Издателям
Вышедшие номера
Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций
Маслов В.Н.1,2, Николаев В.И.1,2,3, Крымов В.М.1,2, Бугров В.Е.2, Романов А.Е.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики, Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: maslov_vn@hotmail.com
Поступила в редакцию: 9 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 20 июня 2015 г.

Методом сублимации на сапфировых подложках различной ориентации получены слои beta-Ga2O3. Исследованы основные закономерности роста кристаллов, морфология слоев и их состав. Исследования поддержаны из централизованных средств НИУ ИТМО, тема N 414647, и программой развития международных научных подразделений университета ИТМО.
  • E.G. Villora, Kiyoshi Shimamura, Yukio Yoshikawa, Takekazu Ujiie, Kazuo Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, 20, 202 120 (2008)
  • H. Aida, K. Nishiguchi, H. Takeda, N. Aota, K. Sunakawa, Y. Yaguchi. J. J. Appl. Phys., 47 11, 8506 (2008)
  • Liu Yang, Ma Jiamping, Liu Fuli, Zang Yuan, Liu Yantao. J. Semiconductors 35, 3, 033 001-1 (2014)
  • В.Н. Маслов, В.М. Крымов, М.Н. Блашенков, А.А. Головатенко, В.И. Николаев. Письма в ЖТФ 40, 7, 56 (2014)
  • В.Н. Маслов, В.М. Крымов, Е.В. Калашников, В.И. Николаев. Физика и механика материалов 5, 21, 194 (2014)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.