Вышедшие номера
Динамика поляризованной магнитолюминесценции локализованных экситонов в смешанных кристаллах GaSe-GaTe
Старухин А.Н.1, Нельсон Д.К.1, Разбирин Б.С.1, Федоров Д.Л.1, Сюняев Д.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.starukhin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 23 декабря 2014 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.

Методом спектроскопии с временным разрешением исследована индуцированная внешним магнитным полем поляризация излучения триплетных локализованных экситонов в одноосных твердых растворах GaSe-GaTe (геометрия Фойгта). Возникающая в магнитном поле линейная поляризация излучения обусловлена различным поведением в поле компонент излучения, поляризованных с E|| B и E normal B (pi- и sigma-компонент соответственно). В стационарных условиях возбуждения неполяризованным светом интенсивность pi-компоненты в поле увеличивается, а интенсивность sigma-компоненты плавно уменьшается при увеличении поля. Установлено, что зависимости интенсивностей pi- и sigma-компонент излучения от магнитного поля, Ipi(B,t) и Isigma(B,t), существенно меняются в течение времени жизни возбужденных состояний t. Различная скорость затухания pi- и sigma-компонент приводит к сильной зависимости степени индуцированной магнитным полем линейной поляризации экситонного излучения от времени t. Степень линейной поляризации излучения в максимуме экситонной полосы люминесценции в полях B≥0.4 T при больших t приближается к 1. Предложено теоретическое описание наблюдаемых зависимостей Ipi(B,t) и Isigma(B,t). Из сравнения теории и эксперимента определены параметры тонкой структуры и времена жизни триплетных экситонов в различных спиновых состояниях. Работа выполнена при поддержке РФФИ (проект N 13-02-00891).
  1. Ж.И. Алфёров, Е.Л. Портной, А.А. Рогачев. ФТП 2, 1194 (1968)
  2. S. Lai, M.V. Klein. Phys. Rev. Lett. 44, 1087 (1980)
  3. M. Oueslati, C. Benoit a la Guillaume, M. Zouaghi. Phys. Rev. B. 37, 3037 (1988)
  4. D. Ouadjaout, Y. Marfaing. Phys. Rev. B 41, 12 096 (1990)
  5. S. Permogorov, A. Reznitsky. J. Luminescence 52, 201 (1992)
  6. R. Westphaling, T. Breitkopf, S. Bauer, C. Klingshirn. J. Luminescence 72--74, 980 (1997)
  7. П.П. Феофилов. Поляризованная люминесценция атомов, молекул и кристаллов. ГИФМЛ, М. (1959). 288 с. [P.P. Feofilov. The Physical Basic of Polarized Emission. Consultants Bureau, N.Y., (1961). 274 p.]
  8. Excitons / Ed E.I. Rashba, M.D. Sturge. North-Holland, Amsterdam (1982) 878 p
  9. E.L. Ivchenko, G.E. Pikus. Superlattices and Other Heterostructures: Symmetry and Optical Phenomena. Springer-Verlag, Berlin (1995)
  10. A.N. Starukhin, D.K. Nel'son, B.S. Razbirin, E.L. Ivchenko. Phys. Rev. B 72, 045 206 (2005)
  11. А.Г. Абдукадыров, С.Д. Барановский, С.Ю. Вербин, Е.Л. Ивченко, А.Ю. Наумов, А.Н. Резницкий. ЖЭТФ 98, 2056 (1990)
  12. А.Н. Старухин, Б.С. Разбирин, А.В. Чугреев, М. Хапп, Ф. Хеннебергер. ФТТ 41, 1389 (1999)
  13. E. Mooser, M. Schluter. Nuovo Cimento B 18, 164 (1973)
  14. Е Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Б.С. Разбирин, А.Н. Старухин. ЖЭТФ 72, 2230 (1977)
  15. Е.М. Гамарц, Е.Л. Ивченко, Г.Е. Пикус, Б.С. Разбирин, А.Н. Старухин. ФТТ 22, 3620 (1980).
  16. W.M. Chen, M. Godlewski, B. Monemar, J.P. Bergman. Phys. Rev. B 41, 5746 (1990)
  17. M. Wagner, I.A. Buyanova, N.Q. Thinh, W.M. Chen, B. Monemar, J.L. Lindstrom, H. Amano, I. Akasaki. Phys. Rev. B 62, 16 572, (2000)
  18. A.N. Starukhin, D.K. Nelson, B.S. Razbirin. Phys. Rev. B 65, 193 204 (2002)
  19. A.M. Frens, M.T. Bennebroek, J. Schmidt, W.M. Chen, B. Monemar. Phys. Rev. B 46, 12 316 (1992)
  20. E. Sorman, W.M. Chen, A. Henry, S. Andersson, E. Janzen, B. Monemar. Phys. Rev. B 51, 2132 (1995)
  21. W.M. Chen, B. Monemar. Phys. Rev. B 38, 12 660 (1988)
  22. S. Shevel, R. Fischer, E.O. Gobel, G. Noll, P. Thomas. J. Luminescence 37, 45 (1987)
  23. G. Gourdon, P. Lavallard. Phys. Status. Solidi B 153, 641 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.