8, 317 (1995)
  6. A. Herman. V. Badri. J. Supercond. 12, 139 (1999)
  7. М.С. Афанасьев, М.С. Иванов. ФТТ 51, 1259 (2009)
  8. Экспериментальная ядерная физика / Под ред. Э. Серге. ИИЛ, М. (1955). Т. 1--3
  9. В.К. Егоров, О.С. Кондратьев. Перспективные материалы 1, 70 (2000)
  10. В.К. Егоров, М.С. Афанасьев, Г.В. Чучева, П.А. Лучников, А.В. Буров. Наноматериалы и наноструктуры --- XXI век 2, 50 (2011)
  11. Технология тонких пленок / Под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга. Сов. радио, М. (1977). Т. 2. С. 97
  12. В.И. Векслер. Вторичная ионная эмиссия. Наука, М. (1978). 147 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.