Вышедшие номера
Осаждение слоев beta-Ga2O3 методом сублимации на сапфировые подложки различных ориентаций
Маслов В.Н.1,2, Николаев В.И.1,2,3, Крымов В.М.1,2, Бугров В.Е.2, Романов А.Е.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики (Университет ИТМО), Санкт-Петербург, Россия
3ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
Email: maslov_vn@hotmail.com
Поступила в редакцию: 9 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Методом сублимации на сапфировых подложках различной ориентации получены слои beta-Ga2O3. Исследованы основные закономерности роста кристаллов, морфология слоев и их состав. Исследования поддержаны из централизованных средств НИУ ИТМО, тема N 414647, и программой развития международных научных подразделений университета ИТМО.
  1. E.G. Villora, Kiyoshi Shimamura, Yukio Yoshikawa, Takekazu Ujiie, Kazuo Aoki. Appl. Phys. Lett., 92, 20, 202 120 (2008)
  2. H. Aida, K. Nishiguchi, H. Takeda, N. Aota, K. Sunakawa, Y. Yaguchi. J. J. Appl. Phys., 47 11, 8506 (2008)
  3. Liu Yang, Ma Jiamping, Liu Fuli, Zang Yuan, Liu Yantao. J. Semiconductors 35, 3, 033 001-1 (2014)
  4. В.Н. Маслов, В.М. Крымов, М.Н. Блашенков, А.А. Головатенко, В.И. Николаев. Письма в ЖТФ 40, 7, 56 (2014)
  5. В.Н. Маслов, В.М. Крымов, Е.В. Калашников, В.И. Николаев. Физика и механика материалов 5, 21, 194 (2014)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.